硅晶片双面超精密化学机械抛光

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.     

两种自主开发的图形外延SiGe工艺

使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.     

纳米复合β-Ni(OH)2电极材料的制备与电化学性能

氢氧化镍(Ni(OH)2)是碱性二次电池的正极材料,本文采用化学沉淀法制备了纳米Ni(OH)2超微粉体,XRD检测证实晶型为β相，用TEM对粉体进行形貌分析，结果表明所得产物是颗粒状纳米晶，粒径20nm左右．将纳米Ni(OH)2粉以10％的比例掺杂到常规球镍中制得纳米复合β-Ni(OH)2电极材料，其电化学容量和放电平台较常规球镍有很大提高，大电流放电时，纳米复合β—Ni(OH)2电极材料的电化学容量比常规球镍提高达40．9％。     

基于L298N芯片对离子渗氮中压强的控制

离子渗氮工艺对炉体内压强的控制要求比较高，本文设计了一种基于L298N芯片驱动直流电动机控制的气体流量控制器，可用于控制反应炉的抽气气体流量，提高了炉体压强控制精度，降低了生产成本。     

国外空气洁净技术发展的若干现状

本仅以微电子工业的发展对空气洁净技术提出的要求为中心，介绍了国外在分子态化学污染控制、高洁净度微环境控制、新型洁净产品开发以及大型洁净室运行节能等方面，在近几年中的技术进展。     

PECVD制备a-C:H:N薄膜的微观结构研究

非晶含氢碳膜(amorphous ydmgenated arbon a-C：H films)在力学、热学、电学、化学、光学等方面具有优异的性能，被广泛应用于诸多领域，有巨大的应用前景。随着a-C：H薄膜制备技术的进一步完善，在此基础上的改性材料又引起了人们的注意。氮掺杂类金刚石薄膜(a-C：H：N)近年来成为人们研究的     

前进中的嘉兴学院生物与化学程工学院

嘉兴学院至今已有91年办学历史。学校校址位于闻名遐迩的革命圣地南湖之畔——浙江省嘉兴市。嘉兴地处长三角中心的杭嘉湖平原，毗邻上海、杭州、苏州、经济繁荣，交通发达，人文荟萃，素有“丝绸之府、鱼米之乡、文化之邦”美称。     

外延工艺在集成电路制造产业中的应用

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV／CVD），常压及减压外延（ATM＆RP Epi）等等。     

MOCVD技术

金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 简称 MOCVD)自 20 世纪 60 年代首次提出以来,经过 70 年代至 80 年代的发展,90 年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术,特别是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法。到目前为止,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看还没有其它方法能与之相比。MOCVD技术     

HCHO-(DL-苹果酸)-BrO-3-Mn2+-H2SO4体系化学振荡反应动力学研究

研究了HCHO参与下的(DL-苹果酸)-BrO-3-Mn2+-H2SO4化学振荡反应体系的非线性动力学行为,考察了该体系中各反应物的初始浓度范围及主要影响因素. 结果表明,在5.0×10-5～1.0×10-2 mol·L-1范围内, HCHO对振荡反应的诱导期和周期有较大影响,且HCHO浓度的对数lnc(HCHO)与诱导期倒数的对数ln(1/tin)及周期倒数的对数ln(1/tp)均存在线性关系. 诱导期和周期的表观活化参数分别为70.87,55.71 kJ·mol-1. 另外还对HCHO参与下的可能振荡反应机理进行了探讨.