扭曲类液晶盒衰减全反射谱和半漏反射谱的特点

研究了导波用于扭曲类液晶盒指向矢测定的敏感性问题。具体讨论了两种几何的反射谱即衰减全反射谱和半漏导波反射谱及扭曲角和预倾角的变化对反射谱的影响。     

波导缝隙外部半空间场矩阵元素的计算方法

本文证明了用Galerkin法对波导缝隙特性分析时,Fourier变换法导出的缝隙外部半空间场的矩阵元素公式与一般积分法导出的公式是等同的.同时把这两种方法中含有二重积分的公式简化为一重积分形式.并描述了利用简化公式的优点.     

半无限规划与方向导数

本文对半无限凸规划提出一个用方向导数表述的对偶问题，其对偶间隙为零．     

5-桥图F(2,a,a,b,c)的色等价刻画

设P(G，λ)是图G关于变量λ的色多项式，P(G，λ)=P(H，λ)，称G和H色等价，由连接两个顶点的S条内部不交的路组成的图叫S-桥图。本讨论了5-桥图F(2,a,a,b,c)(c≥b≥a 1，a≥2)的色性，完整刻画了这类图的色等价图。     

T投射模与G半单环

本文研究 T 投射模与 T 投射覆盖,刻划了 G 半单环类,并推广了一般投射覆盖的一些结论.     

半空间上的扩散过程及其相联的Dirichlet形式

本文将一类与 Dirichlet 形式相联系的扩散过程刻划为一个随机微分方程的唯一解.     

SOI新结构——SOI研究的新方向

SOI（silicon-on-insulator：绝缘体上单晶硅薄膜）技术已取得了突破性的进展，但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层，以硅作为顶层的半导体材料，这样导致了一些不利的影响，限制了其应用范围。为解决这些问题和满足一些特殊器件／电路的要求，探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。如SOIM，GPSOI，GeSiOI，SionAlN，SiCOI，GeSiOI，SSOI等。文章将结合作者的部分工作，报道SOI新结构研究的新动向及其应用。     

一种改进的6.25kbit／sGSM半速率语音编码方案

在采用ＣＥＬＰ作为ＧＳＭ半速率编码方案的基础上，对ＣＥＬＰ的三个主要组成部分分别进行了改进，在ＬＳＰ在参数分析中提出了将求解和量化相结合的快速算法；在ＬＴＰ分析的分数延迟搜索中，采用逐步缩小搜索范围的方法；在随机码本搜索中，采用高斯重叠稀疏码本。这些措施大大降低了计算量，从而在保证合成语音质量的基础上能够采用单片ＤＳＰ实时实现整个ＣＥＬＰ编译码器。     

自激型推挽式直流变换器的“连通”现象

由于自激型推挽式直流变换器的“连通”现象有可能妨碍变换器的正常工作，因此在设计时应尽力消除，文中对自激型挽式直流变换器的“连通”现象进行了分析，给出了消除“连通”现象的多种电路和实现方法。