基于CTAC改性活性炭膜包用于水溶液中Cr(Ⅵ)的吸附去除及其再生性研究

使用多孔聚丙烯膜包覆阳离子表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵（CTAC）改性活性炭,制成CTAC改性活性炭聚丙烯信封式膜包,用于吸附去除水中的Cr(Ⅵ),并考察了膜包材料的再生性。采用扫描电镜和红外光谱表征分别对CTAC改性活性炭进行了形貌和结构表征,考察了CTAC改性后国药粉末活性炭膜包在海水、湖水、自来水3种实际水样中的去除效果,去除率为88.5%～97.5%,相对标准偏差为0.25%～1.9%。采用NaOH溶液解吸,膜包在3次重复利用后,对Cr(Ⅵ)的平均去除率可达91.2%,在5次重复利用后,对Cr(Ⅵ)的平均去除率可达65.4%,仍有较好的去除效果。该CTAC改性结合膜包的方法有望为含铬废水治理提供普适性的吸附材料和方法。     

P型掺杂金刚石厚膜的电火花加工

CVD金刚石具有和天然金刚石相近的一系列独特的力学、热学、声学、电学、光学和化学性能,在航空、航天、国防等高科技领域具有广阔的应用前景.但是,普通CVD金刚石膜是绝缘体,无法直接进行电加工.本文在分析了电火花加工半导体材料去除速率的基础上,通过掺硼对CVD金刚石厚膜进行半导体改性,继而实现了其电火花加工.通过研究,建立了掺硼金刚石厚膜电火花加工去除速率的经验公式.最后,通过Raman和SEM分析对CVD金刚石厚膜的电火花加工机理进行了初步探讨.     

杆件去除与内力变更时空间网架结构的简捷计算法

本文采用矩阵位移法,引入初内力的概念,提出并建立了初内力准方程式,再运用性叠加原理来简化分析计算杆件去除与内力变更时的空间时的空间网架结构。这种简捷计算法的所讨论的工况下只要一次性的建立、分解和应用网架结构的总刚度矩阵,无须重复多次建立和分解总刚度矩阵,从而使会计工作量成倍地甚至几十倍地大幅度减少。特别是当网架结构多根杆、依次先后断杆、预应力及分期分批施加预应力时,采用本文方法可更方便地求得各工况     

板片状Al2O3磨料对碲锌镉晶体机械研磨的影响

采用具有不同形状特征的Al2O3磨料对CdZnTe晶片进行机械研磨,研究了磨粒形状、粒径对晶片的去除速率、研磨后晶片表面形貌的影响,并讨论了其影响机理.研究表明,多角形不规则磨粒易在晶片表面产生划痕,且易在磨盘与晶片之间发生滚动,导致去除速率下降.板片状磨粒因不易发生滚动,易形成二体磨粒以边缘凿削晶片表面的方式去除.棱角度较高的薄板片状磨粒有利于CZT晶片的机械研磨,且去除速率随粒径增大而增大,但当粒径较大时易形成深凹坑.表面圆润平滑的厚板片状磨粒对去除速率不利.粒径(D50)为3.34 μm的薄板片状磨料既能得到较高的去除速率,也能保证研磨后晶片表面波纹度Wa值和凹坑面积占比较低,晶片表面质量好.     

阴/非离子型表面活性剂对CMP后SiO2颗粒的去除效果

为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO₂颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD-40)和2种非离子型表面活性剂(AEO-5、JFC-6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面的润湿性、吸附构型及吸附稳定性。通过优化表面活性剂质量浓度,选择达到吸附稳定时的质量浓度配置4种表面活性剂来清洗铜晶圆,利用扫描电子显微镜观测铜表面形貌,对比它们的清洗效果。随后选择TD-40和JFC-6进行复配,研究复配后表面活性剂对硅溶胶颗粒的去除效果。实验结果表明,使用体积比为2∶1的TD-40与JFC-6进行复配得到的CMP清洗液对SiO₂颗粒的去除效果比单一表面活性剂的更好。     

络合剂DTPA-5K在集成电路阻挡层CMP中的应用及机理分析

为了提高阻挡层化学机械抛光(CMP)的去除速率选择比,提出一种添加剂二乙烯三胺五乙酸五钾(DTPA-5 K),研究它在含双氧水(H2 O2)的抛光液中对材料去除速率的影响,并通过X射线光电子能谱(XPS)和离子间的相互作用分析了相关去除机理.结果表明:DTPA-5K既可作为铜(Cu)的络合剂,同时也可作为介质(TEOS...     

用单片清洗设备进行晶圆背面清洗

晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入100nm技术节点之后成品率的降低便显得尤为重要。因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗。由Akrion公司制造的Mach2HP系统就是这样一种单片清洗设备,它具有清洗晶圆正反两面的功能。在起初评价时,设备经过了大量的粒子去除效率的变化。这种大量的变化使我们不能了解这种设备真实的清洗能力。氮化硅(Si3N4)粒子污染的晶片被用以进行粒子去除效率测试。我们发现有Si3N4粒子的晶片引起了背面粒子去除效率的变化。这种含Si3N4粒子的晶片是通过在裸芯片上沉积Si3N4粒子而特意准备的。我们发现,一些较大的Si3N4粒子在晶片清洗时又分解成更小的粒子。如若在清洗之后分解的粒子仍保留在晶片上,它们便会降低晶片总的粒子去除效果。因此,在这些粒子沉积到晶片上之前,这些粒子群需要进一步分解成实际的粒子。经过了解晶片的预习处理,我们实现了这种清洗设备背面清洗效果的评价。     

光催化氮氧化物去除的催化剂活性位点设计研究进展

光催化技术是一种能够有效去除低浓度氮氧化物的方法.然而,气固相光催化技术存在气体分子吸附活化率低、光能利用率低、光生电子空穴复合率高等问题.催化剂活性位点设计能够有效解决上述问题从而提高催化剂催化活性.本综述简要阐述了光催化氮氧化物去除的反应机理,报道了近年来用于氮氧化物去除的光催化剂表面活性位点设计的研究进展,涉及的...     

新月菱形藻(Nitzschia closterium)制备参数对藻球性质及去氮磷效果的影响

为了制备出高效的固定化藻球, 完善固定化藻球的制备工艺, 以新月菱形藻为藻种, 采用褐藻胶包埋技术和单因子试验, 研究了不同褐藻酸钠质量分数(2.0％、2.5％、3.0％)和不同溶剂(海水、蒸馏水、NaCl溶液)对藻球形状、强度、传质性、去除氮磷效果及藻细胞生长的影响. 结果表明: 不同褐藻酸钠质量分数对藻球形状影响显著(P<0.05), 褐藻酸钠质量分数为2.0％和2.5％时藻球呈球形, 为3.0％时藻球呈不规则的水滴形; 不同溶剂种类对藻球形状则无影响. 不同褐藻酸钠质量分数对藻球强度影响显著(P<0.05), 随着褐藻酸钠浓度的增加, 藻球强度逐渐增强; 不同溶剂对藻球强度的影响显著(P<0.05), 影响大小的排序为海水>NaCl>蒸馏水. 不同褐藻酸钠质量分数和不同溶剂对藻球传质性影响显著(P<0.05), 随着褐藻酸钠浓度的增加, 藻球传质性也逐渐增强; 溶剂对传质性影响的强弱排序为海水>NaCl>蒸馏水; 不同褐藻酸钠质量分数和不同溶剂对固定化藻球藻细胞生长及去氮磷效率影响显著(P<0.05), 其中以3.0％褐藻酸钠+海水的藻细胞生长最快, 去除氮磷效率最佳.     

GLSI钨插塞CMP碱性抛光液组分优化的研究

钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一。首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理;接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO2水溶胶磨料、氧化剂、有机碱(pH调节剂)和表面活性剂对W-CMP速率的影响。最后通过正交优化实验,确定抛光液最优配比为V(纳米SiO2水溶胶)∶V(去离子水)=1∶1,氧化剂体积分数为20 mL/L,pH调节剂体积分数为4 mL/L,表面活性剂体积分数为20 mL/L时,此时抛光液的pH值为10.36,获得的去除速率为85 nm/min,表面粗糙度为0.20 nm。