首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   12428篇
  免费   2166篇
  国内免费   1165篇
化学   1407篇
晶体学   51篇
力学   420篇
综合类   181篇
数学   1763篇
物理学   3353篇
无线电   8584篇
  2024年   106篇
  2023年   335篇
  2022年   425篇
  2021年   457篇
  2020年   266篇
  2019年   357篇
  2018年   215篇
  2017年   340篇
  2016年   393篇
  2015年   508篇
  2014年   1035篇
  2013年   716篇
  2012年   841篇
  2011年   932篇
  2010年   893篇
  2009年   1070篇
  2008年   1177篇
  2007年   804篇
  2006年   733篇
  2005年   758篇
  2004年   591篇
  2003年   452篇
  2002年   321篇
  2001年   344篇
  2000年   260篇
  1999年   227篇
  1998年   171篇
  1997年   184篇
  1996年   161篇
  1995年   125篇
  1994年   114篇
  1993年   84篇
  1992年   95篇
  1991年   74篇
  1990年   71篇
  1989年   61篇
  1988年   16篇
  1987年   14篇
  1986年   9篇
  1985年   4篇
  1984年   7篇
  1983年   6篇
  1982年   3篇
  1981年   3篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 234 毫秒
931.
Semi-insulating (SI) GaN is grown using N2 as the nucleation layer (NL) carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.  相似文献   
932.
We report the long time dynamical behaviour of ac Stark effect in a simple quantum model in which two level atoms interact with quantized coherent radiation field. A new phenomenon of periodic quantum collapse and revival of the ac Stark shift of energy level due to ac Stark effect is expressed accurately by analysing the phase of transition probability amplitude. The analytic prediction is confirmed by the numerical results.  相似文献   
933.
在各种体育运动项目中,都包含有大量的物理学知识.比如,在投掷标枪的过程中,运动员需完成助跑、引臂、最后用力掷出以及用力后的缓冲等一系列动作,在这一系列的动作中,包含着哪些物理知识呢?下面,我们就各个动作过程加以说明.助跑:助跑是整个技术中时间最长,动作环节最多的阶段,其目的是使人体和器械获得预先的动量和为最后投掷创造良好的身体用力条件.标枪在助跑中获得的预先速度是有限的,有人研究只相当于器械出手速度的20%,  相似文献   
934.
通过实验测量和理论分析, 从载流子动力学角度研究了用于脉冲辐射探测的CVD金刚石薄膜探测器的适用结构、电荷收集效率和时间响应性能. 结果表明, CVD金刚石薄膜可以制成均匀型结构的探测器; 薄膜中的缺陷会降低探测器的电荷收集效率, 探测器的电荷收集效率随场强增大而增大直至饱和. 已研制的CVD金刚石探测器电荷收集时间可达719ps, 在2.5V/μm场强下达到饱和, 电荷收集效率 达60.5%; 晶格散射是影响探测器时间响应的主要因素, 选用大晶粒甚至单晶金刚石薄膜可以提高探测器时间响应.  相似文献   
935.
杨振峰 《光子学报》2007,36(B06):202-204
研究了几周期超短余弦-高斯脉冲的时间重心与绝对相位以及与余弦函数参量之间的关系.给出了几周期超短余弦-高斯脉冲时间重心的解析表达式和模拟图形.结果表明,余弦-高斯脉冲的时间重心随着绝对相位的变化而发生漂移,并且脉冲宽度对余弦-高斯脉冲时间重心的漂移量也有一定的影响.余弦函数的参量在一定取值范围内对余弦-高斯脉冲也有较大的影响,它可能导致几周期余弦-高斯脉冲的时间重心有较大的漂移.  相似文献   
936.
《光谱实验室》2007,24(1):80-80
惠更斯1645年在莱登大学攻读数学和法律,两年后进入布雷达学院,1655年和1660年两度访问巴黎,此时他由于早先发表的数学论文和1659年发现土星光环的形状已经蜚声欧洲。1655年3月又发现了土星的一个卫星。他对时间精确测定的关心,导致单摆作为时钟调节器的发明。他是法国科学院的创始人之一。同德国数学家莱布尼兹结为挚友。1673年出版的《摆动的时钟》中,推导出单摆振动时间的公式以及匀速圆周运动的离心力公式等。  相似文献   
937.
针对多传感器数据融合系统中观测数据时间不同步的问题,采用常系数滤波算法与Lagrange插值法结合进行时间配准,并用仿真的方法验证了此配准方法有效。与现有算法比较,此方法可与目标跟踪同步进行,配准实时性强,且简单,可提高融合效率。  相似文献   
938.
7月11日,重庆电信公司时间同步网工程顺利通过初验并投入使用。这标志着重庆电信正式启用新的二级时间源服务器。[第一段]  相似文献   
939.
迈克几乎难以抑止自己喷薄欲出的热情--在汤柯钢铁公司工作了整整10年后,他第1次被安排负责1个非常重要的特殊项目,如果能圆满完成,他将有望提前晋升为副总裁.过去的4个月中,他一直领导着一支团队,制定公司的中国战略,并向CEO提交了正式方案:与中国某大型钢铁公司--A公司的战略合作计划.实际上,迈克和他的团队已经与A公司协商好了合作条件,A公司是在考察了其他3个竞争对手后选择汤柯的.此时,时间就是一切,迈克希望能在第2天签好合同.  相似文献   
940.
古儒 《IT时代周刊》2007,(18):56-57
全球PC市场排名近日再一次被改写,宏基在一个季度后重新成为世界第三大PC厂商.不过,曾同列前十的Gateway已经消失——正是它的份额提升了前者的排名.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号