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951.
一类规范的类正弦VMSK调制的功率谱分析 总被引:16,自引:0,他引:16
调制技术对数据传输效率有重要的意义。本文对类正弦VMSK调制方法进行了研究,提出了该类调制的规范型,推导了它的功率谱解析表达式,并对功率谱、带宽效率及其与抗干扰性能关系进行了分析,为有关该类VMSK后续研究和开发工作奠定了基础。 相似文献
952.
953.
954.
论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计。一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4 W功率放大器中进行仿真和实际制板测试。实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 d Bm时改善二次谐波13 d B,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器。在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 d Bm时改善二次谐波28 d B,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器。 相似文献
955.
从上世纪90年代初开始,基于硅平面工艺的IGBT开始在工业领域应用。随着工艺技术的发展,硅基IGBT提高了开关速度,降低了功耗,从而进一步提高了性能。然而,IGBT作为一种双极型器件,具有相对低的开关速度及较高的开关损耗。为进一步使用好IGBT模块,许多公司研发出与之性能相匹配的快恢复功率 相似文献
956.
A 35-130 MHz/300-360 MHz phase-locked loop frequency synthesizer for △-∑ analog-to-digital con- verter (ADC) in 65 nm CMOS is presented. The frequency synthesizer can work in low phase-noise mode (300-360 MHz) or in low-power mode (35-130 MHz) to satisfy the ADC's requirements. To switch between these two modes, a high frequency GHz LC VCO followed by a divided-by-four frequency divider and a low frequency ring VCO followed by a divided-by-two frequency divider are integrated on-chip. The measured results show that the fre- quency synthesizer achieves a phase-noise of-132 dBc/Hz at 1 MHz offset and an integrated RMS jitter of 1.12 ps with 1.74 mW power consumption from a 1.2 V power supply in low phase-noise mode. In low-power mode, the frequency synthesizer achieves a phase-noise of-112 dBc/Hz at 1 MHz offset and an integrated RMS jitter of 7.23 ps with 0.92 mW power consumption from a 1.2 V power supply. 相似文献
957.
首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿电压从50V迅速增大到400V,电压增幅达350V。采用长度为3μm源场板结构将器件击穿电压明显地提高,击穿电压增加约为475V,且有着比硅基器件更低的比导通电阻,约为2.9mΩ.cm2。器件模拟结果表明,因源场板在远离栅边缘的漂移区中引入另一个电场强度为1.5MV/cm的电场,从而有效地释放了存在栅边缘的电场,将高达3MV/cm的电场减小至1MV/cm。微波测试结果表明,器件的特征频率fT和最大震荡频率fMAX随Vgs改变,正常工作时两参数均在千兆量级。栅宽为1mm的增强型功率管有较好的交直流和瞬态特性,正向电流约为90mA。故增强型AlGaN/GaN器件适合高压高频大功率变换的应用。 相似文献
958.
959.
本文为W波段辐射计设计了一副口径为300mm偏馈反射面天线,天线要求的工作频率为94.5GHz,副瓣电平低于-25dB,交叉极化电平低于-30dB,半功率波束宽度优于1?。文中采用较小偏置角以改善偏置天线的交叉极化特性,采用焦面场匹配法和模比利用法设计了匹配馈源,通过仿真优化设计,得到良好的波瓣等化电平和驻波比。测量结果表明,测量值与理论值吻合,满足辐射计的指标要求。 相似文献
960.