电流阀值对断续骚扰检测结果的影响

对于某些由开关操作数得出喀呖声率的被测设备,目前大部分检测实验室的断续骚扰分析仪可能会漏计算一些开关操作。解释了标准中"开关操作"的定义,通过实际案例阐述了使用分析仪进行断续骚扰项目检测时,预置电流阀值的选择对检测结果的影响。     

新型双单刀双掷模拟开关NLAS5223

NLAS5223是安森美公司最近推出的新器件,是一种先进的CMOS模拟开关。在一个小尺寸10引脚WQFN封装中,有两个独立的单刀双掷模拟开关。该模拟开关主要特点:工作电压低,VCC=1.65～3.6V(型号为NLAS5223的与2.8V芯片接口,型号为NLAS5223L的与1.8V芯片接口);低功耗,最大的静态电流为±1μA(25℃);传输电流大,每一个开关可连续传输±300mA电流;开关的导通电阻小,在V CC=3.0±0.3V时,其导通电阻RDS(on)<0.5Ω;导通电阻在不同输入电压时,其平直度为0.15Ω;两个开关之间的导通电阻匹配性(电阻差值)不大于0.05Ω;开关关断时,绝缘电阻高;…     

开关电容ADC及其驱动放大器之间的阻抗谐振匹配方法

高采样速率模数转换器（ADC）通常用在现代无线接收器设计中,以中频（IF）采样速率采集复数调制的信号.这类设计通常都选用基于CMOS开关电容的ADC,因为它们的低成本和低功耗特点很吸引人。但这类ADC采用一种直接连接到采样网络的无缓冲器的前端,这样就会出现驱动ADC的放大器的输入跟踪和保持阻抗随时间变化的问题.为了有效地驱动ADC,使噪声最低和有用信号失真最小,必须设计一种无源网络接口帮助抑制宽带噪声,并对跟踪阻抗和保持阻抗进行变换以便为驱动放大器提供更好的负载阻抗。针对几种常见的IF频率,本文中提出了一种谐振匹配方法,用于将跟踪和保持阻抗转换为比较容易计算的负载,从而实现抗锯齿滤波器的精密设计。     

业界人士探讨无铅话题

《今日电子》已经连续刊登了讨论无铅化问题的系列文章。随着RoHS指令实施日期的日益临近,IC供应商和设备厂商都准备好了吗？带着这个疑问,记者采访了来自多家半导体厂商的专业人士,将他们的看法和意见汇成一文,从他们的视角出发,希望可以为读者提供更全面的无铅解读。通过以上这些业内人士的讨论,相信读者对IC厂商的无铅化进展会有一个比较全面的了解。     

在铅焊料的标准流程中用无铅元件

随着欧洲的RoHS和WEEE指令已于2006年7月1日开始执行,许多元件供应商面临着使其产品符合无铅环境的挑战。两个指令都要解决将铅从元件中去除的问题。半导体公司必须选择高性价比、与含铅焊料逆向兼容,并与无铅焊料前向兼容的无铅镀层策略。逆向兼容表示无铅元件能够用锡铅（SnPb）焊料回流工艺安放在PCB上。前向兼容表示目前的锡铅工艺能够在面板组装中,与无铅焊料一起使用。     

电源技术研讨会落幕诸多看点揭晓行业趋势

由《今日电子》杂志、中国电子商会电源专业委员会和北京电源行业协会共同举办的“第五届电源技术专题研讨会暨展示会”和“第二届中国数字电源论坛”历经北京、深圳、上海三地,于9月12日正式落幕。今年的研讨会场次更多,内容更丰富,形式也更加多样。来自德州仪器公司、艾默生网络能源有限公司、泰克科技（中国）有限公司、英飞凌、上海横河国际贸易有限公司、安森美半导体、凌力尔特公司、美国国家半导体、意法半导体、泰科电源、精工技术有限公司、瑞萨科技、飞兆半导体公司、飞利浦半导体、     

RuO2/BiOCl复合光催化剂的制备及其固氮性能研究

BiOCl在光催化固氮领域中有着广阔的应用价值,但其光生电子-空穴对的快速复合限制了其应用和发展。本文首先采用水解法制备了一种具有丰富氧空位的新型RuO₂/BiOCl复合光催化剂,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱、紫外-可见漫反射光谱、光致发光光谱、电子顺磁共振等对其进行了表征,采用300 W氙灯为模拟太阳光源,评估了其光催化固氮性能。结果表明：当复合催化剂中RuO₂负载量达到0.2%(质量分数)时,RuO₂/BiOCl具有更好的固氮活性,在光照1 h后其最佳活性达到了131.9μmol/L。相较纯BiOCl催化剂,其固氮性能提升了3.5倍。最后,本文对催化剂的反应机理进行了相关探索,为制备具有更高固氮活性的光催化剂提供参考。     

Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光、电特性研究

本文使用导模(EFG)法生长了Ni掺杂β-Ga₂O₃单晶,并通过粉末X射线衍射(PXRD)和劳厄衍射(Laue diffraction)分别验证了其晶体结构和晶体质量。进一步通过紫外-可见-近红外透过光谱及红外透过光谱研究了Ni²⁺掺杂对β-Ga₂O₃光学特性的影响,发现其(100)面的紫外截止边为252.9 nm,对应的光学带隙为4.74 eV。此外,阴极荧光(CL)光谱测试结果显示,Ni²⁺掺杂β-Ga₂O₃单晶在600～800 nm具有宽带近红外发光特性,有望拓宽β-Ga₂O₃单晶材料在宽带近红外方面的应用。     

SnS2气敏材料研究进展

气体传感器能够有效检测浓度低于人类嗅觉极限的有毒有害及易燃易爆等气体,在军事国防、环境安全、医疗诊断等领域具有重大的研究意义。其中电阻式气体传感器因其成本低廉,普遍适用于民用气体检测而受到广泛应用。气敏材料是气体传感器的核心,设计合成合适的气敏材料对发展高性能气体传感器至关重要。本文在简单介绍气体传感器、电阻式气体传感器以及电阻式气体传感器常用的几种传感材料的基础上,聚焦于n型半导体SnS₂气敏材料,归纳了该材料的结构与性质,重点阐述了提升SnS₂气敏材料传感性能的方法,包括空位工程、热激活工程、光激活工程和异质结工程,并对SnS₂气敏材料的研究趋势进行了展望。     

气相输运沉积制备c轴择优取向的碘化铋薄膜

铋基卤化物材料因其无毒和优良的光电性能而显示出巨大的应用潜力。BiI₃作为一种层状重金属半导体,已被用于X射线检测、γ射线检测和压力传感器等领域,最近其作为一种薄膜太阳能电池吸收材料备受关注。本文采用简单的气相输运沉积(VTD)法,以BiI₃晶体粉末作为蒸发源,在玻璃基底上得到高质量c轴择优取向的BiI₃薄膜。并通过研究蒸发源温度和沉积距离对薄膜物相和形貌的影响,分析了BiI₃薄膜择优生长的机理。结果表明VTD法制备的BiI₃薄膜属于三斜晶系,其光学带隙为~1.8 eV。沉积温度对薄膜的择优取向有较大影响,在沉积温度低于270 ℃时,沉积的薄膜具有沿c轴择优取向生长的特点,超过此温度,c轴择优取向生长消失。在衬底温度为250 ℃、沉积距离为15 cm时制备的薄膜结晶性能最好,晶体形貌为片状八面体。