CDMA2000 EV-DO系统与1X系统反向功率控制机制比较

文章对比了CDMA2000EVDO系统及1X系统反向功率控制机制的异同，并结合功率控制过程对EV—DO系统的反向外环功率控制参数进行了描述。     

美国国家半导体产品概览

发光二极管灯光管理系统；低功率的发光二极管灯光系统；高功率灯光系统。     

利用补充分组编码降低MIMO-OFDM系统峰均比

多输入多输出正交频分复用（MIMO—OH）M）系统已成为第四代移动通信系统研究中的热点，而OFDM系统产生的高峰均功率比（PAPR）是限制MIMO—OFDM技术实用化的主要障碍之一。详细介绍了补充分组编码技术的基本原理，并通过仿真与测试的结论与其他编码技术进行了比较，验证了此编码技术对降低峰均功率比确实具有很好的效果。     

Andiore Search Reference 610T单声道后级功率放大器

美国真空管知名老厂Audioresearch，近来可说是动作频频，连续推出了多款重量级的制品，继前阵子发表的旗舰前级Reference 3之外，还推出了一款堪称怪兽级的单声道旗舰后级Reference 610T，为什么会说它是怪兽级呢？看看上面使用的真空管数量就知道了，610T总共用上了19支真空管，增益级用的是两支双三极6NIP与一支军规6H30，功率管部分则是用了八对6550C。用上这么多真空管，当然大家最担心的还是管子寿命、偏压的调整与真空管产生高热等三个问题，而所有这些问题Audioresearch都考虑到了。610T上使用的真空管寿命至少达2000小时以上，偏压的调整钮设有两个，加上真空管采开放式地设置在机器的最上方，如此一来便能自然的散热。另外610T还有一个与以往不同的地方，就是所有的信息都显示在一个与Reference 3前级相同的大型液晶面板上。至于大家最关心的功率输出，单声道能输出足足600W，这项成就绝非一般的功率放大器能达到。     

瑞萨发布LFPAK-I上表面散热型封装

日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装，作为新的功率MOSFET封装形式．它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性，通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品．现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率     

低RDS（ON）功率MOSFET实现更信的汽车性能

随着人们对驾驶室功能的需求不断增加，以及大型汽车对发动机的功率连同行驶里数的需求不断上升．新型低阻抗功率NOSFET遂应运而生．可实现汽车从传统的发电系统和液压系统转移到电子系统。这些新型低阻抗功率MOSFET有助于在增强汽车的舒适性和安全性的同时提高行驶里数。     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，     

Ad hoc网络技术讲座第4讲 Ad hoc网络中的功率控制与节能技术（上）

本文首先介绍了在Ad hoc网络中引入功率控制与节能技术的背景，然后对Ad hoc网络中常用的功能控制技术和节能技术进行了归纳和分析，并对某些典型协议的工作过程及相关结论予了阐述，最后给出了国际上相关研究的发展动向。