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NCl(a~1Δ)自猝灭对NCl(a~1Δ)/I激光能量提取的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用连续流平面型光腔动力学模型对NCl(a1Δ)/I 激光体系进行了模拟计算,探讨了温度在300 K 时NCl(a1Δ)自猝灭对NCl(a1Δ)/I激光能量提取的影响。计算结果表明,NCl(a1Δ)自猝灭反应对光腔位置的选取、功率密度沿流动方向的分布和总输出功率都有较大的影响。其中,光腔位置的可选范围大大缩短,在较小的初始HI粒子数密度和适当的输出镜反射率下总输出功率大幅度降低,而随着HI粒子数密度的增加,NCl(a1Δ)自猝灭对总输出功率的影响逐渐减小。 相似文献
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仙童半导体公司(Fairchild Semiconductor)的智能功率模块(Motion—SPM^TM)FSBB20CH60由于具备卓越的电机控制性能和系统可靠性,因此被富士通通用公司(Fujitsu General)选用于其空凋设计中,让富士通通用的设计人员能够迅速将节能空调推向市场。这款高效、紧凑的Motion—SPM模块集成了多种功能块,满足了逆变系统设计人员对高能效的要求,同时提供了简化的电机设计和系统的高可靠性. 相似文献
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本文提出了一种在色序显示中LED背光源的功率小型化技术。在通过以略化LED背光源来降低其功耗的同时,以保持相同图像逼真度的方法来保持图像质量,上述图像逼真度是通过按比例调节LCD透射率。以提高图像亮度及对比度来获取的。 相似文献
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746.
《电子产品世界》2006,(9X):34-35
德州仪器(TI)推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4.5V至8.8V电压控制MOSFET栅极,从而实现了高效率和低电磁卜扰(EMl),在7V至8V电压范围内时,器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器,驱动器的0.4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平,以确保高dV/dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。 相似文献
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749.
针对传统系统辨识存在的缺点,提出了基于预报误差法的神经网络辨识方法,将神经网络的预报误差法应用于系统辨识中,通过调节神经网络连接权值可使网络输出逼近系统输出。神经网络作为实际系统的辨识模型,可以用于在线控制。仿真实例表明其收敛速度快于BP算法。 相似文献
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