BDS/GPS精密单点定位性能分析

北斗特殊的卫星星座布局导致不同地域用户的卫星观测结构存在差异,基于XMIS、POHN和MAYG站的数据讨论了北斗星座结构对精密单点定位(PPP)技术定位性能的影响,分析了BDS观测数据对BDS/GPS联合PPP定位的改善。分析表明,北斗卫星几何结构和卫星频繁升降是导致北斗动态PPP定位精度差的重要原因,因此,对于北斗系统地面观测条件较差的用户站而言,无法基于单北斗动态PPP实现高精度定位,但是可将北斗系统作为有效补充,采用BDS/GPS联合PPP动态定位方式进行高精度定位,虽然该方式对定位精度改善不明显,但是可有效改善收敛速度(约为20%~45%)。     

OTN保护倒换机制的技术研究与实现

文中通过分析OTN的SNCP三种保护技术,以及单点线性保护和双点双环网保护两种主要保护方式,结合OTN汇聚层网络建设,研究出适合OTN网络下沉汇聚层后的保护倒换机制。通过搭建一个单点线性保护模型和一个双点双环网保护模型,在设备上进行多点的故障模拟,得到实验测试相关数据,使用算法计算保护倒换时延,论证双点双环网保护和SNC/N技术相结合的保护方式是最适合OTN网络下沉汇聚层后的级联网络,可以有效地提供网络的安全和可靠性。     

基于改进的SAML单点登录系统设计与实现

单点登录(Single Sign-on,简称SSO)是一种用户只需登录一次就能够访问所有互相信任的系统。针对传统的单点登陆流程复杂、缺乏灵活性以及效率低的不足之处,提出了一种在SAML的基础上的单点登录的改进型模型,这个模型基本解决了用户跨域访问单点登录问题,具有很好的安全性和普适性。依据改进后基于SAML单点登录的模型,设计了符合SAML2.0规范的单点登录系统,系统采用模块化的思想,给出并实现了一个基于上述改进模型的单点登录系统。最后通过系统实例表明,该系统减少了验证用户声明的通信,提高了工作效率和系统的安全性,在电子商务、电子政务等多应用系统中具有非常好的应用前景。     

高压熔渗生长法制备金刚石聚晶中碳的转化机制研究

在6 GPa和1500 ℃的压力和温度范围内, 利用高压熔渗生长法制备了纯金刚石聚晶, 深入研究了高温高压下金刚石聚晶生长过程中碳的转化机制. 利用光学显微镜、X-射线衍射、场发射扫描电子显微镜检测, 发现在熔渗过程中金刚石层出现了石墨化现象, 在烧结过程中金刚石颗粒表面形貌发生了变化. 根据实验现象分析, 在制备过程中存在三种碳的转化机制: 1)金属熔渗阶段金刚石颗粒表面石墨化产生石墨; 2)产生的石墨在烧结阶段很快转变为填充空隙的金刚石碳; 3)金刚石直接溶解在金属溶液中, 以金刚石形式在颗粒间析出, 填充空隙. 本文研究碳的转化机制为在高温高压金属溶剂法合成金刚石的条件下(6 GPa和1500 ℃的压力和温度范围内)工业批量化制备无添加剂、无空隙的纯金刚石聚晶提供了重要的理论指导.     

场板结终端对金刚石SBD内部电场分布及击穿特性的影响

建立了场板结终端对金刚石肖特基势垒二极管(SBD)的数值模拟模型,采用Silvaco软件中的器件仿真工具ATLAS模拟了场板长度L、绝缘层厚度TOX、衬底掺杂浓度NB、场板结构形状对器件内部电场分布以及击穿电压的影响,并对结果进行了物理分析和解释。结果表明:当TOX=0.4μm、NB=1015cm-3、L在0~0.2μm范围内时,击穿电压随着L的增加而增加;L0.2μm后,击穿电压开始下降。当L=0.2μm、NB=1015cm-3、TOX在0.1~0.4μm范围内时,击穿电压随着TOX的增加而增加;TOX0.4μm后,击穿电压开始下降。当L=0.2μm、TOX=0.4μm、NB=1015cm-3时,器件的击穿电压达到最大的1 873 k V。与普通场板结构相比,采用台阶场板可以更加有效地提高器件的击穿电压。     

BGA基板切割过程中唇缘效应的产生及改进措施

采用两种不同结合剂硬度的金刚石刀片切割同一种BGA基板,通过对刀片刃口形貌的变化以及切割断面的分析,探讨了唇缘效应产生的原因.结果表明,在金刚石浓度、粒度及切割工艺等条件相同的情况下,刀片结合剂硬度是造成唇缘效应的最主要因素,并提出了避免唇缘效应产生的改进措施.     

金刚石粉末淀积层的场发射特性研究

采用电镀方法和直接刷涂的方法在钨针衬底和硅衬底上沉积高压合成的金刚石粉末形成冷阴极。将这种冷阴极与荧光阳极组成真空二极管结构。通过该结构电流-电压特性的测量和发光特性的观察研究了金刚石粉末冷阴极的电子场发射性能。实验显示,这些冷阴极都具有很高的电子发射能力,最低开启场强达到3．25V／μm。用热电正反馈和电导调制效应解释厂电子场发射点呈随机分布的现象。     

添加氧影响下低压金刚石生长的条件

采用非平衡热力学耦合模型研究金刚石在CO-H₂、CO-O₂-H₂体系中的生长情况,计算不同氧含量下的金刚石生长相图,固定氧氢比考察压力变化对金刚石生长区的影响,讨论了不同氧氢含量对金刚石生长区的影响。与经典的平衡热力学理论计算所得的相图不同,本文的相图均有金刚石生长区,可以很好地解释低压下金刚石在气相中的生长,还可以用于指导低压金刚石生长的实验研究。     

静压触媒法人造金刚石晶体表面微形貌研究

通过对六面顶压机和两面顶压机生产的静压触媒法人造金刚石晶体表面微形貌图案的研究,发现了人造金刚石晶体表面的胞状图案和枝蔓状+胞状+层状的组合图案.对这些形貌研究表明,这类人造金刚石晶体是在远离平衡的条件下快速长成的.     

金刚石(111)氢化表面脱氢势垒的量子化学研究

采用MNDO(UHF)方法,计算金刚石(111)面的脱氢势垒。在与气相有机分子脱氢活化能实验值系统比较的基础上,在一组尺度不同的金刚石表面团簇模型上进行了计算,结果收敛于42±4kJ/mol.并与MNDO(RHF)和AM1(UHF、RHF)方法给出的相应结果进行了比较。