基于浮动源的氮化镓器件导通电阻测试技术研究

首先,介绍了氮化镓器件的基本特征,以一款氮化镓功率器件为例,介绍了其基本结构、应用场景和关键参数,并研究了其导通电阻的测试;其次,介绍了浮动源的特点,研究了使用浮动源测试氮化镓器件导通电阻的方法,在测试方案的软件、硬件设计上提出了一些建议;然后,将所提出的测试方案运用于实际测试,结果表明,得到的测试数据与理论值吻合地较好,证明了测试方案的有效性;最后,对测试过程中常见的问题进行了分析,对于提高氮化镓器件导通电阻测试精度具有一定的参考价值。     

基于矿用开关电器特性试验系统对无断点电器的试验方案设计

矿用开关电器质量监督检测检验机构或者生产企业在利用大电流发生器对无断点电器(指主回路无直接分闸机构)进行保护特性试验测试时,发现保护动作时间无法测量。即时采用更换试验设备或者是利用示波器进行试验过程数据采集分析得出保护动过时间结果等方法解决;如此方法繁琐,且企业现场无示波器可用。该文针对上述情况提出了性价比高、操作简单、容易掌握的测试技术及试验方案,同时试验方案分析了试验系统原理、动作时间采集过程,给出了试验样品接法及验证结果。     

动态红外景像仿真技术综述及帕尔贴效应的应用

在进行红外探测系统测试和评估经常使用红外动态景像仿真系统,随着红外探测技术的发展,红外动态景像仿真系统的性能也亟待提高.首先介绍了目前红外动态景像仿真系统的相关技术要求,然后介绍了悬浮薄膜电阻阵列、红外液晶光阀、薄膜黑体腔和激光二极管阵列这4种典型器件的工作原理及其优缺点;提出了一种基于帕尔贴效应的红外动态景像仿真技术,并对其进行了理论分析,指出该技术具有动态范围大、帧频高、分辨率高、均匀性好、双向仿真的优点.     

InP的快速大容量注入合成机理分析及多晶制备

对于磷化铟(InP)的合成来说,合成的时间越快、纯度越高,合成熔体的配比度越高、熔体的利用率越高,合成量越大、成本越低。为实现InP的快速大容量合成,分析了注入合成的物理条件、气体传输过程、界面反应机理和注入气泡速率对合成的影响。通过对机理的分析,优化了注入合成条件和冒泡速率,提高了注入合成过程的可控性,在3 h内合成了10 kg高纯InP多晶,通过直拉法进一步提拉生长,最终制备的InP多晶载流子浓度≤2×10¹⁵ cm^-3,迁移率>4 500 cm²·V^-1·s^-1,为实现大尺寸单晶批量化制备奠定了基础。     

一种开关电容带隙基准电压源

设计了一款高精度、低线性调整率的开关电容带隙基准电压源。分析了NMOS开关高温漏电流对基准输出电压精度的影响,提出了一种高温漏电补偿电路。偏置电路采用多个共源共栅结构的电流镜,增大了从电源到输出的阻抗,降低了基准电压的线性调整率。利用虚拟管抵消了开关关断时带来的沟道电荷注入效应和时钟馈通效应,提高了基准输出电压的精度。该电路基于0.35μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,基准源能稳定输出1.1 V电压,建立时间为5.9μs;在-55～125℃,温度系数为1.38×10^-5/℃;27℃下,在2.7～5 V电源电压范围内,线性调整率为0.9 mV/V;电路总静态电流为35.1μA。     

一种新的与偏振无关的双向2×2光开关的设计

设计了一种由偏振光分束器(PBS)、位相型空间光调制器(PSLM)、反射镜、半波片(HWP)和1/4波片(QWP)构成的2×2光开关.该光开关所用器件少,具有结构紧凑规整、功能的实现与信号光的偏振态无关以及可以完成双向交换等特点.进而通过2×2光开关的级连,设计了一种与偏振无关的4×4光开关的实验模块.     

溶致相分离法制备液晶光开关研究

以溶致相分离的方法制备了聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）基聚合物分散液晶（PDLC）,并对影响其光开关效应的因素做了较为系统的研究。结果表明,液晶含量从40％增到50％使得PDLC体系的透过率从62％升高到80％,从而减弱了光开关效应。进一步增加液晶含量不提高体系的透过率,却使光开关效应愈发不明显;固化温度从室温（22℃）增大到液晶清亮点附近（55℃）,则显著提高了光开关效应。     

基于半导体光放大器的干涉型器件中噪声特性的分析

分析了基于半导体光放大器(SOA)的干涉仪分别处于“开”、“关”两种工作状态时的输出信噪比及噪声指数,发现当干涉仪处于“开”态时输出信噪比有所恶化,并导出了附加噪声因子的表达式。实验结果进一步证明了理论分析的正确性。     

具有光栅输出镜的高功率半导体激光器输出性能模拟分析

高功率半导体激光器(LD)是广泛应用于固体激光泵浦、材料加工等方面的重要器件。数值模拟了一种自行设计的光栅输出镜结构的高功率半导体激光器的输出特性,分析了具有光栅输出镜的LD波长随温度的变化情况,以及光栅输出镜对输出功率的影响。     

光纤光栅对FBG-ECL静态特性的影响

光纤光栅外腔半导体激光器(FBG-ECL)在未来光通信系统占有着越来越重要的地位。根据FBG-ECL的等效腔模型,讨论了光纤光栅反射率、带宽对FBG-ECL的输出功率,阈值特性、边模抑制比等静态特性的影响。指出了存在最佳光纤光栅峰值反射率,不仅使得FBG-ECL具有更高的输出功率,而且可以获得极好的边模抑制比。最后根据实测在不同反射率下外腔激光器的激射光谱,发现理论分析结果和实验数据是吻合的。