等离子喷涂Al2O3+13wt%TiO2陶瓷涂层的 激光重熔处理

本文用Ｘ射线衍射、扫描电镜和显微硬度研究了等离子喷涂Ａｌ２Ｏ３＋１３ｗｔ％ＴｉＯ２陶瓷涂层激光重熔处理后陶瓷熔化层的组织结构及硬度变化特征。激光重熔区亚稳相Ｙ－Ａｌ２Ｏ３转变成为稳定相α－Ａｌ２Ｏ３：ＴｉＯ２与Ａｌ２Ｏ３反应生成ＴｉＡｌ２Ｏ３陶瓷熔化层致密,无孔隙、少裂纹或无裂纹;熔化层硬度有较大提高,且随激光能量密度的增大而增大,而涂层设计对其影响很小。此外,激光重熔能极大地提高陶瓷的涂层的耐磨     

硼硅玻璃掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响

研究结果表明 ,硼硅玻璃料的掺入超过一定量时会使压敏电场上升。当玻璃料含量占初始配方总质量的 5 %时 ,压敏电场最小 ,非线性系数最小 ,漏电流最大 ;当玻璃料含量占 5 %～ 10 %时 ,随玻璃料掺入量的增加 ,非线性系数明显上升 ,漏电流迅速减小 ,压敏电场迅速上升。     

尖晶石相ZnCr_2O_4陶瓷生成条件

用 XRD法研究配料粒度、烧结温度及陈化处理诸因素对生成尖晶石相 Zn Cr2 O4数量的影响 ,结果表明 ,在 80 0～ 110 0℃间 ,原料的陈化处理可促进尖晶石相 Zn Cr2 O4的生成。     

一种宽电容网络的窄带陶瓷滤波器

采用一种新的设计方法来研制一种小体积的窄带陶瓷滤波器。此种方法仅采用一种标准的压电振子。并与一定的电容网络相结合,就可实现通常由串、并联两种振子构成的滤波特性。．本文探讨了这种压电振子的特性以及电容网络的选择与近似计算方法。     

表面层型半导体陶瓷电容器

对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。     

LTCC多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷 (LTCC)技术制造多层微波互连基板 ,可以研制出高密度的T/R组件。讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术 ,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点。     

当前陶瓷-金属封接及其相关技术的新进展

本文综述了最近十年来国内外陶瓷 -金属封接及其相关技术的新进展 ,指出了我国该技术领域存在的问题及其解决办法。     

Cr/蓝宝石界面的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发的方法在２００℃抛光的取向的蓝宝石衬底上淀积２００ｎｍ的Ｃｒ,并在高真空中退火。利用ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术对样品进行了深度剖析,给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。并在８５０退火样品观测一种新的界面结构。     

SrTiO_3双功能陶瓷中TiO_2掺杂的作用

研究了ＴｉＯ２掺杂对ＳｒＴｉＯ３电容－压敏双功能陶瓷晶粒生长特性和电性能的作用规律。研究结果表明ＴｉＯ２添加量较小时瓷体不能实现半导化。随着ＴｉＯ２添加量的增大,烧结后的表观电阻率减小,压敏电压和非线性指数减小,表观介电常数增大。ＳＥＭ观察发现ＴｉＯ２添加量较小时晶粒内部出现裂痕,较多的ＴｉＯ２添加量利于晶粒的长大。