600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管

６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...     

单模光纤中模耦合微扰功率谱与偏振关系的研究

提出用测量光纤偏振耦合率来确定模耦合系数，从而得到耦合微扰功率谱与双折射关系。它给出了光纤拉制中微扰作用 的信息，是研制偏振光纤的一种有效方法。     

改进电视信号中的消隐电平可扩大发射机的覆盖面积

本文从电视发射与接收技术的现状出发，经过理论分析和计算，提出改进调制载波的全电视信号中的消隐信号，在发射机额定功率不变的情况下，可以扩大现有的服务面积，作为参考，本文还给出一个在实验室中改进电视号的实例。     

关于延长功率发射管使用寿命的实践

关于延长功率发射管使用寿命的实践四川省广播电视厅５０６台罗茂生大型电子管是发射机的关键部件，价格昂贵，ＵＨＦ发射管的价格高于同功率ＶＨＦ发射管。使用中，发射管遇到的问题是寿命短，容易损坏。因更换发射管所花的费用在不断增加，降低发射台维护费的措施之一就...     

一种新型功率变换模块及应用

介绍了RF系列AC/DC功率变换模块的结构，主要性能指标及应用中应注意的问题。     

Ce偶-偶同位素低激发态性质的IBM2描述

通过考虑同类核子相干对间的四极相互作用，在IBM2中对Ce偶－偶同位素^128Ce-^138Ce的低激发态能谱和E2跃迁几率及分支比进行了理论分析，计算结果有效地改善了IBM中这些核的γ带能谱的Staggering现象描述，与实验观察到的低激发态结果基本一致。     

PVC敏感膜组分比对K~＋─ISFET响应特性的影响

本文研究了以二苯并—３０—冠—１０作为敏感物质的ＰＶＣ膜Ｋ~＋—ＩＳＦＥＴ传感器，以及改变膜中的敏感物质和增塑剂的组分比对Ｋ~＋—ＩＳＦＥＴ响应特性的影响．同时，对Ｋ~＋敏感膜的响应机理进行了讨论。实验结果与理论分析相符。     

受激喇曼散射在掺铒光纤放大器中的影响

本文在分析了均匀掺杂分布式光纤放大器（d－EDFA）的基础上，提出了沿传输方向掺杂浓度单调下降（单变），和降升结合（两变）的两种渐变型分布式光纤放大器，并用传输方程研究了透明传输和最佳掺杂浓度下，受激喇曼散射对均匀、单变和两变型三种d－EDFA的各种特性的影响．     

TC2模型与轻子味破坏过程l_i→l_jν_l_l

许多超出标准模型的新物理预言了非普适规范玻色子Z′的存在 .此粒子可产生许多新物理现象 .本文计算了顶色辅助的人工色 (TC2 )模型预言的非普适规范玻色子Z′对轻子味破坏 (LFV)衰变过程li→ljνl νl 的贡献 .结果表明 ,在整个参数空间内 ,过程τ± →ljντ ντ 的分支比比τ± →ljνl νl(l =μ ,e)的分支比大得多 .考虑实验测量值上限Brexp(μ→ 3e)≤ 1× 10 -12 对TC2模型的自由参数的限制 ,我们给出了一些轻子味破坏过程的上限 .在大部分参数空间中 ,分支比Br(τ± →ljντ ντ)～ 10 -6,Br(τ± →ljνl νl)～ 10 -9.这些结果可以用来部分地解释中微子振荡数据 ,将来的高能实验有可能探测到此新物理效应 .