溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究

利用溶胶凝胶法在SiO2Si衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为62℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键 关键词： 溶胶-凝胶法 氧化钒薄膜 VO2膜转换特性     

Fe-Ag金属颗粒膜的巨磁电阻

采用量子唯象模型研究金属颗粒膜巨磁电阻的特性．在计算散射截面时，考虑了颗粒内各杂质原子之间的相位相干性．依据实验报告提供的颗粒尺寸分布的数据，推导了巨磁电阻依赖于颗粒尺寸及其分布和外磁场的函数表示式．对样品Fe-Ag的计算结果表明，其磁电阻随外磁场的变化和颗粒尺寸的分布有关；在某个颗粒尺寸标度D₀，磁电阻出现极大值，尺寸标度D₀的大小与外加磁场、样品材料和制备条件有关 关键词：     

碳膜电位器电阻体制造新工艺

目前我国电位器电阻体的制作主要有两种工艺方法:一种是丝网印刷法,另一种是流布法。流布法属比较落后的工艺方法,在我国已逐步淘汰,故现在较为流行的是丝网印刷法。本文介绍一种先进的工艺方法——PC滚涂法。本厂从日本松下公司引进这一先进的制作工’艺技术,用于电阻体高阻部的制作。它的优点是生产效率高,电阻分布均匀,膜层表面光滑、平整,目标电阻值易于控制,生产合格率高。     

计算机辅助设计在合成碳膜电位器子浆料配制中的应用

本文叙述了合成碳膜电位器子浆料的标称阻值系列的改进,以及利用计算机辅助设计(CAD)绘制新的子浆料配比曲线的方法。利用此曲线指导浆料配制,较原工艺,阻值命中率大大提高。     

厚膜混合集成电路常见工艺缺陷及其消除方法

除设计和材料外，工艺和操作对厚膜混合集成电路的质量和性能也有较大的影响。分析了厚膜混合集成电路生产过程中一些常见的工艺缺陷，如线条变形、起泡、阻值不稳、元件受损、锡珠等的产生原因，并提出了相应的消除方法。     

多层复合薄膜中成分变化的能谱研究

某种新型传感器材料采用在Ｓｉ单晶基体上制备多层膜结构，这些膜的成分特性将对传感器的功能有重要影响。为配合新型传感器的开发，我们利用ＪＥＭ－６３０１Ｆ场发射扫描电镜及ＥＤＳ附件研究多层膜的成分变化特性，目的是为材料设计和工艺优化提供依据。实验过程及结果...     

气相扩镓的杂质Rs效应分析

在确定的开管扩镓装置中，以氢气做为镓源Ｇａ２Ｏ３的反应和输运气体，凭借准确的控制扩散条件，镓在ＳｉＯ２／Ｓｉ系统中扩散，可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Ｓｉ和ＳｉＯ２中扩散行为，分析讨论了镓在裸Ｓｉ系和ＳｉＯ２／Ｓｉ系扩散所产生的杂质Ｒｓ效应，及其氧化膜质量和厚度对Ｒｓ的影响。     

铝多孔质阳极氧化膜扩孔行为的电镜研究

铝多孔质阳极氧化膜扩孔行为的电镜研究徐洮，赵家政，陈建敏（中科院兰州化物所固体润滑开放实验室，兰州７３００００）利用铝质材料阳极氧化层均匀、规则的多孔质结构，制备各种功能型阳极氧化铝材料是近年来铝质材料表面改性研究的热点之一￣［１］。所谓自润滑阳极氧...     

钽／硅多层膜在550℃退火后的局域扩散反应

钽／硅多层膜在５５０℃退火后的局域扩散反应卢江，李凡庆，陈志文，谭舜，陆斌，张庶元，王路春，李齐（中国科技大学结构分析开放实验室，合肥２３００２６）（南京大学物理系）多层膜提供了一个具有大量界面的扩散、晶化、固相反应的系统。本文研究了在５５０℃退火后...     

非洲爪蟾卵提取物中200nm膜泡与环形片层及核被膜上核孔复合体形成的关系

将ＬａｍｂｄａＤＮＡ引入活化的非洲爪蟾卵提取物中，在由磷酸肌酸与磷酸肌酸激酶构成的ＡＴＰ再生系统的参与下，在这种非细胞体系中能够围绕由ＬａｍｂｄａＤＮＡ诱导形成的染色质重建核被膜结构，同时在染色质外出现类似核被膜结构的环形片层。在这两种膜结构中核孔复合体的形成都与直径２００ｎｍ左右的单层圆形小膜泡密切相关，这些小膜泡可以附着在染色质表面或独立于染色质之外相互融合成扁平囊状的双层膜片层，双层膜进一步融合形成核孔，与此同时，核孔复合体在核孔上完成装配。