基于锁相环的2FSK电路的设计及实现

调制器是通信系统中发射机的重要组成部分,可以由此获得调频信号。其中基于锁相环的调制器,所获得调频信号,其载频稳定度很高,可以达到晶体振荡器的频率稳定度。该方法的优点是集成度高且功耗低,所需硬件少。基于国家半导体的锁相环芯片LMX2326,设计了实际应用电路,实现了数字信号的频率调制,得到很好的效果,具有实际的工程意义。     

可驱动10个50mA LED的48V降压模式LED驱动器

Linear Technology Corporation日前推出48V、降压模式DC／DC转换器LT3590，该器件用作恒定电流LED驱动器。内部55V、80mA开关和肖特基二极管使LT3590能够用48V输入驱动多达10个50mA串联成一串的LED。非常适用于工业和LED标志应用。LED串联连接实现了相同及高达50mA的LED电流，从而产生一致的亮度并去除了对镇流电阻的需求。调光通过CTRL引脚调节。可以实现高达200：1的调光比。其850kHz开关频率允许使用纤巧的电感器和陶瓷电容器，同时实现高达91％的效率。     

基于ADF4113的本振源设计

应用美国ADI公司生产的数字分频器与鉴相器ADF4113和压控振荡器HE714构成锁相环。通过单片机AT89C51产生控制信号,设计了一个稳定的2 GHz本振源电路模块,应用于高频宽带线性调频源系统中。详细介绍了系统中核心芯片的性能、结构以及应用方法,设计出了完整的硬件电路并对电路的各个参数进行了评估。最后对电路产生的2 GHz本振信号进行仿真测试,结果基本上符合要求。     

过程校准仪中高精度电压源的设计

在仪表校准中，我们希望直流电压源的精度与分辨率能够足够的高，因为这是仪表能否校准好的关键所在。然而单纯使用单片DAC实现源的方法不仅成本高，而且各项性能并不能得到保证，特别是在动态范围和分辨率上会产生矛盾。因此就设想使用一片双通道的D／A转换器来实现，即使用一个通道来实现电压源的高精度，另一个通道来实现其对动态范围的要求。     

腹腔压力动态测量系统设计

腹腔是一个封闭的腔隙,其中的任何器官体积增加超过一定限度均可导致腹内高压,腹腔压力监测旨在通过观察腹部手术后及重症病人的腹内压变化,为及时地给予干预性治疗、护理提供有效的依据.     

防止放大器输出出现过压的电路

对汽车电子的普遍要求是任何直接连接到线束的设备都必须能承受电池电压的短路.尽管这种要求比较严酷,但它对于汽车的可靠性和安全性是十分必要的.     

利用推挽DC／DC转换器固有特性的倍压器

本设计实例能以最少的元件数实现利用单变压器推挽DC/DC转换器的固有倍压特性的宽范围倍压器.它采用高压达林顿晶体管阵列驱动器ULN2023A来实施.该电路具有5V～30V的较宽输入电压范围,并能以适宜的效率提供了1W～4W的典型电源输出.     

面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器

介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过300MHz,为4.17～4.56GHz,与仿真结果非常吻合;相位噪声为-112dBc/Hz@1MHz;在3.3V电源电压下,其核心部分的直流功耗为15.5mW,输出功率为0～2dBm.为了与其他振荡器比较,还通过计算得到了相位噪声优值,约为-173.2dBc/Hz.同时,还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法.     

硫化镉纳米膜的电化学制备方法

采用电沉积方法在表面活性剂和电解液的界面制备了硫化镉纳米膜.通过对不同电解液体系和表面活性剂体系中纳米硫化镉膜沉积情况进行比较发现,相同条件下采用硫代乙酰胺体系为电解液,蓖麻油类为表面活性剂可以在液/液界面制备硫化镉纳米膜.考察了表面活性剂种类、电解液浓度和温度及溶液的pH值对制备硫化镉纳米膜的影响,确立了制备纳米膜的最佳工艺条件:氯化镉浓度为4 mmol·L-1,硫代乙酰胺浓度为12 mmol·L-1,槽压5 V,pH值为4.8,蓖麻油/十六醇的用量为0.06 ml·cm-2.实验表明,最佳工艺条件下制备的硫化镉纳米膜晶粒粒径均匀、平均粒径在30 nm左右,近似球形,将在非线性光学材料领域有特殊的应用前景.     

无线局域网接收机用频率综合器的关键技术

对无线局域网接收机用锁相环型频率综合器的几项关键技术进行了研究.首先分析了锁相环型频率综合器的结构并提出了系统的主要参数.采用TSMC 0.18μm射频CMOS工艺设计了一个具有低相位噪声的单片LC调谐型压控振荡器.其在4.189GHz频点上4MHz频偏处所测得的相位噪声为-117dBc/Hz.采用TSMC 0.18μm混合信号CMOS工艺实现了具有低功耗的下变频模块电路.该电路在1.8V电源供电下可正常工作,功耗为13mW.