剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用

采用剥离技术,实现了GaN基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用.介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用.     

GaN基蓝光VCSEL的制备及光学特性

利用金属有机物气相沉积技术(MOCVD)在(0001)蓝宝石衬底上生长了Ga N基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的多量子阱腔层结构。X射线衍射测量显示该多量子阱具有良好周期结构和平整界面。运用键合及激光剥离技术将该外延片制作成VCSEL,顶部和底部反射镜为极高反射率的介质膜分布布拉格反射镜(DBR)。在室温、紫外脉冲激光的泵浦条件下,观察到了VCSEL明显的激射现象,峰值波长位于447.7 nm,半高宽为0.11 nm,自发辐射因子约为6.0×10-2,阈值能量密度约为8.8 m J/cm2。在大幅度降低制作难度的情况下,得到目前国际最好结果同样数量级的激射阈值。降低器件制作难度有利于制备的重复性,有利于器件的产品化。     

SiCOI制造技术

SiCOI是一种新型的微电子SOI材料，在望在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用发展，本文介绍了近年来几种SiCOI技术的发展并作简要评价。     

基于可控剥离技术的柔性PZT薄膜的制备及其铁电性质

可控剥离技术(CST)作为一种薄膜制备方式已被广泛应用于柔性领域,例如硅基柔性太阳电池等。首先采用溶胶-凝胶法先后在普通硅基底上制备镍酸镧(LaNiO3)缓冲层和锆钛酸铅(PZT)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)进行材料表征,发现PZT薄膜结晶良好,而且表面致密均匀,表明LaNiO3缓冲层有利于PZT薄膜的成膜。之后通过基于电镀镍方法的可控剥离技术实现了硅基底柔性PZT薄膜的制备。PZT薄膜弯曲之后,采用铁电测试仪测试了电滞回线。电滞回线表明该PZT薄膜的极化强度随着施加电压的增加而增大,而且随着电压的增加,电滞回线逐渐趋于饱和,饱和极化强度为38μC/cm~2。最终得出该柔性PZT薄膜不仅具有良好的机械性能,而且具有很好的铁电性能。     

提高LED外量子效率的研究进展

近年来半导体照明光源一发光二极管（LED）产业和技术发展迅速,取代传统白炽灯的步伐越来越快,相关核心技术的研究也成为各国研究的热点,但LED的发光效率和制造成本依然是阻碍LED绿色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面／半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层（DBR）结构、激光剥离技术,纳米压印与SU8胶相结合技术、光子晶体技术等。     

用剥离技术和激光技术制作薄膜电阻

研究了用一种新的方法制作定制薄膜电阻的可行性。结果表明,采用剥离技术和激光技术可以很好地实现某些定制薄膜电阻的制作,满足客户所要求的指标,其简化了光刻工艺,改进了薄膜电阻的制作方法,具有较大的实用价值。     

激光用于LED制造

激光在如今的LED革命中正变得越来越重要,成为提高LED的发光效率和降低制造成本的必要工具.准分子激光器提供了独特的大面积均匀照明,而且非常适合用于将LED外延片从蓝宝石基底分离的激光剥离技术.本文将讨论准分子激光剥离技术用于制造垂直型LED,以及该技术如何应用于氮化镓基LED和氮化铝基LED的生产.另外,对于刻划和切...     

剥离技术制作金属互连柱及其在MEMS中的应用

介绍了利用AZ5214光刻胶及ZKPI-305ⅡD型非光敏聚酰亚胺制作的两种不同的剥离层,即双层AZ5214和ZKPI AZ5214.此两种剥离工艺简单易操作,可剥离出1 μ m金属镍柱,并可在MEMS 工艺制作中获得了良好的效果.     

金属剥离技术在声表面波滤波器中应用研究

本文采用金属剥离技术在ＬｉＮｂＯ３基片上成功地制备了１４０ＭＨｚ声表面波带通滤波器。通过选择最佳工艺参数，提高了声表面波滤波器的性能。     

蒸发制备金属薄膜实现MEMS工艺中电互连

介绍了利用蒸发方法制备金属薄膜来实现MEMS工艺中的互连,采用剥离方法制作金属互连柱.分别在剥离层为双层AZ5214负胶、聚酰亚胺(ZKPI-305ⅡD)和AZ5214负胶、ENPI剥离胶的情况下,实验并制备了金属Ni互连柱(双层AZ5214金属柱高1.86 μ m,聚酰亚胺(ZKPI-305ⅡD)和AZ5214柱高2.0 μ m,ENPI柱高1.5 μ m),都起到了较好的互连作用.