用Fourier方法解半线性抛物型方程双移动边界问题

文[1]就金属板烧蚀中提出的问题,给出了热导方程单个移动边界问题的Fourier型级数求解法。文[2]研究了热导方程双移动边界问题。还有些人研究了抛物型方程移动边界问题情况。但是迄今这一类问题的研究工作集中于线性的情况,对非线性的情况讨论甚少,其它移动边界问题也是如此(参见[3]、[4])。本文是在[1]、[2]的基础上,讨论如下的一类半线性抛物型方程双移动边界的定解问题:     

固定设计下一类半参数回归模型的渐近性质

对固定设计下的一类半参数回归模型yi=xiβ+g(xi)+ei,i=1,2,…,n,综合最小二乘和非参数权函数估计方法,定义了,βg的估计量β∧n,gn∧及误差方差σ2的估计量σ2n∧.在适当条件下,证明它们具有强相合性和p(2)阶平均相合性.模拟的结果表明所得结果具有优良的性质.     

一类没有单调性假设的渐近线性波方程的多解

本文借助文[1]除去零空间的技巧,利用L—S度数理论讨论了一类浙近线性波方程。在对非线性项不做单调性假设的前提下,给出了一个新的多解定理。     

碳化硅混合PiN/Schottky二极管的二维模拟

利用模拟软件MEDICI对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟.输运机理的模拟结果表明MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用,而反向时PN结使漏电流大大减小.伏安特性的模拟结果表明MPS的正向压降小,电流密度大,在2V正向偏压下达10-5A/μm,反向漏电流小,击穿电压高(2000V左右),可以通过改变肖特基和PN结的面积比来调整MPS的性能,与硅MPS、碳化硅PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势,是理想的功率整流器.     

平行电磁场中H-光剥离电子轨道分岔现象的研究

当改变能量、位置或场强等参数时,电磁场中里德堡态的原子、分子和离子等体系将出现分岔现象,从而导致波函数在分岔点附近发散,半经典闭合轨道理论不再适用.本文分析并计算了平行电磁场中的H-光剥离电子轨道的分岔现象,并采用统一近似的方法进行定域修正,从而消除了分岔点的奇异性,得到了合理的光剥离电子流的分布.     

半拓扑子集的一些性质

本文引入半边界,并且进一步研究了半拓扑子集的一些性质,例如十集定理(定理2.6).另外也讨论了子空间,乘积空间和商空间中的半开集.     

响应变量随机缺失下的半参变系数模型的均值估计

在响应变量随机缺失时,研究了半参数变系数模型响应变量均值的借补估计.首先利用完整个体估计模型中的参数与非参数部分,然后再用借补方法与加权借补方法估计响应变量的均值.最后求出了估计的渐近偏差与渐近方差,研究了所得到的估计的渐近性质,并进行模拟比较.     

可解群的若干充分条件

A subgroup if of a group G is called semipermutable if it is permutable with every subgroup K of G with (|H|, |K|) - 1, and s-semipermutable if it is permutable with every Sylow p-subgroup of G with (p, |H|) = 1. In this paper, some sufficient conditions for a group to be solvable are obtained in terms of s-semipermutability.