双轴式研磨抛光中抛光盘相对位置对去除量的影响研究

为了了解在抛光过程中抛光盘位置对光学元件面形的影响,对一种双轴式平面研磨抛光运动过程进行了分析。从Preston方程出发,推导了去除函数的表达式,研究了抛光盘的摆幅及偏心距离对元件的去除量分布的影响。通过定量计算得知,在加工转速不变的情况下,增大抛光盘的摆幅,元件不同圆周上的去除量也不同。增大偏心距,元件的去除量增大,不论抛光盘相对元件的位置如何改变,回转中心的去除量总是最大。     

直接沉淀法制备纳米氧化铈及其抛光硅晶片的性能与影响因素

以硝酸铈为原料,十二烷基苯磺酸钠为分散剂,过氧化氢为氧化剂,氨水为沉淀剂,采用直接沉淀法制备了粒径分布均匀的纳米氧化铈粉体,并通过XRD,TEM等手段对粉体进行了表征。采用所制备的氧化铈粉体配置成抛光浆料对硅片进行抛光,研究了浆料pH值、固含量及过氧化氢浓度对n型半导体硅晶片(111)晶面抛光性能的影响。确定了最佳的抛光条件为:pH值10.5,含固量为0.5%,过氧化氢体积分数为1.5%,此时的抛光速率为61.1 nm.min-1,所抛光的硅晶片的表面粗糙度为0.148 nm。     

金属离子掺杂二氧化钛及水体光催化脱氮研究

采用溶胶-凝胶法制备了掺杂Ce³⁺、La³⁺、Ag⁺、Fe³⁺的TiO₂光催化剂,以考察其薄膜和粉体形式对水中无机氮的光催化去除效果和活性.用所制备的催化剂对含氨氮-亚硝酸氮的混合液进行了光催化脱氮研究.本文利用UV-Vis吸收光谱、XRD和TEM对催化剂进行了表征.同时,对影响TiO₂光催化效率的因素:如掺杂金属离子的种类、浓度、涂膜层数、反应液中有无Fe²⁺、不锈钢和玻璃载体、反应器的构型等进行了探讨,并对今后的研究进行展望.经过2 h紫外光照射反应,实验最佳脱氮效果:金属离子掺杂TiO₂薄膜型催化剂总氮去除率在30%左右,金属离子掺杂粉末型催化剂光催化最高总氮去除率可达41.7%.     

一种无信息丢失的光学相干层析图像校正方法

文章提出一种无信息丢失的图像处理方法,用以校正受到生物组织随机蠕动影响的光学相干层析(OCT)图像.文中首先利用相干增强各向异性扩散算法对原始OCT图像预处理增强层状结构,再利用顺序查找峰值的方法找出某层状结构及其周围层状结构的位置,进而利用异常点去除的方法对该层状结构进行校正,并以校正后得到的该层状结构位置作为基准校正图像.对眼底OCT图像去抖动的实验说明该方法能很好的去除OCT图像中的抖动,从而很好地辅助诊断.     

射流抛光材料去除机理及影响因素分析

 采用Fluent软件对射流抛光材料去除机理进行了流体动力学仿真研究,通过对射流流场压力、速度和工件表面剪切力的分析可知材料去除量应与表面剪切力的分布相对应,去除函数呈现W型;随后采用正交法对入射速度、工作距离和磨料浓度等工艺参数对抛光效果的影响进行了综合分析,结果表明：去除效率随入射速度和磨料浓度的增大而增大,随工作距离增大而减小,并且工作距离对去除率具有显著影响,为实验研究中工艺参数的选取提供了一定的指导意义。     

UiO-66/CoSO4复合材料对环境中盐酸左氧氟沙星的高效去除

以UiO-66为前驱体制得UiO-66/CoSO₄复合材料，借助扫描电子显微镜、透射电子显微镜、元素分析和比表面积分析等手段对复合材料的微观形貌和结构进行表征，采用吸附平衡实验，系统考察该复合材料的吸附性能.结果表明，在相同条件下UiO-66/CoSO₄复合材料比UiO-66对盐酸左氧氟沙星的去除率提高26.5%，且复合材料在30 min对盐酸左氧氟沙星的吸附达到平衡，最大吸附容量为108.4 mg·g^-1，其吸附特性符合假二级动力学模型.该UiO-66/CoSO₄复合材料制备过程简单，对实际环境水样和土样中盐酸左氧氟沙星的去除率在94.7%以上，且经过5次再生循环使用后，吸附效率无明显下降.     

ULSI制造中硅片化学机械抛光的运动机理

从运动学角度出发,根据硅片与抛光垫的运动关系,通过分析磨粒在硅片表面的运动轨迹,揭示了抛光垫和硅片的转速和转向以及抛光头摆动参数对硅片表面材料去除率和非均匀性的影响.分析结果表明:硅片与抛光垫转速相等转向相同时可获得最佳的材料去除非均匀性及材料去除率.研究结果为设计CMP机床,选择CMP的运动参数和进一步理解CMP的材料去除机理提供了理论依据.     

ULSI制造中硅片化学机械抛光的运动机理

从运动学角度出发，根据硅片与抛光垫的运动关系，通过分析磨粒在硅片表面的运动轨迹，揭示了抛光垫和硅片的转速和转向以及抛光头摆动参数对硅片表面材料去除率和非均匀性的影响．分析结果表明：硅片与抛光垫转速相等转向相同时可获得最佳的材料去除非均匀性及材料去除率．研究结果为设计CMP机床，选择CMP的运动参数和进一步理解CMP的材料去除机理提供了理论依据．     

金属铀中碳杂质的去除

碳是铀及铀合金中的主要杂质元素，常以高熔点碳化物夹杂的形式存在于金属中，严重影响了材料基体的连续性，同时降低了合金元素的有效合金化数量和合金元素的均一性，造成合金组织的不均匀，并影响材料的力学性能和抗腐蚀性。     

FSI国际收到一家全球性领先的晶圆厂对其ANTARES清洗系统的多套继续订单

FSI国际有限公司近日宣布，一家全球性领先的亚洲晶圆厂再次定购多套ANTARES超凝态过冷动力学清洗系统，大幅提高了该平台的安装数量。该系统具有通过使用在线直流参数测试去除生产残留物的能力，而这些残留物曾被报告会导致良率的损失。这家晶圆代工厂目前使用ANTARES系统完成各种前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）中的微粒去除工艺，该项订单实现了在65nm和90nm技术节点更高的在线参数测试清洗的能力。