超磁致伸缩材料在骨传导听觉装置上的应用

超磁致伸缩材料(简称GMM)是制作低频换能器的理想功能材料。介绍了GMM的磁致伸缩机理及其本身特性;与传统磁致伸缩材料以及当前广泛应用在骨传导听觉装置上的电磁和压电材料进行了分析比较;综述了GMM在骨传导听觉装置上的应用现状;重点介绍了骨传导发音振子的设计构想,并且对超磁致伸缩式骨传导听觉装置在军事通信上的应用进行了展望。     

高压功率VDMOS元胞的研制

基于Sentaurus TCAD仿真软件,在外延层参数与生产工艺确定的情况下,通过调整元胞的多晶硅长度优化特征导通电阻,并通过对版图元胞面积的准确计算,设计了三款导通电阻目标值为2.4,3.0和3.3Ω的高压功率VDMOS芯片。流片结果显示,导通电阻的平均值与版图计算值吻合度均超过96%,表明了该设计方法、仿真参数及版图设计具有较高的可靠性。     

中兴通讯信息

中国联通携手中兴通讯、惠普公司:近日,中国联通、中兴通讯和惠普,共同在ETSI NFV行业规范组框架下开展“Vo LTE Service based on v EPC and v IMS Architecture”网络功能虚拟化(NFV)概念验证(Po C)项目,全面验证基于SDN/NFV的端到端Vo LTE业务,推进网络功能虚拟化行业进程,践行中国联通所倡导的“网络即服务”理念。     

基于有线电视网络系统的无线接入网延伸解决方法

为实现网络的无缝覆盖,同时又节约资源投入,多网融合一直是各大通信运营商和广电运营商不断研究的方向。为更好地解决网络延伸覆盖最后1 km,特别是室内覆盖入户难的问题。对基于有线电视网络系统的无线接入网络延伸组网方法进行了研究分析,并在典型场景下进行实地测试,结果表明基于有线电视网络系统的无线接入网络延伸组网方法在多网融合情况下,能有效解决室内覆盖入户难的问题,并让网络覆盖效果达到优良,在后期工程中具有推广价值。     

平板显示与混合信号集成电路设计研究室

<正>南开大学电光学院平板显示与混合信号集成电路设计研究室成立于2013年8月份,隶属于南开大学,教育部光电信息科学重点实验室,教育部光电子工程中心和光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。由原来的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所硅基微显示课题组和南开大学微电子工程系共同组成,专业方向为硅基微显示器件、微纳电子器件和数模混合集成电路设计。从1998年开始,该研究室在教育部和天津市科委支持下,在孙钟林先生的带领下,率先在国内开展了LCoS微显示技术的研究,     

时尚与音质兼具Pioneer XW-LF3-T无线便携式音箱

在智能手机的使用越来越普遍的当今社会,聆听音乐的方式大多是戴上耳机独享,若是想要分享音乐给朋友听,手机的音量又嫌不够力,只要周围的声音一多,手机声音就听不见了.所以搭着智能手机、平板的热潮,蓝牙类的无线音箱也趁势崛起,不受空间与线材限制的特性,让便携式的无线音箱在使用上有更大的自由度,在家中任何角落享受音乐已不是什么难事了.除了体现数码产品走向小体积之外,也说明了现代人越来越喜欢便携式的产品,因此,以小体积、便于携带为特色却可将音乐分享出去的蓝牙音箱产品也渐趋兴盛起来.     

碟报

Theta Digital Casablanca IVa咨询电话:021-62681 286/62681772网址:www.thetadigital.comHi-end音响制造商Theta Digital(飞腾数码)宣布将推出两款旗舰级、可同时兼顾音乐和电影音效的环绕声前级放大器:Casablanca(卡萨布兰卡)IVa和Casablanca V。Casablanca IVa增加了对3D环绕声格式的解码功能,包括Dolby Atmos和Auro-3D,未来还能升级到DTS Headphone:X(DTS:X)。此外它还保留了Dirac Live 96k     

NCP1654:300W PFC控制方案

On Semi公司的NCP1654是用于连续导通模式(CCM)功率因素修正(PFC)预转换器,和IEC61000-3-2兼容,具有快速瞬态响应特性、非常少的外接元件和很低的起动电流(小于75μA),主要用在平板电视、台式PC、白色家电、开关电源和AC适配器等方面。NCP1654是一个控制器,用于连续导通模式(CCM)功率因数校正升压预转换器。它在固定的频率模式,并依赖瞬时线圈电流,来控制电源开关的导通时间(PWM)。该器件为SO8封装,该电路最大限度减少了组件的数量,并大幅简化了PFC的执行。它还集成了高度安全保护功能,使NCP1654成为可用于PFC的驱动器,就像一个有效的输入电源失控钳     

塑封倒装焊器件DPA试验流程研究

倒装焊器件与常规的引线键合结构不同,现行的DPA标准不能完全适用于倒装焊结构.结合现有标准和倒装焊器件结构特点,以某塑封倒装焊集成电路器件为例,提出一套经过试验验证的、实用性强的倒装焊器件DPA试验流程.在原来标准的基础上提出了对BGA焊球材料成分分析、底充胶检查的超声扫描要求、芯片凸点结构检查等一些新的DPA要求.BGA焊球材料成分分析是使用能谱分析实现的,而芯片凸点结构检查则是通过对器件进行研磨开封实现的.经过试验验证,该流程方案可用于倒装焊集成电路器件的实际DPA工作.     

Ka波段GaN HEMT功率器件

设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用AlN插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度.采用场板结构提高了器件击穿电压.采用T型栅工艺实现了细栅制作,提高了器件高频输出功率增益.采用钝化工艺抑制了电流崩塌,提高了输出功率.采用通孔工艺减小源极寄生电阻,通过优化钝化层厚度减小了寄生电容,提高了器件增益.基于国产SiC外延材料及0.15 μm GaN HEMT工艺进行了器件流片,最终研制成功Ka波段GaN HEMT功率器件.对栅宽300 μm器件在29 GHz下进行了微波测试,工作栅源电压为-2.2V,源漏电压为20 V,输入功率为21 dBm时,器件输出功率为30 dBm,功率增益为9 dB,功率附加效率约为43％,功率密度达到3.3 W/mm.