强磁场超导体

 超导体可分为Ⅰ类超导体和Ⅱ类超导体,前者只有一个临界磁场--热力学临界场H_c,后者有两个临界磁场--下临界场H_c1和上临界场H_c2。Ⅱ类超导体的H_c2要比Ⅰ类超导体的临界场H_c高得多,这一特性使得Ⅱ类超导体成为超导体的大规模应用的基础.Ⅱ类超导体又有理想Ⅱ类超导体和非理想Ⅱ类超导体之分,后者的主要电磁行为表现为磁化的可逆性,并且没有磁通冻结现象发生,它是均匀介质.理想Ⅱ类超导体几乎没有承载传输电流的能力,因此,它除了有科学价值外,几乎没有什么实用价值.本文将着重介绍非理想Ⅱ类超导体.科学家们已发现了数以千计的非理想Ⅱ类超导体,但是到目前为止其中只有Nb-Zr,Nb-Ti合金.     

HgS/CdS/HgS球状纳米系统电子的能量与寿命以及概率分布

建立了HgS/CdS/ HgS球状纳米系统物理模型和电子状态满足的方程.应用S矩阵理论，探讨了 s态电子的能量和寿命以及概率分布随势垒和势阱宽度的变化规律.结果表明：电子能量和寿 命随垒势宽度增大而增大；电子能量随阱宽增大而减小，而寿命随阱宽增大而增大；层间相 互作用对结果有重要影响. 关键词： 球状纳米系统 电子能量和寿命 电子概率分布 势垒势阱宽度     

Morse势阱中子带间的光吸收

研究了Morse势阱中子带间的光吸收,并且利用密度矩阵算符理论和迭代方法,推导出了线性和三阶非线性子带间的光吸收系数的解析表达式,然后以GaAs/AlGaAsMorse势阱为例进行数值计算。结果表明,线性吸收系数是正的,为总吸收系数作出积极的作用,而三阶非线性吸收为负,抵消了一部分线性吸收,进而得到总的吸收系数;吸收系数随着入射光强度的增大而减小,即出现吸收饱和现象;当势阱参数a增大时,吸收系数增大,即阱宽较窄时,系统吸收的能量较多。若要获得较大的光学吸收系数,就要输入较小的光场强度,并选择适当的势阱参数a和入射光频率。     

静电场作用下双势阱分子隧道效应的猝灭及能级裂距的非线性特性研究

讨论了在静电场作用下，双势阱分子中波函数随外加静电场定域的动态过程，以及能级裂距与外加静电场的关系.证明了静电场作用后，能级裂距既受隧道效应的影响，又受外加静电场的影响.所加静电场较小时与外场强度呈非线性关系，当外加静电场较大时，Stark效应对能级裂距的影响占了主导地位，使能级裂距随外加静电场线性地增大. 关键词： 双势阱 静电场 隧道效应 能级裂距     

一维无限深方势阱的力公式及在费米气体中的应用

本文得到了一维无限深方势阱单个粒子对缓慢移动阱壁作用力的解析公式.该结果被推广到势阱中有多个无相互作用费米子的情况.在绝对零度时,多粒子相干力主要来源于最高能量本征态和比它高一级的能量本征态之间的相干效应.     

无限势阱中负δ势的低能态

给出了无限势阱中负的δ势存在能量等于或小于零低能态的必要条件,并给出相应能态波函数的表示式和能级公式.     

有限深球方势阱研究Au纳米粒子自组装体系的I-V特性

本文在量子点的球方阱模型基础上，利用转移哈密顿法计算了纳米粒子自组装体系电子的跃迁几率，在此基础上，通过求解电子跃迁的主方程即可得到该体系的隧穿电流与偏压的关系。     

三元相关性量子行为粒子群优化算法研究

为了提高QPSO算法的收敛性能,在对随机因子进行分析的基础上提出了三元相关性QPSO(TC-QPSO, ternary correlation QPSO)算法。该算法使用正态Copula函数建立了粒子对自身经验信息、群体共享信息以及粒子当前位置与群体平均最好位置的距离信息之间的内在认知和联系,并利用Cholesky平方根公式给出了三元相关因子的生成方法。对测试函数的仿真结果证明,当三元相关因子u与r1或r2之间存在负线性相关关系时,TC-QPSO算法可以获得比标准QPSO算法更好的优化性能。     

量子力学中无限深势阱问题的教学研究

在一维问题的基础上探讨了二维无限深势阱的问题,发掘二维无限深势阱在不同边界约束情况下不同于一维问题的特征和应用.