N个衰减片杂斑特性表征及抑制方法

在分析单个衰减片、一对类V字型排列的衰减片、一对平行型排列的衰减片光斑分裂特征的基础上,给出N个衰减片使用时,光斑能量分裂、分裂光斑各级中心间距及重叠部分的表征方法.探寻出2种有效的解决方案,并给出详细的设计方法、使用方法.研究结果表明:存在最优入射角,可使各级杂斑间距最大,对于折射率为1.4～1.7的常用的衰减片介质...     

一种复杂车辆图像中的多车牌定位方法

针对复杂背景中多个车牌的定位问题,提出一种新的定位方法.该方法综合利用边缘检测、连通域分析、倾斜矫正等多种方法,解决了复杂背景中定位难的问题.能够准确定位杂乱背景中的车牌,对天气、光照变化、车牌在图像中的移动和旋转等,具有良好的适应能力.该方法为后续的字符分割和字符识别提供旋转角度、字符区域定位信息.     

用于WDM光网络的一种低串扰无损耗光开关矩阵

提出了一种低串扰无损耗的光开关矩阵.该结构是在扩展Benes（DB）结构的基础上通过改进得到的称为改进的扩展Benes（IDB）结构,并通过进一步的改进得到各级改进的扩展Benes（GIDB）结构.理论分析了IDB结构和GIDB结构中串扰产生的机理和对信号的影响,比较了几种结构的信噪比和光交换容量之间的关系.发现随着光交换规模的扩大,GIDB结构相对于DB结构信噪比明显提高.实验研究了4×4的IDB、GIDB结构中串扰引起的误码率降低以及眼图的恶化情况.结果表明GIDB结构能有效减少串扰的影响.     

基于角点和Hu矩不变量的可见光和红外图像自动配准方法

针对红外图像与可见光图像的自动配准问题,提出了一种基于图像角点特征和透视变换模型的方法.首先采用自适应阈值对红外与可见光图像进行分割,然后利用Harris因子分别在分割后的红外和可见光图像上检测角点.通过分析角点邻域在原始图像上的相关性实现角点的粗匹配.接着通过RANSAC算法对角点进行细匹配,删除outliers,再...     

中国大陆及邻近海域的中强地震热红外异常研究

应用中国静止气象卫星FY-2C/2E遥感亮温资料,通过小波变换和计算相对功率谱,分析提取了中国大陆及邻近海域14次中强地震的热红外异常特征。其特征为:(1)异常具有明显的特征周期。大陆地震的周期主要为13天和64天,海域地震的周期都在32天以下。震中位置相近的地震具有相同的特征周期;(2)异常的最大幅度明显且易于识别。幅度都在8倍以上,最高甚至达到20倍;(3)地震多发生在异常区域的内部及其边缘,异常出现与消失的过渡区域是可能的震中位置;(4)干旱地区大陆地震的特征周期较长,潮湿地区的较短;(5)最大异常出现时间与地震发生时间的关系、异常峰值与震级的关系尚不明确;(6)对比大陆地震与海域地震,二者在异常幅度、异常出现时间与地震时间的关系、异常幅度与震级的关系等方面存在相似性,在特征周期和异常范围方面的表现有所不同。     

醋酸氟氢可的松片的研制

采用粉末直接压片法,通过处方筛选、工艺优化及体外药物释放特征研究,进行醋酸氟氢可的松片的研制.以纤维素-乳糖复合辅料作为稀释剂、硬脂酸镁作为润滑剂,进行混合压片,测定自制制剂的溶出曲线,采用f2相似因子法评价自制制剂和参比制剂的体外释放曲线.硬脂酸镁最佳用量为0.5％、片剂最佳硬度为60～80 N,在优化条件下,自制制...     

一种宽频带大动态AGC电路设计

针对自动增益控制电路高频率、宽频带及大动态的需求,设计了一款高频宽带大动态AGC电路.文中通过采用AGC耦合信号窄带化的方式,解决了宽带电路躁底抬高导致功率检测不准的问题.此外,文中采用两级压控增益放大器级联的方式实现了AGC电路的大动态,并加入输入输出放大滤波电路,提高了信号纯度.根据文中设计,实测AGC电路在信号频...     

多电飞机高压直流电力系统稳定性分析

大量使用的恒功率负载对飞机电网稳定性有至关重要的影响.分析了恒功率负载的特性,建立了多电飞机高压直流电力系统的等效电路模型,基于小信号分析法研究了恒功率负载变化对系统稳定性的影响.研究结果表明,恒功率负载增大会使系统的稳定性降低,而为其并联容性负载可以延缓稳定性降低的趋势.为保护系统,设计了参考电压控制器,重载时降低负...     

PHS干放自动测试系统的实现

本文详细论述了中国电信广东省公司无线技术测试中心PHS干放自动测试系统的设计原理和实现方法,同时给出了PHS干放关键技术指标(标称功率和三阶交调)的计算机自动测试算法.最后叙述了该自动测试系统的创新性特点.     

功率半导体国产替代进程加快,两大国产IGBT厂商加速上市

华创证券分析师耿璨认为,随着5G带来的万物互联及基站、数据中心数量的迅猛增长,及汽车电子化程度的不断提升,MOSFET及IGBT有望持续放量,带动功率半导体市场实现较快增长。国金证券也认为,2021年,功率半导体将在需求增长+涨价+国产替代的利好驱动下迎来发展良机,产业链积极受益。