苯乙基噻唑硫脲衍生物类抗艾滋病药物3D-QSAR研究

摘要：采用三维全息原子场作用矢量（3D-HoVAIF）对61个苯乙基噻唑硫脲衍生物类抗艾滋病药物进行定量构效关系(QSAR)研究.运用偏最小二乘回归（partial least square regression, PLS）建模,同时采用内部及外部双重验证的办法对所得模型稳定性能进行了深入分析和检验.PLS建模的复相关系数（Rcum）、留一法（leave-one-out, LOO）交互校验（cross-validation, CV）复相关系数（QCV）和外部样本校验复相关系数（Qext）分别为0.907、0.878、0.913.结果表明,3D-HoVAIF能较好表征苯乙基噻唑硫脲衍生物抗艾滋病药物分子结构信息,因而能建立具有良好稳定性和预测能力的QSAR模型,为抗艾滋病药物的研发提供一定的理论基础.     

182Os 核yrast带相继SU(3)–U(5)–SU(3)结构相变势能曲面的一种可能理解

基于联合实施微观相互作用玻色子模型的最大F旋方案 (sdIBM-F_max)与γ射线能量-自旋曲线 (γ-ray energy over spin curves, E-GOS)方案, 成功描述了¹⁸²Os核yrast带相继的SU(3)–U(5)–SU(3)结构相变, 由于缺少直观解释而显得抽象. 本文借助微观sdIBM-F_max的微观参数与Bohr哈密顿量的势能曲面方程之间存在的泛函关系, 几何地给出了对这种相继相变途径的另外一种可能理解; 并阐述了在完全变形核的高角动量态中, 由于量子效应在高激发态与低激发态之间生成高简并的临界区, 提供了γ振动能量会变得低于转动能量的一个可能途径, 从而实现了SU(3)–U(5)的相变. 关键词： yrast带结构演化 势能曲面 相变临界区 182Os核')" href="#">¹⁸²Os核     

全国无线电监测技术演练活动点滴体会

2004年全国尢线电监测技术演练活动于9月12日在北京落下帷幕，不论从规模还是水平上在中国无线电管理电上都是前所未有的。此前各地尢线电管理机构高度重视，纷纷开展相应的选拔集训，全力备战，迎接比赛。我作为尢线电监测队伍中的一名新同志，有机会参加如此规模的演练活动，深感受益匪浅。     

ZENI:关注用户需求,开发适用工具--访北京中电华大电子设计有限责任公司总经理刘伟平先生

刘伟平先生现任北京中电华大电子设计有限责任公司总经理,曾任中国华大集成电路设计中心副总裁.     

电子机票，请到9588预定

今天,在运营商加大对违规SP处罚力度的同时,部分SP基于自身的发展不但认识到诚信的重要性,还在一些相关领地做起了“早耕者”,北京掌上通就是其中之一。近日,美国Vesta公司以注入资金50%(2000万美元)的形式,和掌上通达成战略联盟,在国内推出电子机票服务。北京掌上通网络技术有     

HP Integrity动能服务器亚太巡展

近日，HP在北京举行“整合技术实力打造科技先锋——HP Integrity动能服务器亚太巡展”活动，全面展示采用最新Intel Madison9M芯片组的HP Integrity动能服务器、最新版本的OpenVMS v8．2，并对HP—UX、Windows、Linux的操作系统环境进行了更新，发布了一系列基于Integrity平台的新的虚拟化特征以及其他HP服务和解决方案，     

Telelogic启用北京新办公室和培训教室 加强中国市场力量

2005年3月29日,全球领先的系统及软件开发解决方案供应商Telelogic宣布,为了满足销售人员和客户的增长需求,公司扩大了在中国的规模,Telelogic中国北方公司的新办公室和培训教室开始投入使用。这是继2004年Telelogic为了更好地服务华东地区客户,扩充并新迁了上海办事处之后,今年又扩大了北方分公司的规模以适应中国业务发展的需求。通过为端到端的软件开发生命周期提供优质的集成产品和专业化服务,Telelogic使客户在缩短面市时间、降低总成本的同时提高产品质量及可预测性。Telelogic提供以下产品:TelelogicDOORS/ERS作为需求管理系统…     

中复电讯股东控制权争夺案终审宣判

判定中复公司虚构股东身份；不支持原告1％股权诉求 “中复两股东被判系虚构”追踪 持续近一年之久的北京中复电讯设备有限责任公司控制权争夺案，于近日尘埃落定。北京第二中级法院认定北京中复电讯设备有限责任公司董事长邰武淳所述属实，终审判决支持其诉讼请求，判定该公司董事会两名股东王嶙、臧绍无股东资格，且所作的罢免邰武淳的决议无效。[第一段]     

定域SOI区熔再结晶研究

用高频感应石墨条作为红外辐射热源,对淀积在二氧化硅衬底上的多晶硅进行了区熔再结晶.再结晶后硅膜晶粒宽度可达几百微米甚至几毫米以上,长度可在区熔扫描方向延伸到样品尺度.在晶粒中存在大量间隔约10-50μm的亚晶界.采用热沉技术及多晶硅膜厚调制技术对亚晶界进行了定域限制,达到了非常好的效果.TEM分析表明再结晶后硅膜呈[100]晶向.SEM观察表明再结晶后样品具有平整的表面及界面.Raman谱测量表明区熔再结晶后硅膜中张应力很小,约为0.9×10~9 dyne/cm~2.     

高温SO I CMO S 倒相器瞬态特性的研究

本文主要研究高温SOI CMOS倒相器在（27－300℃）宽温区的瞬态特性。研究结果表明：当采用N^ PN^ 和P^＋PP^ 结构薄膜SOI MOSFET组合，并且其结构参数满足高温应用的要求，则SOI CMOS倒相器实验样品在（27－300℃）具有良好的高温瞬态特性。