全文获取类型
收费全文 | 60284篇 |
免费 | 7196篇 |
国内免费 | 5648篇 |
专业分类
化学 | 4014篇 |
晶体学 | 460篇 |
力学 | 485篇 |
综合类 | 215篇 |
数学 | 247篇 |
物理学 | 15081篇 |
无线电 | 52626篇 |
出版年
2024年 | 267篇 |
2023年 | 909篇 |
2022年 | 1016篇 |
2021年 | 1156篇 |
2020年 | 830篇 |
2019年 | 1012篇 |
2018年 | 509篇 |
2017年 | 874篇 |
2016年 | 991篇 |
2015年 | 1269篇 |
2014年 | 3048篇 |
2013年 | 2195篇 |
2012年 | 3504篇 |
2011年 | 3792篇 |
2010年 | 3450篇 |
2009年 | 4195篇 |
2008年 | 5059篇 |
2007年 | 3786篇 |
2006年 | 3996篇 |
2005年 | 4219篇 |
2004年 | 4031篇 |
2003年 | 3423篇 |
2002年 | 2675篇 |
2001年 | 2345篇 |
2000年 | 1810篇 |
1999年 | 1506篇 |
1998年 | 1395篇 |
1997年 | 1501篇 |
1996年 | 1456篇 |
1995年 | 1271篇 |
1994年 | 1084篇 |
1993年 | 854篇 |
1992年 | 865篇 |
1991年 | 869篇 |
1990年 | 804篇 |
1989年 | 801篇 |
1988年 | 134篇 |
1987年 | 73篇 |
1986年 | 32篇 |
1985年 | 24篇 |
1984年 | 17篇 |
1983年 | 23篇 |
1982年 | 23篇 |
1981年 | 24篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 3篇 |
1977年 | 1篇 |
1975年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
831.
广泛使用的低成本电源管理芯片或直流电源模块通常并未集成输出均流控制功能,因此不能直接并联输出使用。而使用特殊的电源管理芯片或是额外的均流控制电路会提高电源电路的复杂程度,造成电路成本的提高。针对此应用场景,提出了一种具有主动均流功能的双路电源开关,作为负载开关或电源多路复用器应用于电路之中,利用开关电流的方法均分输出电流,在几乎不增加电路成本的同时对两路电源进行均流。阐述了所提双路电源开关的工作原理与参数设计方法,并通过仿真与实验证明了所提方法的正确性与可行性。 相似文献
832.
在宽带任意波发生器(AWG)研制中,一个重要的挑战来自宽带可变增益放大器(VGA)。作为设备的信号输出接口电路,VGA承担了输出信号放大、共模电压调节、驱动负载等重要功能,在很大程度上决定了设备的综合性能。设计了一款适用于宽带AWG的VGA芯片,采用一种改进的数字增益调节架构,在兼顾带宽的同时,消除了模拟控制电压的影响,并确保了增益的单调性。芯片采用Si Ge Bi CMOS工艺实现,测试结果表明,芯片可以实现0.125~2倍的单调增益控制,最小增益步进约为0.125倍;在输入信号频率为4 GHz时的输出信号衰减为-2.83 d B。 相似文献
833.
针对近些年网络新业务和新技术应用不断增长的趋势,介绍了光网领域应用软件定义网络(SDN)技术的重要性.重点研究分析了2种面向IP和光传送网(0TN)协同的SDN技术——0NF Transport API(TAPI)和0penDayLight Transport PCE(TPCE),包括它们具体的技术细节以及如何实现跨域... 相似文献
834.
随着光通信技术与光子集成电路的发展,非互易性器件作为光通信系统中重要的组成部分得到了越来越广泛的研究与应用。基于磁光效应制成的磁光隔离器和环行器是目前应用最为广泛的非互易性器件,为了将非互易性器件整块集成在硅片上,需制备性能与块状磁光材料相当的磁光薄膜。在近红外通信波段(1 550 nm),以钇铁石榴石(Y3Fe5O12,YIG)为代表的稀土铁石榴石(RIG)具备优良的磁光效应,是最具应用前景的磁光材料之一。研究发现,使用稀土离子对YIG薄膜进行掺杂可以有效改善其磁光性能,尤其是Bi3+和Ce3+掺杂的YIG表现出巨法拉第效应。本文首先介绍了法拉第效应原理,介绍了三种常见磁光薄膜的生长方法,回顾了近年来的主要研究成果,介绍了磁光薄膜在光隔离器和环行器中的应用,最后对磁光薄膜的未来发展趋势进行了展望。 相似文献
835.
本文采用传统的高温熔融法在空气气氛中制备了无色透明的Ce3+激活硼锗酸盐闪烁玻璃,该硼锗酸盐闪烁玻璃中GeO2和Gd2O3总含量为85%,测得其密度在5.82 g/cm3左右,且在450~800 nm线性透过率可达80%以上。加入少量的酒石酸(C4H6O6)作为强还原剂以减少Ce4+的产生,研究了在不同酒石酸添加量下硼锗酸盐闪烁玻璃中Ce3+在340 nm激发波长下的荧光衰减特性,确定了酒石酸的最佳添加量。此外,硼锗酸盐闪烁玻璃鲜有光产额方面的报道,本文测得制备的Ce3+激活硼锗酸盐闪烁玻璃的光产额为27 ph/MeV,且该高密度Ce3+激活硼锗酸盐闪烁玻璃具有最短约14.40 ns的衰减时间。可以预见,该高密度、快闪烁硼锗酸盐闪烁玻璃在高能物理和医学成像等领域有着巨大的发展潜力。 相似文献
836.
气体传感器能够有效检测浓度低于人类嗅觉极限的有毒有害及易燃易爆等气体,在军事国防、环境安全、医疗诊断等领域具有重大的研究意义。其中电阻式气体传感器因其成本低廉,普遍适用于民用气体检测而受到广泛应用。气敏材料是气体传感器的核心,设计合成合适的气敏材料对发展高性能气体传感器至关重要。本文在简单介绍气体传感器、电阻式气体传感器以及电阻式气体传感器常用的几种传感材料的基础上,聚焦于n型半导体SnS2气敏材料,归纳了该材料的结构与性质,重点阐述了提升SnS2气敏材料传感性能的方法,包括空位工程、热激活工程、光激活工程和异质结工程,并对SnS2气敏材料的研究趋势进行了展望。 相似文献
837.
采用自主设计搭建的雾化辅助化学气相沉积系统设备,开展了Ga2O3薄膜制备及其特性研究工作。通过X射线衍射研究了沉积温度、系统沉积压差对Ga2O3薄膜结晶质量的影响。结果表明,Ga2O3在425~650 ℃温度区间存在物相转换关系。随着沉积温度从425 ℃升高至650 ℃,薄膜结晶分别由非晶态、纯α-Ga2O3结晶状态向α-Ga2O3、β-Ga2O3两相混合结晶状态改变。通过原子力显微镜表征探究了生长温度对Ga2O3薄膜表面形貌的影响,从475 ℃升高至650 ℃时,薄膜表面粗糙度由26.8 nm下降至24.8 nm。同时,高分辨X射线衍射仪测试表明475 ℃、5 Pa压差条件下的α-Ga2O3薄膜样品半峰全宽仅为190.8″,为高度结晶态的单晶α-Ga2O3薄膜材料。 相似文献
838.
随着5G通信技术的迅猛发展,光载无线(Radio-over-Fiber, RoF)通信系统在实现高数据传输率和低延迟方面日益发挥出重要作用。然而,该系统在处理高频宽带5G信号时,常受到射频功率放大器和光电组件非线性特性的影响,导致信号产生失真问题。为解决这一问题,文章深入探讨了数字预失真(Digital Predistortion, DPD)技术在5G RoF通信系统中的应用及其效果。 相似文献
839.
理论上分析了OFDM信号在模拟光纤传输系统中影响载噪比的主要因素;一定的传输距离和发射光功率情况下,不同的子载波数存在一个最佳的光调制指数,使得系统载噪比最大;分析表明,系统以不到3dB的载噪比损失,信道容量可获得两倍的增长,系统有较强的容量调节能力. 相似文献
840.