LSI中的金属化工艺

钨丝加热法蒸发纯Al,采用“U”型状,在我国首先研制出双极LSI。为了缩小芯片面积,防止浅结漂发射区工艺纯Al布线后造成EB结短路,研制成功钨丝加热法蒸发Al-Si薄膜。为进一步缩小芯片面积,采用双层布线工艺,又研制成功钨丝加热法蒸发Al-Cu-Si合金膜。本文主要介绍三种薄膜蒸发工艺及应用。     

准分子激光器在半导体超精细加工中的应用

本文叙述准分子激光器的性能并综述了准分子激光器在投影光刻、掺杂、化学气相淀积和刻蚀等半导体超精细加工中的应用。     

光缆技术一瞥

本文归纳了通信光缆技术近年发展的八大趋势,阐述了光缆设计三要素,并介绍了三个典型的光缆系列及其主要性能。     

一种新型低温共烧堇青石基微晶玻璃

采用传统的玻璃熔融工艺制备MgO-A12O3-SiO2-Bi2O3（MASB）玻璃粉末，研究了其烧结特性和析晶过程。结果表明，该玻璃粉末可在低于900℃烧结。在烧结中玻璃首先析出μ-堇青石，然后转变为α-堇青石，氧化铋没有参与晶相的形成。该微晶玻璃具有低介电常数（5．23），低介电损耗（约0．2％）和低温烧结特性，可用于超高频片式电感领域。     

晶片减薄技术原理概况

从对晶片减薄的质量要求角度出发,论述了垂直缓进给(Creep-Feed)晶片减薄原理与垂直切深进给(In-Feed)晶片减薄原理。提出原理设计中的原则和相关问题。     

DA VINCITM系统平台推动SEZ的单晶圆商业模式

SEz(瑟思)集团近日在德国慕尼黑的SEMICON EUROPE宣布，于2003年中期引入市场的．应用于后段工艺过程(BEOL)的DaVinciTM平台销售已超过公司整体收入的50%。该系列平台是SEZ有史以来最快被市场接受的，同时也是业界最快被引进产品之一。预计将来的销售速度会更快，预计到2005年底，’DaVinci系统的销售将占SEZ公司全部收入近60％的份额。     

APS CMOS图像传感器复位电路的设计研究

本文分析了APS CMOS图像传感器传统像素复位电路引起的动态范围缩小、固定图像噪音增大和图像滞后等问题.比较了两种复位电路改进方案的优势与不足.提出了采用电荷泵电路设计APS CMOS图像传感器复位电路的新方案.该方案增加了CMOS图像传感器的动态范围,消除了复位引起的固定图像噪音和图像滞后,避免了前两种方案的不足.所有的电路仿真均在CHRT 0.35 μm工艺基础上完成.     

Silicon Image新技术推动制造商SOC的整合

Silicon Image公司日前宣布推出可集成到最新片上系统(SoC)的高清晰度多媒体接口(HDMI)和串行ATA(SATA)核心IP。Silicon Image已经将其SATALink SATA核心移植至多种90nm和0．13um芯片制造工艺中，现在又将其PanelLink HDMI核心移植至0．13um制造工艺，     

晶体管栅介质物理、工艺和特性表征技术的演变

氮氧化技术使SiO2的应用向45nm节点迈进。氮的引入是一项复杂的工艺，由于这一工艺诱发的界面陷获电荷对栅介质完整性十分关键．因此要求进行严格的控制。     

PLD巨头对于采用300mm晶圆和新工艺制造FPGA器件存在分歧

作为第一家采用300mm晶圆和90nm工艺技术制造FPGA产品的供应商．赛灵思公司(Xilinx)的FPGA产品Spartan-ⅡE．Virtex—E、Virtex-Ⅱ和Virtex—ⅡPro器件已经开始采用UMC(台联电)公司的300mm晶圆制造，据称已经累计销售出200多万片。同时，赛灵思公司正在积极推出其利用90nm和300mm制造技术的下一代FPGA产品。