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931.
微波BJT超宽带低噪声放大器的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
本文给出了一种频带覆盖达10-1600MHz的微波BJT超宽带低噪声放大器的设计方法,从微波BJT的噪声模型出发,通过拟合50Ω源阻抗下微波BJT的噪声系数NF50和S参数来提取其噪声参数,然后根据增益,噪声及驻波比要求优化设计放大器,使放大器在超宽带范围内获得平坦增益和低噪声,本文所给出的微波BJT惨数提取及放大器优化设计方法已由实验结果所验证。 相似文献
932.
本文论述了寄生电容不敏感型开关电容四象限模拟乘法器的设计,并提出了一种新型的电路结构,分析了它的性能,以及元器件的非理想特性对其性能的影响和采取的补偿方法。 相似文献
933.
CMOS运算放大器和电压比较器 总被引:1,自引:0,他引:1
CMOS运算放大器和电压比较器曾庆贵根据被处理信号的性质,集成电路有数字集成电路和模拟集成电路之分。数字集成电路又称逻辑电路,是指能够对数字信号进行算术或逻辑运算的电路,如门电路、触发器、计数器和寄存器等;而模拟集成电路是对模拟信号(即连续变化的信号... 相似文献
934.
本文将噪声源引入MESFET小信号等放电路模型,推导了由MESFET内部参数计算其参数的计算公式及由噪声源引起的各端口噪声电流表达式和噪声参数的计算公式,编制了相应的计算程序和绘图程序,经验证得到了令人满意的结果,说明MESFET小信号噪声等效电路模型对研究和应用MESFET是有效的和新颖的。 相似文献
935.
报道了MBE生长的CdTe/Cd1-xMnxTe:In调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱,低温下观察到一个由多电子-单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象,对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加,使整个发光锋具有明显的非对称性.分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制,测量了77K下CdTe/Cd1-xMnxTe:In样品的调制光谱,与荧光光谱进行了比较,结果进一步支持了本文的结论.还测量了费密迪奇异随温度的变化,结果表明此现象在Ⅱ—Ⅵ族半导体多量子附材料中比Ⅲ─V族材料强得多. 相似文献
936.
利用液晶光阀实现的光学形态变换 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了基于液晶光阀的光学二值图像领域处理器,利用它完成了扩、蚀和边缘检测等形态变换操作,并给出了实验结果。 相似文献
937.
报道了MBE生长的CdTe/Cd1-xMnxTe:In调制掺杂应变层多量子阱材料的光荧光光谱,低温下观察到一个由多电子-单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象,对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加,使整个发光锋具有明显的非对称性。分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制,测量了77K和GdTe/Cd1-xMnxTe:In样品的调制光谱,与荧光光谱进行比较,结果进一步支持了本文的结论。还测 相似文献
938.
较详细介绍了将M9081G遥控系统加装在松下TC-230D彩色电视机上,使其具有全遥控功能的具体方法。 相似文献
939.
940.