介电多层膜与人工介电超晶格的研究

近年来，铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和性能的研究状况，讨论了进一步研究需解决的问题。     

硅基红外信平面阵列技术的新进展（Ⅱ）

主要介绍以硅为衬底的ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ，ＰｂＳｎＳｅ，ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｂ等红外探测器焦平面阵列的新进展。     

用原子位形几率波理论研究插层化合物MxTX2中M离子的有序结构

本文就插层化合物M_xTX₂中占据八面体间隙的M离子建立了离子-空位格气模型.用原子位形几率波理论研究了M离子的有序结构,得到了3种最稳定的有序结构,并定量地分析了相互作用参数对有序结构形成的决定作用.最后对已有实验结果进行了分析和讨论.     

纳米技术的研究现状与将来

纳米科学技术将成为２１世纪最重要的高技术之一。纳米技术的最终目标是直接操纵单个原子和分子，制造量子功能器件，从而开拓人类崭新的生产生活模式。文章评述利用电子束、离子束的精细技术和ＳＴＭ原子操纵技术的研究现状，介绍原子层蚀刻，单层抗蚀剂自形成蚀刻，纳米自然蚀刻和电子束全息纳米蚀刻等高技术前沿动态，展望纳米技术的发展前景。     

基于MPLS第三层VPN

基于MPLS第三层VPN技术由于只和MPLS域的边缘路由器发生关系，使得用户在不需要了解VPN拓扑结构的情况下就能完成对用户边缘路由器和提供边缘路由器的配置，这一点对VPN的可扩展性至关重要。更为重要的是基于MPLS第三层VPN可以将用户提升为服务提供，实现多层VPN。本通过一个实例介绍基于MPLS第三层VPN的工作机制。     

常用激光介质膜的斜入射性能

本文给出了多层介质膜反射率与入射角的关系的计算机程序，并列出了部份常用激光膜片反射率-角度曲线。     

NEC开发32nm逻辑LSI多层布线技术

NEC和NEC电子开发出了面向32nm工艺逻辑LSI的多层布线技术，布线间隔为100nm。通过改变low-k膜的成膜方法，达到了32nm工艺LSI所需的性能，同时解决了绝缘耐久性过低的问题。     

浅析电信故障申告系统的开发

本文介绍了如何利用互联网络建设基于VPN内网的电信故障申告系统,从设计开发和实际使用角度详细阐述"电信故障申告系统"项目的功能性和拓展需求,并提出可靠的系统实施技术方案。该系统的特点主要有:系统实时性高、兼容性好、可扩展、可跨平台使用、易于故障处理的收集和检索、提高故障反应时间,为电信的业务发展提供有力保障。