高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料

对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表明IP-SI InP衬底具有很好的电学性质和均匀性,而PP-SI的均匀性和电学参数都很差.在IP-SI样品的PL谱中出现与深缺陷有关的荧光峰.光激电流谱的测量结果表明:在IP气氛下退火获得的半绝缘磷化铟中的缺陷明显比PP-SI磷化铟的要少.并对退火后磷化铟中形成缺陷的机理进行了探讨.     

半锥光隙黑体腔

本文持黑体光壁腔观点,用几何光学方法模拟黑体,得一半锥光隙黑体腔。推导了黑体腔的设计公式,并给出一实用腔体的设计参数。     

关于形式三角矩阵环

本文研究形式三角矩阵环 R 的若干新性质,讨论 R-模的伪投射性,给出了形式三角矩阵环 R 是 V-环或半 V-环的充要条件．同时,给出了 R 是 PS-环的条件．     

赛普拉斯售出500万片高速USB控制器

赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor）目前宣布，其新型低功耗、低成本、高速USB控制器系列的销量已超过500万片。     

利用光纤传感器对直流系统绝缘的监测

介绍一种利用光纤传感器对直流系统绝缘进行监测的装置，可在直流系统发生故障时自动监测故障回路并计算出到故障点的距离，具有方便、灵敏高度的特点。     

半空间几何中含参数的抽象动力方程边值问题

本文在一般Banach空间中取值的向量值函数组成的Lebesgue空间中，用算子半群方法，研究了半空间几何中含参数的抽象动力方程边值问题的解．     

带奇异项的半线性抛物方程全局解的渐近分析

本文考虑一类带奇异项的半线性抛物方程的初边值问题，利用标准的正则摄动方法和抛物方程的极值原理，对任意给定的正整数Ｎ、得到上述问题的全局古典解的Ｎ＋１阶一致近似计算公式。