光学材料的激光微加工研究进展与应用前景

综述了国内外在光学材料激光微加工方面的研究成果和应用状况，并展望了其发展前景。     

VCSEL的发展现状和市场应用

近年来由于高速光网络的快速发展，使人们对一种新型的半导体激光器——垂直腔面发射激光器(VCSEL)给予了更多的关注，已成为研究开发的热点。本介绍了VCSEL的发展进程、基本结构及较之于侧面发射激光器(包括与LED作比较)的优势，以及近期出现的新技术和封装手段，详细叙述了各波段VCSEL所用的材料、技术、市场应用。最后简述了VCSEL基光收发机的市场状况。     

利用CWDM技术升级HFC网络

针对HFC光网络的回传升级改造，提出了“采用CWDM技术升级HFC网络”的建议。文章介绍、分析WDM／DWDM／CWDM技术的技术背景、技术特点；介绍了CWDM技术的特点和在回传光发射机中的应用；针对HFC回传光网络的升级改造介绍了如何利用CWDM技术升级改造HFC光网络。     

光纤激光器

IPFTechnology公司推出一系列在波长范围超过 70nm可连续调谐的光纤喇曼激光器 ,FRL TL xxxx 2 0 0 0和 5 0 0 0型的输出功率分别为 2W和 5W ,适用 1 35 0nm～ 1 495nm之间的 3个重叠波长调谐范围。该激光器适于S 传输带到L 传输带的密集波分复用信道中的喇曼放大器的泵浦光源。FRL TL HPCT型利用该激光器的高功率输出及长期波长稳定性可对大功率组件进行测试。 (No .2 8)光纤激光器     

叉指式微硅加速度计的参数化设计

详细阐述了微硅加速度计的原理,根据材料力学以及结构动力学原理,分析了叉指式驱动/检测结构的动力学模型,推导了等效质量、等效阻尼、等效刚度等关键参数模型,分析了灵敏度、横向干扰等和结构参数的关系,为微硅加速度计的优化设计与改进提供了理论指导,实现了最优化设计和仿真.     

我国生产型MOCVD设备研制成功

为了建立我国用于氮化镓激光器外延片生产用的金属有机物化学气相淀积(MOCVD)研发及产业化基地，打破国外MOCVD设备长期处于垄断的局面，2001年7月，中国科学院半导体研究所承担了北京市科学技术委员会新材料基地“氮化镓激光器关键技术研究”。经过科研人员2年的不断攻关，取得了关键技术的突破，近日通过专家验收。与此同时，     

双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析

由速率方程推出了双掺（Tm^3 ,Tb^3 ）离子准四能级系统的激光阈值解析式，讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明，对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光，激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时，交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入，一方面能抽空激光下能级，起到降低阈值的作用；另一方面亦减少了激光上能级的寿命，使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体，Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右，同时表明，激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。