113W主振荡功率放大结构1018nm全光纤激光器

高亮度抽运源和有效的热管理方案是实现高功率光纤激光输出的关键。受限于目前高亮度激光二极管的制造工艺水平,由激光二极管直接抽运的掺镱光纤激光器输出功率一直停留在千瓦级水平。采用1018nm光纤激光对掺镱光纤进行同带抽运,可在提高抽运源亮度的同时降低掺镱光纤内的热负荷,被公认为是进一步提升掺镱光纤激光器输出功     

全光纤结构掺铥光纤激光器实现百瓦级高功率输出

2μm波段光纤激光在医疗、激光雷达以及非线性频率转换等领域具有重要的应用价值,成为各国研究的热点。全光纤结构具有易于系统集成、热管理简单以及更具实用性的特点,越来越受到人们的广泛关注。国外采用全光纤振荡主功率放大(MOPA)结构已经获得了千瓦级高功率输出,且百     

高清DSNG新闻采访卫星车系统集成

青海广播电视台于2011年10月开始建设高清DSNG新闻采访卫星车,现已完成集成验收工作.高清DSNG新闻采访卫星车系统由卫星传输系统和音视频系统两部分组成,着重从链路计算、设备选型、系统构成、技术指标、系统监控等方面介绍了卫星传输系统.     

ESOTERICI-03合并式放大器

I-03是ESOTERIC最新的合并式放大器．采用了。MSW纯D类”放大方式、双320W单声道模块功率放大级和双单声道前级分区,这些郡是从ESOTERIC曾获得多次大奖的C-03前级放大器当中提炼出来的技术精华。具备高解析力的前级处理和同级产品中领先的音箱驱动功率。     

基于STM32的LF RFID阅读器研究

基于STM32的LF RFID识别系统,可以对电子标签卡进行检测、识别,并对识别的信息进行相应的处理。阅读器硬件由控制模块、功率模块、天线、检波电路和信号转换电路组成。控制模块以STM32为核心,利用STM32具有死区设置的互补PWM模块对MOSFET对管进行控制来实现天线的功率输出,同时利用STM32对检波后的信号进行捕获并解码。实际应用表明,该系统具有实现简单、可靠性高等特点。     

性能优良的乙类高保真功放电路

<正> 一提到乙类放大器,尽管大家都知道这是一种非常经济的功放电路,其静态功耗几乎为零,但是由于交叉失真一直是实现其高保真的心腹大患,所以经常被音响发烧友们排除在外。 本文首先对乙类功放实现高保真的基本原理进行分析,然后在克服传统电路缺点的基础上提出一个全新的设计方案,并给出一个100W放大器的实例。 通常,一个音感灵敏的音响发烧友不难直接从听觉上分辨出甲类和乙类放大器,特别在放音过程中遇到响度较低时。但按本文介绍的方案组装的乙类放大器,经多位高保真发烧友反复鉴别,没有人能从听觉上感觉出其与经典的单端甲类功放的区别。     

砷化镓混合功率放大技术在有线电视系统应用中的优势

早在30年前,砷化镓场效应管(GaAs FETs)就已经被提出来,最初是应用于军事微波,例如作为行波管固态替代品,在这些年里,砷化镓FETs在其价格、性能以及可靠性方面均有稳定持续的改善。在过去的10年里,从卫星接收机到蜂窝电话,再到先进的CATV机上接收机的诸多领域中,砷化镓FETs都投入了越来越多的商业应用。据1996年Data Quest调查,砷化镓设备在总半导体市场占     

一种低频交变磁场发生器的设计与实现

为解决生物学实验中作用磁场频率单一、低频控制较差、交流输出控制不佳等问题,设计了一种用于生物学实验研究的低频交变磁场发生器。满足输入波形（正弦波、方波和三角波）可调,磁场发生装置中的磁场强度拟定为对细胞产生作用的0～200 mT,频率在0～1 kHz连续可调。采用硬件设计信号发生器,用户可以手动选择参数,输出一定频率和强度的信号波形,经功率放大电路放大后,在负载线圈中产生交流电信号,从而产生相同频率的交变磁场,经锁相放大器测量,来考察输出磁场的大小与频率范围。所设计的磁场发生器输出频率在0～1 kHz连续可调,场强达到200 mT的指标,最大可超过300 mT。     

基于简单MOPA结构实现3.08 kW全光纤窄线宽线偏振激光输出

基于简单的主振荡功率放大结构,演示了一种高功率窄线宽线性偏振全光纤激光器,其最大输出功率为3.08 kW,3 dB线宽为0.2 nm。在整个功率缩放过程中,偏振消光比约为94%,光束质量M ²约为1.4。这是国内外首次实现3 kW全保偏光纤激光输出,与基于相位调制的窄线宽激光器相比,该激光器可实现近似的线宽,同时具有受激布里渊散射阈值高、系统结构简单、成本低等特点。     

磁压对级联爆磁压缩脉冲发生器性能的影响

为了研究负载为mH量级的间接馈电两级级联柱-锥构型的爆磁压缩产生器的基本物理过程和能量转换机理,利用描述爆磁压缩物理过程的2维爆轰磁流体力学程序MFCG(Ⅴ),以实验模型结构参数为基础模拟计算了一系列模型,分析了磁压对金属套筒径向膨胀速度及膨胀过程的影响。计算结果表明：套筒的径向膨胀速度取决于爆轰压与磁压的共同作用,在爆磁压缩过程的绝大部分时间里,向外膨胀的爆轰压都远大于向内压缩的磁压,因而套筒的径向膨胀速度主要是由爆轰压决定;但是在功率放大级的后半段,也就是发生器电流增长最快阶段,磁压也迅速增长,它的增长大大降低了套筒的径向膨胀速度;在功率放大级的后期,磁压已经超过爆轰压,它对系统设计的影响已经不能完全忽略。