1-3型水泥基压电复合材料在冲击载荷下的电学响应

采用切割-浇注法制备1-3型水泥基压电复合材料,并利用分离式霍普金森压杆测量装置(SHPB),对PZT5压电陶瓷和1-3型水泥基压电复合材料在冲击载荷作用下的力电响应进行实验研究与分析。研究表明:在冲击载荷作用下,PZT5压电陶瓷和1-3型水泥基压电复合材料的电位移与应力具有较好的动态响应;在相同荷载作用下,两者的电位移随应变率的增加而增加,且产生相同应变所对应的应力值也随着应变率的增加而增加,表现出"率相关"的材料特征。     

烧结温度对Zn-Nb共掺Ba(Zr0.1Ti0.9)O3陶瓷微结构与介电性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备Y5V型Zn、Nb共掺杂Ba(Zr0.1Ti0.9)O3陶瓷,通过 XRD、SEM 等分析检测手段对样品进行表征。研究了烧结温度对陶瓷相组成、微观结构、介电性能及介电弛豫的影响。结果表明：样品为单一的四方相钙钛矿结构,随着烧结温度的增加,陶瓷晶粒尺寸与介电常数增大,弥散相变系数（γ）先增加后减小。当陶瓷的烧结温度为1 280 ℃时,陶瓷的平均晶粒尺寸约为3 ?m、密度（6.034 6 g/cm3）与γ（1.909 2）达到最大值,室温相对介电常数（εr）和介电损耗（tanδ）分别为14 849和0.37%。     

叠层片式ZnO压敏电阻器研究进展

叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散问题,并提出了其解决的办法,同时指出了叠层片式ZnO压敏电阻器向低压化、小型化、集成化及低成本化方向发展的趋势。     

CuO掺杂对BaZn_2Ti_4O_(11)陶瓷微波介电性能的影响

采用固相反应法制备了CuO掺杂的BaZn2Ti4O11陶瓷,研究了所制陶瓷的物相、微观结构和微波介电性能。结果表明,CuO既可以在晶界处形成低共熔体,导致液相烧结,降低烧结温度40℃,又可使部分Cu2+进入晶格取代了部分Zn2+,增加Q.f值。掺杂质量分数0.5%的CuO在1 160℃烧结2 h所制得BaZn2Ti4O11陶瓷的微波介电性能较佳:相对介电常数εr=29.4,Q.f=50 500 GHz,频率温度系数τf=–35.6×10–6/℃。     

X波段大功率T/R组件

采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种X波段大功率T/R组件。在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大功率输出。在组件布局上,充分考虑腔体效应,合理安排各电路单元。在制作工艺方面,采用单元装配的方式,合理设置温度梯度。该组件在X波段9～10 GHz带宽范围内,接收支路噪声系数小于3.1 dB,接收增益为(25.7±0.2)dB,发射支路的功率增益大于30 dB,输出脉冲功率大于15W,移相均方根误差小于2°,衰减幅度均方根误差小于0.25 dB。     

基于UWB应用的LTCC带通滤波器(英文)

以具有两传输零点二阶滤波器为原型。利用Π-T网络等效变换减小所需电感值,T型电感网络利用低温共烧陶瓷工艺很容易一层实现,并占据较小面积。同时,电感网络的变换简化了滤波器结构。引入T型开路线改善上边带截止特性,T型开路线几乎不影响通带特性。所设计滤波器中心频率7.65 GHz,具有1 GHz带宽,尺寸为4mm×3 mm×0.6 mm。将滤波器表贴于PCB测试,微带线、SMA、滤波器总的插入损耗小于1.8 dB。     

表面层型半导体陶瓷电容器

对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。     

高密度硬磁盘用压电复合磁头悬浮臂

针对硬磁盘驱动器中磁头定位两级伺服控制系统,利用宽度弯曲振动模式,设计并制备了分割电极型压电复合磁合悬浮臂。研究了复合磁头悬浮臂的动态位移特性,动态频响特性,以及它对读出信号脉冲幅值的影响。结果表明：２０Ｖ正弦电压激励下可 动态位移幅值约为１μｍ;其固有庇振频率达６．３ｋＨｚ,满足高密度硬磁盘对两级伺服控制系统的基本要求。     

氧化锌太敏电阻器的性能及应用

本论述了氧化锌压敏电阻器的性能、应用及发展,提出了氧化镜压敏电阻器选用原则,简述了表面安装型氧化锌压敏电阻器的优点和发展趋势。     

SnO2-MgO-Nb2O5压敏材料系电学性质研究

对一种新的压敏材料ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５陶瓷进行了初步的研究。实验结果表明,本系列材料具有优异的介电性能,室温介电常数为１４０￣６００,也具有较好的压敏性,其非线性系数最大值达到６．３。