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941.
以Al2O3、Y2O3(质量比为2:3)为烧结助剂,在氮气氛或氩气氛中、1900~1970℃、30 MPa下热压制备SiC陶瓷.根据Archimedes原理测量烧结体的体积密度和显气孔率;采用XRD、SEM(EDS)及瞬态热导率测试仪分别对材料的物相、显微结构和热导率进行表征.研究了烧结温度、烧结气氛和烧结助剂含量对材料烧结性能和热导率的影响.结果表明,当烧结助剂质量分数为10%,获得SiC致密体(气孔率<0.30%),热导率高达182.50 W/(m·K);随着烧结助剂的质量分数降至6%,材料的致密度和热导率皆明显下降;在氩气氛中SiC与Al2O3、Y2O3具有更好的润湿性. 相似文献
942.
碳化硅是新兴的第三代半导体材料。用固定磨料金刚线切割机对其进行切割加工,分析了加工过程的各项参数对晶片表面粗糙度的影响,为优化碳化硅金刚线切割过程提出依据。 相似文献
943.
高慧莹 《电子工业专用设备》2011,40(7):1-6
从材料特性出发,分析了氮化镓基LED用衬底材料的性能需求,主要分析了蓝宝石和碳化硅衬底在LED制作中的应用,并描述了当前的发展状态以及未来的发展趋势。 相似文献
944.
在Si衬底上磁控溅射制备AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,在其上真空蒸发Ni/Au叉指电极获得金属-半导体-金属(MSM)结构光电探测器.采用UV-Vis-Nir分光光度计测量AZO系列薄膜的光吸收特性,观察到AZO 合金薄膜的光学吸收带边随Al含量增加明显蓝移.测试AZO探测器的电流电压特性、时间特性和响应光谱发... 相似文献
945.
基于X射线脉冲星导航(XPNAV)系统的工作原理,设计并实现了一种基于激光量子探测的XPNAV地面仿真系统.通过分析X射线脉冲星信号,建立了信号的调制模型,提出了脉冲星信号轮廓累积Renyi熵方法,模拟产生了X射线脉冲星信号.实验表明,构建的XPNAV半物理仿真系统简单实用,可以实现XPNAV的实验验证,其产生的模拟信... 相似文献
946.
947.
研究了以泡沫镍载NiCo2O4纳米线阵列为阴极催化剂的Al-H2O2半燃料电池的性能. 以无模板生长法制备了泡沫镍载NiCo2O4纳米线阵列阴极材料, SEM测定结果表明, NiCo2O4纳米线几乎垂直于泡沫镍载体表面生长. 以电压和功率密度-电流密度曲线研究了H2O2浓度、电解液流速和温度对电池性能的影响, 结果显示, 以铝片为阳极, 0.6 mol/L H2O2为氧化剂的电池的开路电压约为1.40 V; 在室温和57 ℃下, 电流密度为98和172 mA/cm2时, 最大功率密度分别达到79和120 mW/cm2. 在5000 s的测试时间内, 0.70 V的恒电流密度和75 mA/cm2 的恒电压值几乎为一常数, 这表明以泡沫镍载NiCo2O4纳米线阵列为催化剂电还原H2O2具有很好的活性、稳定性和传质性能. 相似文献
948.
采用半经典动力学方法模拟了π堆积的胸腺嘧啶体系最低激发态的光物理失活过程.设置激光脉冲仅作用于一个胸腺嘧啶分子T,另一胸腺嘧啶分子T’保持基态.模拟发现由于T与T’之间存在π堆积相互作用,导致电荷转移,形成T带负电荷、T’带正电符的激基复合物.由于相邻分子的空间效应阻碍了激发的T分子到达圆锥相交所必需的强烈扭曲,激基复合物的寿命比单体增长.当分子间距离缩短至0.3 nm后,T分子C5—C6键扭曲程度最大,此时发生电荷重组,两个胸腺嘧啶分子均恢复电中性.电荷重组诱导T’分子发生畸变,并在C5’—C6’扭曲最大时避免相交,体系衰减至基态,T和T’分子均恢复平面构型. 相似文献
949.
本文研究了半线性抛物方程所生成的半群{S(t)}t≥0的吸引子的存在性.利用文献[1]中证明吸引子正则性的思想,分别得到半群{S(t)}t≥0在L2p(Ω)空间中具有一个有界吸收集和一个全局吸引子. 相似文献
950.
本文主要研究了一类连续半鞅的极大不等式.利用伊藤公式和Lenglart控制定理,得到了它们的极大不等式,推广了文献[9]的主要结果. 相似文献