Fe2O3纳米微粒溶胶非线性光学特性的Z-扫描研究

利用Z扫描技术在透明区域研究了Fe₂O₃纳米微粒水溶胶和表面包覆有机溶胶的非线性光学特性，给出了非线性折射率γ、双光子吸收系数β、自由载流子折射系数σ_r和自由载流子吸收截面σ_ab等重要物理参数，讨论了自由载流子效应对Fe₂O₃纳米微粒非线性特性的影响 关键词：     

p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性

用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar~+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布,对Pd为基底的P型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属──半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份在界面层中的变化规律。     

短周期超晶格AlP／GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁

介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。     

155Mb／s时分光交换系统

本文介绍了国内第一个１５５Ｍｂ／ｓ时分光交换实验系统。系统以新型半导体光器件－半导体光开关门为核心构成，传输速度为１５５Ｍｂ／ｓ。     

低电压时钟管理器MC100EP809

安森美半导体公司推出的ＭＣ１００ＥＰ８０９是一款带ＬＶＴＴＬ时钟选择和使能接口的３．３Ｖ差分１∶９ＨＳＴ／ＰＥＣＬ至ＨＳＴＬ时钟驱动器 ,它采用３２引脚轻薄型四角扁平封装（ＬＱＦＰ） ,可用于计算机工作站、服务器、网络设备和电信系统的底板驱动时钟信号管理系统。ＭＣ１００ＥＰ８０９是专为高性能和低电压的时钟管理而设计的 ,它具有超低抖动率和更高的信号集成度 ,而且占用面积小 ,尤其适合基于ＨＳＴＬ的信号电路。ＭＣ１００ＥＰ８０９与３．０～３．６Ｖ的低电压系统电源兼容 ,其电耗低于９０ｍＡ ,输入接口可由低电压晶…     

利用半导体光放大器进行光脉冲消基座的理论研究

提出了一种利用半导体光放大器(SOA)联合可调谐光滤波器进行高阶孤子压缩消基座的新方法.进行了详尽的理论分析和优化.数值计算表明,在一定条件下,这种方法能够在不展宽脉冲的前提下,对基座进行有效地抑制.     

用模拟万用表测电容

介绍了用模拟万用表和秒表测量电容的简单方法，对测量结果的误差原因进行了分析，给出了提高测量精度的几点措施。     

短波长半导体激光器开发动向

对ＧａＮ和ＺｎＳｅ系两类主要材料制备蓝绿色激光器方面的问题和发展动向作了介绍。