全文获取类型
收费全文 | 1695篇 |
免费 | 724篇 |
国内免费 | 261篇 |
专业分类
化学 | 135篇 |
晶体学 | 441篇 |
力学 | 97篇 |
综合类 | 12篇 |
数学 | 31篇 |
物理学 | 909篇 |
无线电 | 1055篇 |
出版年
2024年 | 10篇 |
2023年 | 51篇 |
2022年 | 62篇 |
2021年 | 56篇 |
2020年 | 52篇 |
2019年 | 50篇 |
2018年 | 48篇 |
2017年 | 44篇 |
2016年 | 71篇 |
2015年 | 115篇 |
2014年 | 109篇 |
2013年 | 88篇 |
2012年 | 97篇 |
2011年 | 80篇 |
2010年 | 96篇 |
2009年 | 106篇 |
2008年 | 114篇 |
2007年 | 121篇 |
2006年 | 103篇 |
2005年 | 78篇 |
2004年 | 92篇 |
2003年 | 101篇 |
2002年 | 72篇 |
2001年 | 59篇 |
2000年 | 75篇 |
1999年 | 76篇 |
1998年 | 74篇 |
1997年 | 100篇 |
1996年 | 81篇 |
1995年 | 70篇 |
1994年 | 71篇 |
1993年 | 59篇 |
1992年 | 68篇 |
1991年 | 38篇 |
1990年 | 56篇 |
1989年 | 25篇 |
1988年 | 6篇 |
1987年 | 3篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有2680条查询结果,搜索用时 15 毫秒
471.
利用金刚石氮空位色心体系耦合于一个双边的光子晶体腔(该光子晶体腔与两个波导耦合)来制备Bell态、GHZ态和团簇态。当光子被探测和进行幺正操作后,就得到纠缠态。同时计算了该体系的保真度,发现在近似参数条件下,该模型可得到较好结果。 相似文献
472.
Synthesis of Thick Diamond Films by Direct Current Hot—Cathode Plasma Chemical Vapour Deposition 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
《中国物理快报》2002,19(9):1374-1376
473.
在SiNx薄膜中引入微金字塔结构,综合利用包含界面的薄膜光学微结构的折射、衍射与干涉现象,实现透反射的调控.通过单点金刚石切削与纳米压印、等离子体各向异性刻蚀技术相结合,将大面积、高效率、低成本的微结构制备方法推广至光学薄膜中,实现了多种尺寸的金字塔薄膜微结构的制备,结构单元尺寸可以在1.5~10μm之间进行调控.光谱特性检测结果表明,SiNx薄膜微金字塔结构阵列在近红外至长波红外波段,表现出超宽波段的减反射特性;在0.8~2.5μm的近红外波段,反射率低于1.0%;在3~5μm的中红外波段,反射率小于2.5%;在10~12μm长波红外波段,平均反射率低于5%;与传统的四分之一波长抗反射膜系相比,SiNx薄膜微金字塔结构阵列的减反射效果的实现,无需膜系设计时的折射率匹配,简化了膜系结构.研究发现SiNx薄膜微金字塔结构阵列的近红外透射诱导增强特性,高度为2~4μm的SiNx薄膜微金字塔结构阵列,均在2.1μm波长处出现明显的透射诱导增强效应,且高为4μm,底宽为8μm的微金字塔结构阵列的透射增强作用最为明显,透射率达到了96%以上.实验检测与仿真分析证明,透射增强的位置和强度由微结构的形貌尺寸及其结构比例关系决定. 相似文献
474.
利用甲醇-氢(CH3OH-H2)混合气体为气源,30nm厚的无定形硅为过渡层,借助于微波等离子体化学气相沉积(MWCVD)成功地将金刚石薄膜生长在不锈钢上,其最低生长温度可至420℃,并且甲醇-氢混合气体比传统的甲烷-氢(CH4-H2)更具优势,测试表明这种金刚石薄膜有希望作为耐磨层在工业上应用 相似文献
475.
476.
用非平衡热力学耦合模型研究了金刚石在CHCl体系中的生长,计算所得CHCl体系的金刚石生长的相图与大量实验结果符合良好.通过热力学分析讨论了氯的添加对提高金刚石薄膜生长速率及其质量的影响以及降低淀积温度的作用. 相似文献
477.
478.
采用发射光谱法(OES)诊断了微波等离子体化学气 相沉积(MP-CVD)制备金刚石膜过程中CH4浓度对 CH4/H2等离子 体中基团分布的影响,并利用拉曼光谱对不同CH4浓度下沉积的金刚石膜生长面进行表 征。研究表明:CH4/H2等离子体中存在Hα、Hβ、Hγ、CH、C2基团,且各基团谱线强度随CH4浓度 的增加而增强,其中C2基团的光 谱强度显著增强;CH4/H2等离子体电子温度随CH4浓度的增加而上升;光谱空间诊 断发 现等离子体球中基团 沿径向分布不均匀,随CH4浓度增加,C2和CH基团分布的均匀性显著变差;沉积速率 测试表明,单纯增加CH4浓度不能有效提高金刚石膜的沉积速率;Raman光谱测试结果 表 明,低CH4浓度(0.8%)下沉积出的金刚石膜质量更理想。 相似文献
479.
480.
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。 相似文献