全文获取类型
收费全文 | 407篇 |
免费 | 42篇 |
国内免费 | 143篇 |
专业分类
化学 | 236篇 |
晶体学 | 13篇 |
力学 | 14篇 |
综合类 | 6篇 |
物理学 | 55篇 |
无线电 | 268篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 3篇 |
2022年 | 6篇 |
2021年 | 11篇 |
2020年 | 7篇 |
2019年 | 6篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 14篇 |
2014年 | 27篇 |
2013年 | 23篇 |
2012年 | 22篇 |
2011年 | 27篇 |
2010年 | 18篇 |
2009年 | 29篇 |
2008年 | 32篇 |
2007年 | 23篇 |
2006年 | 34篇 |
2005年 | 21篇 |
2004年 | 21篇 |
2003年 | 27篇 |
2002年 | 32篇 |
2001年 | 25篇 |
2000年 | 16篇 |
1999年 | 16篇 |
1998年 | 23篇 |
1997年 | 22篇 |
1996年 | 17篇 |
1995年 | 11篇 |
1994年 | 13篇 |
1993年 | 21篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 10篇 |
1989年 | 7篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
排序方式: 共有592条查询结果,搜索用时 98 毫秒
91.
92.
铜镍和铜钴合金电极在碱性介质中的光电化学 总被引:5,自引:0,他引:5
用动电位伏安法对含镍量10%、30%和50%的铜镍合金以及含钴量5.1%、9.7%、15 %、25%和40%的铜钴合金电极在硼砂-硼酸缓冲溶液(pH 8.5)中的光电化学行为进行了 研究.铜镍合金和铜钴合金均显示p-型光响应,铜镍合金的光响应来自Cu2O,铜钴合金的光 响应来自Cu2O和氧化钴.含镍量10%和30%的铜镍合金电极以及含钴量5.1%铜钴合金电极的 最大光电流iph,max均大于纯铜电极,含钴量15%、25%和40%的铜钴合金电极以及含镍量 50%的铜镍合金电极由于电极表面相当一部分面积分别被氧化钴和氧化镍所占有,iph,max 小于纯铜电极.铜镍合金电极的φv值(电位负向扫描过程中电极表面完全还原为Cu时的电位 )负于纯铜电极,而铜钴合金电极的φv值与纯铜电极大致相等, NiO的存在致使铜镍合金 表面Cu2O膜具有更大的稳定性.从光电化学角度通过φv和iph,max反映铜合金的耐腐蚀性能 与交流阻抗法测得的结果相符. 相似文献
93.
酸性溶液化学镀Ni-P-B合金及结构性能表征(英文) 总被引:1,自引:0,他引:1
联用次亚磷酸钠和硼氢化钠两种还原剂 ,从酸性镀液中沉积出不同硼含量的Ni_P_B镀层 ,并用原子力显微镜、X_射线衍射、透射电镜、动电位扫描等实验技术对其镀态结构及性能进行了表征。实验表明 ,镀液中硼氢化钠含量对沉积速度影响不大 ,但能显著影响镀层的化学组成。硼的共沉积使镍晶格点阵产生扭变 ,导致镀层晶粒增大 ,表面粗糙 ,颗粒分布不均匀 ,并使镀层由非晶态向微晶结构转变 ,且微晶成分随镀层中硼含量的增加而增多。Ni_P_B镀层的硬度随镀层中硼含量的增加而增大 ,热处理能显著提高镀层的硬度 ,且服从沉淀硬化机理。在 3.5wt%NaCl和 40wt%NaOH两种介质中 ,Ni_P_B合金的耐腐蚀能力优于Ni_P合金。镀层中硼含量越高 ,其耐腐蚀能力越强。 相似文献
94.
化学镀法制备Fe包覆Al复合粉末 总被引:6,自引:1,他引:5
以次亚磷酸钠为还原剂,通过化学镀的方法制取了铁包覆铝的复合粉末,研究了络合剂、pH值、镀覆温度和镀覆时间对包覆效果的影响,采用XRD和SEM对复合粒子的表面形貌和物相结构进行了分析.结果表明铝粉表面包覆的铁层呈团粒状,优化的工艺参数为硫酸亚铁初始质量浓度:8 g/L,次亚磷酸钠质量浓度:30~40 g/L,酒石酸钾钠:16 g/L,柠檬酸:6 g/L,pH值:9.5,镀液温度:78℃,镀覆时间:40 min. 相似文献
95.
96.
97.
98.
介绍了以Ta/Ta2O5/Cu为结构的平板MIM电容器的制备方法和性能测试,探究金属Cu直接作为钽电解电容器阴极层的可行性。通过阳极氧化法在钽箔表面制备非晶态的Ta2O5薄膜,以化学镀铜、磁控溅射镀铜两种镀铜工艺制备Ta/Ta2O5/Cu结构,并对所得结构进行结构表征和性能测试。实验结果表明:不同镀铜方式制备的Ta/Ta2O5/Cu结构在电学性能测试过程中都没有表现出电容特性,正负极之间的电阻仅有0.7Ω;以金属Cu直接作为钽电容器的阴极层会导致金属铜在测试过程中被氧化成铜离子从而进入Ta2O5介质层中,进而导致Ta2O5的击穿,因此金属铜不适合直接作为钽电容的阴极层。 相似文献
99.
采用独特的高分子溶液自组装生长方法, 在经化学镀预处理的基底上利用高分子溶液的网络络合效应制备了ZnO纳米线. 通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM), X射线能谱仪(EDS)等对样品的表面形貌及组成进行了观测表征. 结果显示, 纳米线直径约50 nm, 长度达到了数微米; 产物Zn、O化学计量比接近1∶1. 通过Si基底经化学镀工艺预处理和未经化学镀预处理对ZnO纳米结构、紫外吸收和PL性能影响的分析比较, 发现了化学镀Ni对于纳米线长度和直径尺寸的控制更为有效; 在PL图谱中, 经化学镀预处理的样品在中心波长385 nm出现了由激子碰撞复合所形成的近紫外发光峰. 进一步还分析了在不同的pH值和反应时间下样品的紫外吸收和光致发光性能. 通过以上实验, 讨论并提出了ZnO纳米线的生长机理及过程, 认为纳米线的生长是在化学镀催化剂和高分子双重作用下进行的. 相似文献
100.