PZT陶瓷的断裂分析

与有限元法相比,无网格法由于只需节点不用单元而在压电分析中具有优越性。采用一个简单的包含有极化反转及电饱和影响的锆钛酸铅系压电陶瓷(PZT)的本构模型,以局部J积分作为断裂准则,应用再生核点法这一无网格数值法导出了作用电场与断裂载荷的关系曲线,该曲线的趋势与Park[1]的实验观察现象一致。计算程序采用面向对象方法实现。     

环氧树脂及其增强材料回顾

本文回顾了PCB制造常用的环氧树脂及其增强材料的性能和用途。同时,还介绍了代用树脂材料和代用增强材料的最新进展,如改性环氧树脂、无卤树脂、Thermount、PTFE、氰酸酯等,并就其性能进行了探讨。     

“电子封装和PCB组装的材料、工艺和可靠性”学术讲座

前言：电子产品日益小型化、高功耗和环保要求对电子封装和PCB组装以及材料供应商提出了许多挑战。在这次讲座中我们将详细讲解电子元件封装和PCB组装技术以及工艺，并了解组装材料和工艺对最终产品质量和可靠性的影响。例举并讨论组装材料，例如焊料合金、焊膏、助焊剂和芯片粘接材料的主要特性，及评估认证这些材料和工艺优化的方法。对HoHS和无铅加工技术和可靠性进行深入的探讨。进一步，我们将回顾发生在电子元器件和PCB组装中的主要失效机理。我们将以实际案例来讲解产品可靠性评估，寿命预测，HALT／ESS试验方法。     

薄膜的截面TEM样品制备

薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄，对其微结构的研究十分困难，许多表征方法难以采用。透射电子显微分析（TEM）是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易，但由于薄膜依附于基材生长，且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征，因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究，可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂，难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法，对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。     

堇青石质蜂窝陶瓷载体表面改性前后的SEM和EDS研究

蜂窝陶瓷是一种多孔陶瓷，它具有高强度、低膨胀、耐热震性好、吸附性强、耐磨损等优点。目前，广泛应用于汽车尾气净化器、柴油机烟尘离子净化器及臭氧抑制催化剂载体。堇青石质蜂窝陶瓷载体是氧化铝、氧化镁、氧化硅按一定比例焙烧形成，由于比表面积较小，常常先采取酸浸，然后在其表面涂覆一层比表面积大的物质，如γ-Al2O3，其目的是进行表面处理形成酸性活性中心并且使载体的孔道增加，从而增加催化材料的活性。     

用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷

传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。     

用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱,量子线及其光学性质

本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层比较有利。用此技术，在ＧａＡｓ非平面衬底上生长了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ量子阱，并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了ＭＣＣＶＤ外延生     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。