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41.
Nanoporous Structure in Low-Dielectric Films with Positronium Annihilation Lifetime Spectroscopy
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We investigate nano-porous structures in thin low-dielectric films, i.e. the pore sizes, distributions, and interconnectivity, by using depth profiled positronium annihilation lifetime spectroscopy (PALS). It is found that PALS has good sensitivity to probe both interconnected and closed pores in the range from 0.3nm to 3Onto, even in the film buried beneath a diffusion barrier. A series of low dielectric constant films of organosilicon-silsequioxane with different weight percentages of porogen have been comparatively investigated. The PALS technique can be used to distinguish the open porosity from the closed one, to determine the pore size, and to detect the percolation threshold with the increasing porosity that represents the transition from closed pores to interconnected pores.Furthermore, the pore percolation length can be derived. 相似文献
42.
43.
通过紫外-可见吸收光谱、压力-面积等温线、二次谐波的测量,研究了不同活性分子混合聚集体的形成对LB膜光学性质的影响。分子极性基团间的相互作用,使激发态能量及平均偶极矩发生变化,导致LB膜的光学非线性明显地增强或减弱。 相似文献
44.
A Fixed Point Theorem for Multi-valued Composite Increasing OperatorsLiFengyou(李凤友)(DepartmentofMathematics,Tianjin'NormalUni... 相似文献
45.
1978年,D,Quillen证明了:若群G有非平凡的正规p-子群,则由p-子群组成的半序集是可缩的。同时,他还猜想逆定理也成立。1993年,M.Aschbacher和S.D.Smith证明了若群G不包含某种酉分支的话,则Quillen猜想的确成立,在他们的证明中,Quillen所证明的下述定理起着很重要的作用:由基本阿贝耳P-子群组成的半序集到所有P-子群组成的半序集的包含映射导出对应下同调的同构。以Buchsbaum条件为重要的工具,本文将重新叙述此定理的证明。 相似文献
46.
一类阿基米德半群的构造及其同余格 总被引:4,自引:0,他引:4
本文引入同底的π-左、右零半群的夹群积并用来刻划带本原幂等元的阿基米德半群的构造.文中讨论了有限阶阿基米德半群的同余格,并证明了当有限阶阿基米德半群的正则R,L类的个数不超过5时,它的同余格是半模格. 相似文献
47.
导热性半固化片对制造导热性电路板,近来变得通用了。实际上,印制电路板是用部分固化的(B-阶段)环氧树脂片或膜,即众所周知的半固化片加工的。半固化片在许多环氧,聚酰亚胺、氰酸脂和PTFE/玻璃纤维组成中是通用的,是为满足工业对高温稳定性、低介电常数和低热膨胀的要求而设计的。 然而,直到现在才能够提供导热的半固化片,同时对制造的PCB保持必要的电气绝缘。现在有效应用的导热的和电气绝缘的半固化片比标准FR-4半固化大10倍以上的导热率和1.5倍以上的介电强度。这些双重性质使之作为电路板组成部分之金属散热器的实际应用 相似文献
48.
本文引入了转移下半连续的概念并在转移下半连续的条件下推了KyFan极大极小原理。应用这一结果,证明了截口定理,不动点定理和函数不等式组解的存在性定理。 相似文献
49.
高智民 《纯粹数学与应用数学》1994,10(2):1-5
本文证明了:若X是K-半分层空间,f是闭映射,则f(X)是K-半分层空间,这一结果推广改进了Lutzer与高国士的有关结果。 相似文献
50.
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动与保护 总被引:4,自引:0,他引:4
在介绍IGBT结构原理及特点的基础上,讨论了设计IGBT驱动电路应考虑的问题和IGBT的过压和过流保护技术。在大功率高压开关电源中的应用证明,所设计的驱动保护电路性能良好。 相似文献