首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   16516篇
  免费   3598篇
  国内免费   1599篇
化学   1677篇
晶体学   528篇
力学   1589篇
综合类   135篇
数学   578篇
物理学   3840篇
无线电   13366篇
  2024年   115篇
  2023年   366篇
  2022年   529篇
  2021年   493篇
  2020年   359篇
  2019年   489篇
  2018年   328篇
  2017年   494篇
  2016年   553篇
  2015年   600篇
  2014年   946篇
  2013年   773篇
  2012年   950篇
  2011年   906篇
  2010年   890篇
  2009年   959篇
  2008年   1115篇
  2007年   937篇
  2006年   967篇
  2005年   938篇
  2004年   853篇
  2003年   893篇
  2002年   657篇
  2001年   624篇
  2000年   584篇
  1999年   463篇
  1998年   480篇
  1997年   515篇
  1996年   477篇
  1995年   414篇
  1994年   398篇
  1993年   292篇
  1992年   343篇
  1991年   310篇
  1990年   280篇
  1989年   272篇
  1988年   35篇
  1987年   36篇
  1986年   17篇
  1985年   19篇
  1984年   9篇
  1983年   10篇
  1982年   15篇
  1981年   8篇
  1980年   1篇
  1977年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 343 毫秒
91.
针对打点器使用中的问题,介绍其工作原理及如何正确调试与维护。  相似文献   
92.
一种低耐压器件实现的压电陶瓷驱动电源   总被引:5,自引:2,他引:3  
王广林 《压电与声光》1998,20(1):38-40,49
介绍采用普通低耐压器件三端可调集成稳压块实现的300V输出的压电陶瓷驱动电源的设计思想,电路原理,设计计算及安装调试等内容,该设计的特点是电路简单,可靠性好,经济实用。  相似文献   
93.
利用SEAM技术对半导和非半导性的BaTiO3陶瓷材料进行了电声成像观察研究.在半导性的这种材料电声成像中,由于掺杂的作用削弱和屏蔽了样品本身电学性能参数变化对电声像衬度的贡献,使得热波耦合机制起到主要作用;在非半导性的这种材料电声成像中,其电学性能参数的变化决定了电声像衬度的不同.  相似文献   
94.
本文提出了以电流跟随器CF为基本电路元件的全集成MOSFET-C精确连续时间六阶低通滤波器电路,并应用PSPICE-Ⅱ通用模拟电路程序,对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析,得出了实用的结论。  相似文献   
95.
刘宁 《激光杂志》1993,14(2):93-94
一、前言 目前CO_2激光已广泛应用于治疗各种疾病。当CO_2激光用做激光手术刀时,由于目前还没有合适的光纤将激光引到手术位置,所以,广泛采用导光关节臂,将激光引到手术位置,然后将激光聚焦后输出。但以这种方式输出的激光用于切割手术时,存在切割  相似文献   
96.
<正> 本文介绍一种语音保密通信专用集成电路AK2356,以AK2356为核心,再配以少量外围元件,即可组成专用语音保密器。它适用于各种无绳电话机、对讲机等无线电设备及有线通信保密装置,具有结构简单,保密效果好,体积小,耗电少,音质好,便于更改密码等特点。 一、功能特点 AK2356是一种专用于电话通信保密的CMOS大规模  相似文献   
97.
本文介绍一种由4/6GHz不对称分波顺、4/6GHz宽带极化器等部件组成的4/6GHz共用、线/圆极化可变的馈电网络的设计。  相似文献   
98.
介绍一种新型的L波段频率综合器。该综合器在电路设计,使用器件和外围设备等方面有许多的改进和更新。这些措施对提高综合器的MTBF值非常有效,并在多项工程中得到验证。结果表明其稳定可靠性已完全能满足工程需要。  相似文献   
99.
X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器   总被引:3,自引:0,他引:3  
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计,设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中,开展了关键工艺的专题研究。研究结果为:单级单片放大器在10:5-11.6GHz范围内,NF≤1.82dB,G≥7.72dB;在11.7-12.2GHz范围内,NF≤1.80dB,G≥6.8dB;双级放大器在10.4-11.1GHz范围内,NF≤1.96dB,G≥15.3dB,最低噪声系数为1.63dB,最高增益为16.07dB。  相似文献   
100.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号