汉芯，IC时代的弄潮儿

2003年2月，上海交大汉芯科技成功研制国内首个完全具有自主知识产权的“汉芯一号”高性能、低功耗DSP芯片。“汉芯一号”使用国际先进的0．18微米半导体工艺，具有16位运算处理内核。经权威专家鉴定：属于同内首创，达到了国际先进水平，是中国芯片发展史上重要的里程碑。     

铜蒸气激光器种子注入光腔的参数计算

用矩阵光学理论计算了由主振荡器和功率放大器组成的种子注入光腔。主振荡器光腔是由曲率半径R1=-250mm,R2=5000mm,相距L=2375mm的球面镜组成的正支非稳腔;功率非稳腔是由曲率半径R3=400mm,R4=5600mm,相距S=3000mm的球面镜构成的负支非稳腔。理论计算表明,该种子注入光腔可输出光束发散角约几十微弧的激光,可满足铜蒸气激光器主振荡器功率放大器(MOPA)的技术要求。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

主要介绍了纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

16信道0.35μmCMOS/VCSEL光发射模块

研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.     

连结中外的桥梁——深圳市正和兴电子有限公司

8月中旬,在深圳举办的“环宇企业第四届半导体芯片技术研讨会”上,汇聚了许多来自我国芯片应用研究最前沿的科研生产单位的负责和技术人员,涉及航天、航空、电子、兵器、船舶等重要领域。一个由企业主办的研讨会,何以能持续8年,汇聚众多前沿的科研生产单位,越办越好?带着这样的疑问,记者采访了会议主办单位——深圳市正和兴电子有限公司的总经理张亚先生,请他为我介绍了公司和研讨会的背景情况。深圳市正和兴电子有限公司成立于1992年,总部为中国香港环宇企业。经过10 余年的发展,已拥有了1个贸易公司、1个开发公司、华东和北京2个办事处,共…     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法,阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理,并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜.     

半导体制造中的电子显微分析

集成电路的特征尺寸越来越小，电子显微分析在微电子制造中成为不可缺少、不可替代的重要分析手段。本文根据扫描电子显微镜（SEM）及透射电子显微镜（TEM）在实际分析中的特长和局限，主要就仪器分辨率与结果的精确度的问题，讨论如何将两种分析技术有机地结合起来，扬长避短，取得最佳效果。