基于MOSFET PDE模型的射频电路仿真算法研究

研究了基于 MOSFET偏微分方程 (PDE)模型的电路仿真算法 ,并提出一种求解 PDE的快速算法。当MOSFET PDE模型用于射频 (RF)电路仿真时 ,系统方程为一个耦合系统 ,包括偏微分方程 (PDE)、常微分方程(ODE)和代数方程 (AE)。采用一套迭代算法来求解该耦合系统。将上述的模型和算法用于一个压控振荡器(VCO)的瞬态特性仿真 ,模拟结果与理论分析相符。     

2005中国手机元器件市场一枝独秀

据市场调研公司iSuppli报告显示，全球手机市场连续两年呈现两位数高增长的景观将告一段落，预计2005年全球手机市场仅有5％的增幅，这不仅影响全球半导体市场，还连带挤压全球手机显示面板市场的成长空间。但中国却成为名副其实的全球手机生产和销售第一大国。     

高功率半导体激光在38例颅脑外科手术中的应用

目的为了减少脑组织的损伤,更有效的切除肿瘤,发展微侵袭神经外科.也是神经显微外科手术成功的关键。方法应用高功率半导体激光器(805nm,30W)在38例颅内肿瘤和脊髓肿瘤患者中,成功地进行了激光手术治疗(气化或切割)。结果术后效果良好。还充分显示了805nm半导体激光在应用于显微镜下各类手术的入路,可非常有效地减少对肿瘤的牵拉。保证了神经显微外科手术的成功。     

Improved Non-uniformity Correction Method for Uncooled Microbolometer

The uncooled microbolometer has a severe temperature requirement for non-uniformity correction. An improved two-point non-uniformity correction method is proposed, which can operate in wider uniform substrate temperatures. This method can control the bias voltage of MOS transistors by memory and DAC to meet two restrictions about responsivity and offset before traditional two-point calibration is implemented. The simulation results seem that this non-uniformity correction can work at uniform substrate temperature with fluctuant range of 4K.     

外腔激光器实现波长转换的高频调制特性分析

作为自动交换全光网络中的核心器件,全光波长转换器的研究是目前的热点问题。本文基于半导体激光器实现波长转换的理论模型,采用小信号分析方法,利用速率方程求解了基于光纤光栅外腔半导体激光器实现波长转换的频率调制响应特性,并重点分析了光子寿命对高频特性的影响。这对于优化光纤光栅外腔结构实现高速全光波长转换器有一定的参考价值。最后数值求解了不同输入信号速率下的转换波形,仿真结果和对波长转换器的频率响应特性分析结果是一致的。     

CdS纳米晶自组装形成的亚微米中空球微结构研究

Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点（如GdS、CdSe等）,因其具有明显的量子尺寸将就和表面将就，近来成为人们研究的热点。以这些量子点为基元，可组装成许多有趣的结构，其中最具代表性的是被人们称为光子点的亚微米-微米尺度的中空球微腔结构。这种中空球微腔结构具有量子点和光子点耦合效应，可实现自发辐射的抑制和单模加强的量子点发光，称之为光子点对量子点发光的调制。     

量子阱中的束缚极化子的路径积分变分研究

利用Feynman路径积分变分方法，推导了整个电声子耦合区域的量子阱中束缚极化子的基态能。对其数值结果研究表明：当量子阱的约束势达到一定值，极化子的基态能修正－△E随电声子耦合常数α的增加激剧增大，约束势导致有效电声子耦合从无约束势时的弱耦合向居间耦合或强耦合渡越。更重要的是，我们发现存在一个量子阱的临界有效宽度lz0,当lZ小于临界值时，－△E随lz变小很快增大；当lz大于临界值时，随lz变大，－△E几乎不变。     

Ⅱ -Ⅳ族化合物半导体超微粒子光谱性质的研究Ⅱ : 硒化物、碲化物

本文报道了锌、镉、汞、铅硒化物、碲化物半导体超微粒子的制备以及它们的光谱性质 ,比较了它们的粗、细粒子的吸收光谱和荧光光谱的差异 ,以及与硫化物超微粒子的相似性 ,同时讨论了上述物质的超微粒子在老化过程中的行为及其原因.     

一种新型基于交指电容和微带电感的单层低成本宽带带通滤波器

随着无线通信系统的快速发展,尤其是5G时代的来临,带通滤波器作为射频前端的选频器件被广泛应用于各种系统.近年来,人们对通信的需求日益提升,因此滤波器的小型化、低成本以及高性能等方面的要求成为业内研究的重点.现代工艺技术的发展为带通滤波器的设计提供了多种方法,如使用阶跃阻抗谐振器设计微带带通滤波器、利用互补开环谐振器作为基本谐振单元构造宽带带通滤波器和基于E型双模谐振器设计微带带通滤波器等.然而,这些微带滤波器的尺寸较大,令实现小型化的目标难以实现.由于集总元件具有体积小、成本低、带宽宽、元件间相互作用小等优点,在射频器件设计中发挥着重要作用.相较于基于集成无源器件（Integrated Passive Device,IPD）工艺和低温共烧陶瓷（Low-Temperature Co-fired Ceramic,LTCC）工艺的带通滤波器,这种单层宽带带通滤波器具有更低的生产成本、更少的损耗限制,以及避免了基于表面贴装器件的成本和制造公差等问题.由于其采用交指电容和微带电感的简单实现方式,该方法所设计的滤波器还具有工艺简单和体积小的优点.基于单层印刷电路板（Printed Circuit ...     

充电方式对超级电容能量效率的影响

超级电容不同于一般的储能电池,由于其自身的优点在储能中占据越来越重要的角色。对超级电容原理、优势以及应用场合做了简要的描述,给出了超级电容在理论计算下电路的等效模型,针对超级电容的充电效率、放电效率和储能效率给出了明确的定义。通过对恒流、恒压和恒功率3种充电方式的分析,得出恒压充电效率低不适合超级电容充电,恒流充电具有快速高效的特点,恒功率充电仅适用于特殊场合。