非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

Ad hoc中一种新的基于簇的功率控制算法

本文提出了一种Adhoc中新的基于簇的算法,并在此基础上就功率控制问题进行了模拟仿真。结果表明,我们的方法性能更优。     

自适应RBF神经网络在CDMA移动通信上行链路功率控制中的应用研究

提出了一种自适应RBF神经网络功率控制方案。详细研究了该网络在DS-CDMA通信中，进行上行链路闭环功率控制(基于信扰比(SIR))的应用理论，给出了该网络参数的计算方法。最后用计算机仿真法模拟出该控制器的运行性能。结果表明基于SIR的自适应RBF神经网络功率控制器能自适应地调整移动台的发射功率，使基站接收信号的信扰比始终非常接近于一个常数，且有比定步长功率控制更小的SIR跟踪误差，从而可以降低接收信号的中断概率、提高信道容量。     

移动电子产品继续推动功率半导体器件发展

按美国市场调查公司通信工作调查(CIR，Charlottesville，Va)的最新报告得知，今后几年用于移动产品，诸如笔记本电脑、电池电话、个人数字助理(PDA)和手提DVD唱机等，仍将强劲地推动市场增长。预计，在这些移动电子设备中用作功率管理的功率集成电路和相关的分立器件     

结构改进的高压VDMOS功率晶体管

本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。     

PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究

采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C：F，研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系，测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数，并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分，发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关，其介电性与其化学结构以及沉积条件密切相关。     

高峰值功率重频脉冲固体激光器

综述了高峰值功率重频脉冲固体激光器的发展现状，对其中的Ｑ开关、腔倒空、锁模等窄脉冲技术和放大技术进行了分析，展示了高峰值功率重频脉冲固体激光器的发展前景。     

In－BiCaVIG的晶体生长与性能

本文报导了用助熔剂法成功地生长大尺寸掺铟ＢｉＣａＶＩＧ晶体的方法以及实验结果，介绍了该单晶在近红外区的磁光器件中的重要应用。