瑞萨发布LFPAK-I上表面散热型封装

日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装，作为新的功率MOSFET封装形式．它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性，通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品．现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率     

数据通信的应用前景

数据通信是通信技术和计算机技术相结合而产生的一种新的通信方式。要在两地间传输信息改变面貌 有传输信道，根据传输媒体的不同，有有线数据通信与无线数据通信之分。介它们都是通过传输信道将数据终端与计算机联结起来，而使不同地点的数据终端实现软、硬件和信息资源的共享。     

综合信息

~~综合信息     

16×10.7 Gb/s 1 600 km普通单模光纤环路传输研究

利用双折射光纤环设计了可调功率均衡滤波器,实现了16路16×10.7 Gb/s NRZ码、超过1 600 km常规单模光纤(SMF)的系统传输及性能测试,信道误码率均小于3×10-5(FEC纠错前).数值仿真并实验研究了对单环长度240 km、损耗超过80 dB的环路16路10.7 Gb/s波分复用(WDM)系统传输的优化.传输7圈后,功率均衡器降低了信道功率不平坦度超过5 dBm.     

以业务促发展以发展促整合网络事业大有可为——访CBN公司沈向军总经理

在中广影视传输网络有限责任公司(CBN)成立一周年之际,本刊记者就CBN一年来的工作情况,采访了CBN总经理沈向军。     

低RDS（ON）功率MOSFET实现更信的汽车性能

随着人们对驾驶室功能的需求不断增加，以及大型汽车对发动机的功率连同行驶里数的需求不断上升．新型低阻抗功率NOSFET遂应运而生．可实现汽车从传统的发电系统和液压系统转移到电子系统。这些新型低阻抗功率MOSFET有助于在增强汽车的舒适性和安全性的同时提高行驶里数。     

Cs-K混合蒸气中Cs(8D)+K(4S)碰撞能量转移

在Cs-K混合蒸气中，两步激发Cs原子到8D态，观察了Cs(8D) K(4S)→Cs(5D) K(4P)碰撞能量合并逆过程(REP，reverse energy pooling)。应用双调制技术探测K(4P)原子发射的荧光，基态K原子密度用光学吸收方法测量。得到了REP速率系数，讨论了其它过程对速率系数的影响．     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，     

以太数字用户线系统EDSL介绍

2003年1月信息产业部发布了《接入技术要求-基于时分双工的以太数字用户线系统(TDD／EDSL)：可变长度帧传输模式》通信行业标准。从此EDSL将进军中国通信市场，为广大用户提供新的宽带接入方式。     

海勃湾电厂载波话路质量的提高

介绍话路采用超基带传输改为基带传输的具体方法。