基于线性解混的高光谱图像目标检测研究

高光谱图像的空间分辨率普遍较低，导致混合像元大量存在，为目标检测带来了一定困难。为了实现复杂背景下的高光谱图像目标检测，提出了一种去端元的目标检测方法。在光谱解混技术的基础上，建立了复杂背景下的光谱混合模型并加以改进，采用多次去端元的方法，取得了简化背景之后的高光谱图像。结果表明，与传统的RX目标检测算法相比，所提出的算法能够显著提升目标检测效果。在实际的军事运用中，为大尺幅图像的目标识别和揭露伪装提供了思路。     

新型阻挡层材料钌的研究进展北大核心

随着集成电路特征尺寸不断缩小到14 nm及以下,钌凭借其低的电阻率、对铜高的依附性而被考虑替代传统阻挡层材料Ta/TaN。但是,钌作为阻挡层材料依然存在很多问题,如低去除速率、容易引起铜的界面腐蚀、铜钌去除的不均匀性。针对以上问题,主要从三个方面介绍了近几年的研究进展。首先,介绍了氧化剂及络合剂对钌去除速率的影响;然后,总结了针对铜钌界面腐蚀问题的研究进展;最后,阐述了国内外解决铜钌去除速率选择性问题的研究进展。此外,提出未来新型阻挡层钌的抛光液的研究应综合解决上述问题,而非单一解决,才能真正应用于生产领域。     

基于等效积分的去除函数误差修正能力分析

针对计算机光学表面成形技术的去除理论中关于材料去除量及去除函数误差修正能力问题,基于等效去除积分法,对高斯型、三角形、梯形、脉冲随机复合型等多种不同形态的去除函数修正能力进行研究,通过频域分析去除函数的误差修正能力,获得调制参数与去除函数修正能力的关联曲线,建立基于等效去除积分法的去除函数截止修正能力评价模型,为去除函数误差修正的调制及去除函数修正能力评价提供依据,从而在大口径光学元件的超高精确度加工中,提高超光滑光学元件表面的质量。     

单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光

通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC(4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP)。结果表明,采用H2O2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速率,其促进作用与氧化剂浓度和抛光液的pH值密切相关。选择含体积分数5%的H2O2、pH值为12的SiO2抛光液对SiC进行CMP,得到的Si面抛光速率可以达到285.7 nm/h。在含H2O2抛光液中引入适量的NaNO3和十二烷基硫酸钠,SiC表现出较高的腐蚀电位绝对值和去除速率。在H2O2和NaClO抛光液体系中,SiC的去除速率与其腐蚀电位的绝对值正相关,该结果对实际应用有一定的借鉴意义。     

同步脑电-功能磁共振信号处理进展

同步脑电-功能磁共振(EEG-fMRI)整合了脑电的高时间分辨率和功能磁共振的高空间分辨率,是无创的大脑观测技术。但目前,该技术仍然存在信噪比过低、受试者舒适性差和数据融合困难等问题。本综述在介绍同步EEG-fMRI硬件系统的基础上,从EEG伪迹去除、同步EEG-fMRI信号融合、同步EEG-fMRI的应用、未来研究前景四个方面,综述该领域的最新进展,特别是在信号处理方面的新突破。本文介绍了一个对强磁场环境下脑电的信号处理的技术分级框架,为此新技术的应用分流和推广提供了重要参考。      

滴定法测定含硼富燃推进剂燃烧残渣中总硼含量

为了深入研究含硼富燃料推进剂一次燃烧反应机理,为化学反应机理的研究提供直接的试验依据,测定燃烧残渣中物质的量是十分必要的.含硼富燃料固体推进剂在纯氮气中点火燃烧后的燃烧残渣中总硼含量的测定方法,国内尚无统一的方法.目前硼粉纯度检测时多采用硝酸溶解,用指示剂法或电位滴定法进行滴定.     

光学元件亚表层裂纹成核临界条件研究

基于压痕实验和连续刚度测量法得到了熔石英材料硬度和弹性模量随压入深度的变化曲线, 系统分析了材料由延性到脆性转变的过程, 确定了熔石英晶体在静态/准静态印压和动态刻划时产生裂纹的临界载荷和临界深度。渐变载荷刻划实验结果表明, 划痕过程诱发的裂纹对法向载荷有很强的依赖性, 载荷较小时材料去除方式为延性域去除。随着法向载荷的增加, 首先产生垂直于试件表面的中位裂纹和平行于试件表面方向扩展的侧向裂纹, 而在试件表面上并没有产生明显的特征。载荷进一步增加后, 侧向裂纹扩展并形成了明亮区域, 最终诱发了沿垂直于或近似垂直于压头运动方向扩展的径向裂纹, 实现了材料的脆性去除。