WCDMA关键技术的研究

本主要讨论WCDMA的关键无线技术，并简要介绍了WCDMA移动通信系统中的智能技术。     

调幅系数为任意值的调幅波研究

本文讨论了调幅系数为任意值的调幅波，给出了它的表达式，频谱与调幅系数，调制效率和信噪比增益的计算公式。     

梯度棒折射率分布系数的计算和验证

本文推导了用离子交换法制作的径向折射率梯度棒的g,h_4和h_6与材料特性相联系的计算公式。根据测定的材料参数,并用本文公式算出的g值与用成像法测得的g值相比较,其结果基本相符。     

厄米—双曲余弦—光斯光束的瞄准稳定性

用失调叠加积分的方法，对厄米－双曲余弦－高斯光束的瞄准稳定性作了研究，得到了厄米－双曲余弦－高斯光束失调因子|ηm|^2的精确解析公式和近似解析公式，并用数值计算了相对横向偏移和相对角向偏移对失调因子|ηm|^2的影响以及对精确解析公式和近似解析公式的适用范围作了分析和说明。     

ADSL系统的运行试验

ADSL技术是一种利用现有的传统电话线路,以极高的带宽传输数字信息技术,用户通过一条ADSL线路即可获得个人计算机、视频、电话等多种业务。我国现有的电话网络庞大,用户数量众多,从解决网络拥塞、节约成本以及充分利用现有网络资源方面来看,ADSL技术是有效的解决方案。 ADSL设备在电信网中的应用越来越多,如何做好设备入网前的测试试验,显得尤为重要。本文是在信息产业部通信网综合实验模拟验证中心(RTNet)的模拟电信网的环境中,对ADSL设备进行运行试验,加载各种业务和模拟损伤,并对业务性能进行长时间测试的基础上,对     

Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数

考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ－Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数，特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好，而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。     

HFC接入网上行传输通道均衡性分析

本主要对HFC接入网行传输通道各个环节的均衡性进行了分析，指出电缆分配网络上行输系统是制约网络多功能开发的主要因素之一，并针对有线电视网络现状提出了HFC接入网的改造思路。     

亚皮秒光脉冲在密集色散管理光纤中的传输特性

文章从包含高阶效应的非线性薛定谔方程出发,基于一种二阶和三阶色散都作了完全补偿(零路径平均色散)的光纤级联系统模型,用数值法对亚皮秒(几百飞秒)高斯光脉冲在密集色散管理光纤(放大周期远远大于色散补偿周期,La>>Lc)中的传输特性做了研究.结果表明啁啾化亚皮秒光脉冲在短周期色散补偿光纤中可以实现稳定传输.色散管理的密集化程度越高,即色散补偿周期越短,光脉冲在光纤中传输时的呼吸度越小,前后脉冲间的相互作用也越弱,有利于提高光纤传输系统的性能.此外,由于色散管理孤子的系统功率较小,因此高阶非线性项的影响不大.     

氢氟烃/烷烃二元混合物的气液相平衡

整理了已公开发表的氢氟烃(HFC)/烷烃(HC)二元混合物气液相平衡实验数据,对实验数据进行了热力学一致性检验。采用PR方程加van der Waals混合规则描述该类混合物的气液相平衡性质,优化得到了11种混合物的二元交互作用系数,经比较表明采用优化结果能够高精度再现气液相平衡实验数据,比k_(ij)取0的计算结果有很大改善.     

Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.