基于多岛遗传算法的半潜式平台主尺度优化研究

为优化某深水半潜式支持平台的主尺度,采用拉丁超立方设计对样本空间采样,在SESAM 软件中进行参数化建模,根据现有母平台资料确定主尺度约束条件,基于多岛遗传算法分别对平台的垂荡、纵摇、横摇响应进行优化分析,选出稳性最高、排水量适宜的平台主尺度方案。结果表明,该算法能得到满足约束条件下各响应最小的主尺度方案,对平台主尺度初步方案的确定有很高的参考价值。     

SVM算法在硬件木马旁路分析检测中的应用

集成电路(ICs)面临着硬件木马(HTs)造成的严峻威胁。传统的旁路检测手段中黄金模型不易获得,且隐秘的木马可以利用固硬件联合操作将恶意行为隐藏在常规的芯片运行中,更难以检测。针对这种情况,该文提出利用机器学习支持向量机(SVM)算法从系统操作层次对旁路分析检测方法进行改进。使用现场可编程门阵列(FPGA)验证的实验结果表明,存在黄金模型时,有监督SVM可得到86.8%的训练及测试综合的平均检测准确率,进一步采用分组和归一化去离群点方法可将检测率提升4%。若黄金模型无法获得,则可使用半监督SVM方法进行检测,平均检测率为52.9%～79.5%。与现有同类方法相比,验证了SVM算法在指令级木马检测中的有效性,明确了分类学习条件与检测性能的关系。

     

采用半解析蒙特卡洛技术模拟星载海洋激光雷达回波信号的软件

采用半解析蒙特卡洛方法,开发了一套星载海洋激光雷达回波信号的仿真系统。通过输入激光雷达系统参数和仿真的环境参数,该系统能够模拟具有不同光学特性的大气和海洋的激光雷达回波信号。同时该仿真系统设计了用户友好的软件界面方便用户对输入参数进行操作,并直观地看到输出结果。利用该系统进行了多种仿真,例如不同类型水体以及不同散射相函数的情况,并将仿真结果与理论的激光雷达信号做了对比,具有较高的一致性。该系统对星载海洋激光雷达探测机理的研究有一定的指导意义。     

压接型IGBT器件单芯片子模组功率循环试验仿真

压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件因具有双面散热、短路失效和易于串联等优点,正逐步应用到柔性直流输电等领域.但其在工作过程中的热学、力学特性与传统焊接式IGBT模块相比有很大差异,故存在不同的长期可靠性问题.基于有限元法建立了压接型IGBT器件单芯片子模组多物理场耦合仿真模型,研究了三种功率循环仿真条件下器件的热学和力学特性,并且在功率循环过程中利用金属弹塑性模型来模拟材料的瞬态特性.仿真结果表明,IGBT芯片发射极表面与发射极钼片相接触的边缘是应力集中区域,芯片发射极表面栅极缺口和四周边角处有明显的塑性变形.同时,将仿真结果与实际失效的IGBT芯片进行了对比,进一步验证了仿真模型的有效性和适用性.     

一种基于模糊近邻标签传递的半监督分类算法

提出了样本分布无关,模型简单,单控制参数的模糊近邻标签传递算法.该算法依据样本与其k个近邻的模糊相似性连接,使类别标签从标签数据向未标签数据传递,实现未标签数据的分类.最后,通过人工合成数据和UCI数据集中数据的分类实验验证了该算法的简单有效性.     

光伏发电系统直流侧绝缘阻抗检测的研究

介绍光伏发电系统及其检测电路,推导计算直流侧的绝缘阻抗,同时针对影响检测精度的几个关键问题进行详细分析和实验验证。结果表明,该检测电路及其方法能够准确检测发电系统直流侧对地绝缘阻值的大小,具有较高的工程应用价值。     

集成宽带折叠半模基片集成波导带通滤波器

 本文提出并设计了一种新型的折叠半模基片集成波导（Folded Half-Mode Substrate Integrated Waveguide: FHMSIW）宽带带通滤波器,并给出了FHMSIW上层金属层槽缝式和中间金属层槽缝式宽带滤波器的仿真和测试结果。相对于半模基片集成波导（Half-Mode Substrate Integrated Waveguide: HMSIW）槽缝式滤波器,由双层PCB制作的FHMSIW槽缝式滤波器的尺寸减小了约一半。同时测试结果和仿真结果表明该宽带滤波器具有损耗小、带外抑制好等特性。     

一种新颖的用于图像内容认证、定位和恢复的半脆弱数字水印算法研究

 本文提出了一种半脆弱,分块和基于内容的数字水印技术。该算法可以准确的实现篡改区域的认证,定位和恢复。算法基于独立分块技术将用于认证的水印比特嵌入到每个块的Slant变换域的中频区域。嵌入过程是基于我们通过实验发现大部分的Slant中频系数的正负符号在非恶意操作前后保持不变这一性质。在恢复系统中,恢复比特来源于原图压缩后的数据并将此数据嵌入到图像的最低有效位以实现自恢复。认证度由虚警检测率和误警检查率测定。仿真实验表明我们的算法能够准确的检测和定位出篡改区域并能实现篡改区域的近似恢复。另外,与基于DCT和PST变换的算法相比,我们的算法能够更有效的抵抗一些恶意和非恶意操作同时实施的操作。     

低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术

为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。