193nm光刻技术进展和问题

光刻是制造大规模集成电路的主要方法。由于快速计算机和多功能处理器不断发展,并提出很多新的要求,促使半导体集成线路制造商力求增加单片上的元件密度。元件密度受最小光刻尺寸限制。虽然光刻工艺水平已能刻出准波长特征尺寸的集成线路的线宽,但是,连续发展几代的单片集成线路要求光源波长从436nm到365nm。用248nm波长光源(KrF准分子激光器).光刻的特征尺寸为0.25μm。期望能生产0.18μm特征尺寸的集成线路。为了生     

工艺系统刚度产生的误差原理与分析

根据对工艺系统受力变形的分析 ,阐述了工艺系统刚度对零件加工精度的影响 ,并简要提出了提高工艺系统刚度的办法     

MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究

本文对ＭＣＴ的核心工艺－三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。     

面向对象的弯曲工艺设计知识的描述方法

本文作者建立了一个弯曲级进模工艺设计专家系统。这里主要叙述在弯曲工艺设计专家系统中采用面向对象技术的必要性，弯曲零件几何形状的描述以及工艺设计知识的内部表达方法，最后简述系统知识库的组成。     

一条多电路品种的CMOS科研开发工艺线运转机制探讨

本文从技术和技术管理的角度，研究探讨了一条多电路品种的ＣＭＯＳ科研开发线的运行机制。从多方面阐述了为保持这样一条件研开线高水平，高效益运转所必须考虑的一些基本准则。本文阐述了一种自调整高效运筹法，介绍了该方法的基本要点，运算实例以及与习惯方法相相比较所具有的优点。