全文获取类型
收费全文 | 16377篇 |
免费 | 2027篇 |
国内免费 | 4457篇 |
专业分类
化学 | 13569篇 |
晶体学 | 645篇 |
力学 | 376篇 |
综合类 | 176篇 |
数学 | 71篇 |
物理学 | 3845篇 |
无线电 | 4179篇 |
出版年
2024年 | 95篇 |
2023年 | 451篇 |
2022年 | 590篇 |
2021年 | 578篇 |
2020年 | 579篇 |
2019年 | 495篇 |
2018年 | 400篇 |
2017年 | 456篇 |
2016年 | 521篇 |
2015年 | 630篇 |
2014年 | 1291篇 |
2013年 | 1017篇 |
2012年 | 1009篇 |
2011年 | 1125篇 |
2010年 | 941篇 |
2009年 | 1110篇 |
2008年 | 1117篇 |
2007年 | 1155篇 |
2006年 | 1030篇 |
2005年 | 1146篇 |
2004年 | 937篇 |
2003年 | 879篇 |
2002年 | 757篇 |
2001年 | 652篇 |
2000年 | 611篇 |
1999年 | 422篇 |
1998年 | 350篇 |
1997年 | 406篇 |
1996年 | 353篇 |
1995年 | 278篇 |
1994年 | 279篇 |
1993年 | 213篇 |
1992年 | 199篇 |
1991年 | 207篇 |
1990年 | 189篇 |
1989年 | 181篇 |
1988年 | 62篇 |
1987年 | 37篇 |
1986年 | 62篇 |
1985年 | 20篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 12篇 |
1982年 | 4篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
73.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
74.
Nd:GdVO4单晶的生长、位错和形貌 总被引:4,自引:1,他引:3
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd:GdVO4)单晶,并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑,测定了(100)面晶体位错密度为600个/mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,可采用简单光学方法确定晶体方向。 相似文献
75.
76.
77.
78.
Chemical Potential Dependence of the Dressed-Quark Propagator in a Simple Confining QCD Model
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
ZONGHong-Shi HOUFeng-Yao CHENXiang-Song LIUYu-Xin 《中国物理快报》2004,21(7):1232-1235
Based on the Dyson-Schwinger approach, a method for obtaining the chemical potential dependence of the dressed quark propagator in the ‘Nambu-Goldstone‘ and the ‘Wigner‘ phase is developed. The bag constant in the presence of the non-zero chemical potential is analysed. 相似文献
79.
Deposition of Diamond-Like carbon Films by High-Intensity Pulsed Ion Beam Ablation at Various Substrate Temperatures
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Diamond-like carbon (DLC) films have been deposited on to Si substrates at substrate temperatures from 255℃ to 400O℃ by a high-intensity pulsed-ion-beam (HIPIB) ablation deposition technique. The formation of DLC is confirmed by Raman spectroscopy. According to an x-ray photoelectron spectroscopy analysis, the concentration of sp^3 carbon in the films is about 40% when the substrate temperature is below 300℃ C. With increasing substratetemperature from 25℃ to 400℃, the concentration of sp^3 carbon decreases from 43% to 8%. In other words,sp3 carbon is graphitized into sp^2 carbon when the substrate temperature is above 300℃. The results of xray diffraction and atomic force microscopy show that, with increasing the substrate temperature, the surface roughness and the friction coefficient increase, and the microhardness and the residual stress of the films decrease. 相似文献
80.
药用植物化学分类法与红外指纹图谱的相关性研究 总被引:27,自引:6,他引:21
本文首次采用傅里叶变换红外光谱法(FTIR)对五加科、桔梗科、木兰科、樟科、豆科、蕨类等科目中的典型药用植物进行了系统研究,比较了各科内植物的异同,并且讨论了相同植物不同药用部位、不同采药时间对其红外谱图的影响。结合药典中关于药物主体有效成分的记载,分析了各药用植物谱图中主要成分的特征基团,对主要吸收峰进行了指认。在传统形态比较分类方法的基础上,FTIR可以成为一种快速、可靠、客观、有效的化学分类学的补充方法。 相似文献