AlN-SiC微波衰减陶瓷在X波段的选频衰减性能

以氮化铝、碳化硅为原料,氧化钇为烧结助剂,在1900℃、氮气气氛中,采用热压烧结工艺制备了AlN-SiC复相微波衰减材料。借助网络分析仪,研究了该材料在8~12GHz的微波衰减性能。结果表明,当SiC质量分数从0增加到9%时,该材料的谐振损耗峰所对应的频率从10.86GHz降低到10.11GHz,所对应的峰值从3.2dB降低到0.7dB,而该材料的有效衰减带增大;在900~1000℃、氢气(纯度≥99.99%)气氛中保温30~50min后,该材料的谐振频率维持在10.65~10.62GHz,谐振峰峰值略微减小;这表明在氢气气氛中的热处理对该材料的微波衰减性能影响较小。     

SiO2掺杂低温烧结PMMNS压电陶瓷的结构和性能

采用固相二步合成法制备SiO2掺杂Pb(Mg1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01Zr0.45Ti0.45O3(PMMNS)压电陶瓷,探讨了不同SiO2掺杂量对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明:在烧结温度为980℃时,可以得到纯钙钛矿结构PMMNS陶瓷。SiO2的加入,明显降低了PMMNS陶瓷的烧结温度。当SiO2的掺杂量为质量分数0.10%时,所得性能最佳:kp=0.51,d33=323pC/N,Qm=1475,tanδ=0.0038和εr=1762。     

SnO2对锂铌钛系微波介电陶瓷性能的影响

用SnO2作为掺杂剂对LiNb0.6Ti0.5–xSnxO3陶瓷进行改性,研究了SnO2添加量对LiNb0.6Ti0.5O3锂铌钛体系陶瓷的烧结性能,显微结构和微波介电性能的影响。结果表明:随着SnO2添加量的增加,陶瓷体密度和介电常数基本保持不变;而Q·f值随SnO2的加入有所提高,而后随SnO2含量继续增加而快速下降;在1100℃的烧结温度下,当x为0.01时,获得微波介电性能优良的微波陶瓷,其εr为67.8,τf为+4×10–6/℃,Q·f为6780GHz。     

BaCO3基低温共烧陶瓷基板工艺及性能分析

对用于封装的BaCO3基低温共烧陶瓷基板LTCC材料进行了研究,包括组分配制以及陶瓷制备工艺研究。对烧结后陶瓷的部分热性能以及力学性能进行了测试。结果表明:BaCO3基低温共烧陶瓷较为致密的密度在3.8～4.2g/cm3,在900℃烧结的陶瓷机械形变较小。     

可驱动10个50mA LED的48V降压模式LED驱动器

Linear Technology Corporation日前推出48V、降压模式DC／DC转换器LT3590，该器件用作恒定电流LED驱动器。内部55V、80mA开关和肖特基二极管使LT3590能够用48V输入驱动多达10个50mA串联成一串的LED。非常适用于工业和LED标志应用。LED串联连接实现了相同及高达50mA的LED电流，从而产生一致的亮度并去除了对镇流电阻的需求。调光通过CTRL引脚调节。可以实现高达200：1的调光比。其850kHz开关频率允许使用纤巧的电感器和陶瓷电容器，同时实现高达91％的效率。     

大体积多层陶瓷电容器的可靠性组装

在混合集成电路（HIC）组装工艺中，大体积多层陶瓷电容器的组装是一个难点问题。本文从失效分析入手，通过理论分析和工艺试验确定了大体积多层陶瓷电容器组装的工艺要求和控制措施，最后按按国军标的要求进行了工艺鉴定。     

二茂铁有机磁体/陶瓷的电磁特性研究及其在微带天线中的应用

制备了一类未见报道的二茂铁有机磁体/陶瓷(简称OPM/CM)缩波磁性材料,用相位延迟法测定了材料的缩波因子,研究了OPM/CM中组分含量与缩波因子的关系.结果表明:当OPM/CM缩波磁性材料中OPM含量约60%时,缩波因子达到最大值(5.5),与国内外介质基材比较,OPM/CM缩波磁性材料有良好的缩波功能及驻波比(VSWR).因此,可用最简单的结构设计,实现微带天线高增益、低频化、小型化和宽带化,在军工和高科技产品的小型化、轻量化和多功能化上起重要作用.     

N2气氛烧结Bi1-xGdxNbO4微波介质陶瓷性能研究

采用普通固相合成法制备了Bi1-xGdxNbO4微波介质陶瓷,研究了N2烧结气氛下,Gd部分取代BiN-bO4陶瓷中的Bi对其烧结性能及微波介电性能的影响。结果表明,不同Gd掺杂量的样品,相结构差别不大,均以低温斜方相为主晶相。随着Gd含量的增加,陶瓷样品的烧结温度升高,表观密度和相对介电常数均略有减小,品质因数与频率之积(Q×f)值也会发生变化。当x(Gd)=0.008时,900℃烧结的Bi0.992Gd0.008NbO4陶瓷样品具有较好的介电性能:介电常数rε=43.6(4.3 GHz),Q×f=14 288 GHz(4.3 GHz),谐振频率温度系数τf≈0。     

X波段大功率T/R组件

采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种X波段大功率T/R组件。在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大功率输出。在组件布局上,充分考虑腔体效应,合理安排各电路单元。在制作工艺方面,采用单元装配的方式,合理设置温度梯度。该组件在X波段9～10 GHz带宽范围内,接收支路噪声系数小于3.1 dB,接收增益为(25.7±0.2)dB,发射支路的功率增益大于30 dB,输出脉冲功率大于15W,移相均方根误差小于2°,衰减幅度均方根误差小于0.25 dB。     

不同铅气氛对PZMN陶瓷压电性能的影响

摘要：采用二次合成法制备了XPMN-(0．2-x)PZN-0．8PZT(x=0．05～0．20)四元系压电陶瓷(PZMN)，系统研究了铅气氛和非铅气氛条件对陶瓷显微组织，介电性能及压电性能的影响规律并探讨了铅气氛作用机制。实验表明在富铅气氛的作用下，PZMN体系具有较优的性能，尤其是x=0．10时，能获得综合优良的压电性能，相对介电常数ε^T33/εo=1000，介电损耗tanδ-0．0050，机电耦合系数Kp=0．52，品质因数Qm=2528，Tc=325℃，可以满足压电变压器等大功率器件应用方面的要求。