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151.
针对超高性能要求的微波天线需求,提出了一种低剖面反射面天线的方案,采用F/D<0.2的“深锅”反射面配合一种后馈式自支撑馈源,实现较优的方向图包络,满足ETSI Class3的要求.文中给出了设计思路、方法和一些工程经验,并以0.6 m、15 GHz微波天线为例,利用仿真软件FEKO分析天线的性能,结果表明,仿真结果与测试结果吻合良好. 相似文献
152.
设计了一种平面宽带平衡准八木天线,该天线由双面印刷的电偶极子和反射器以及单面印刷的两个引向器组成。所用介质基板的相对介电常数为2.2,其尺寸为29.5 mm×27.0 mm×1.0 mm。利用电磁仿真软件IE3D对该天线的参数进行了仿真优化,得到了其阻抗带宽、增益、辐射方向图等特性。仿真结果表明:该天线的阻抗带宽从4.1 GHz到10.8 GHz(S11–10 dB),相对带宽可达到89.9%,增益平均值为5.08 dB,增益的波动范围为3.73 dB到6.28 dB,此外该天线具有稳定的定向的辐射方向图。 相似文献
153.
利用Argo实测数据分析了经验正交函数方法的估计精度随函数阶数和海域的变化规律。结果表明,拟合精度由于受北太平洋环流影响,在高纬度地区海流环境比较稳定,拟合精度高,而在海流交汇处,声速剖面变化剧烈,拟合精度低。此外,还分析了深海声道轴与表层海水声速极大值的分布特征。 相似文献
154.
以1395名工会会员为样本,基于资源保存理论研究了双组织承诺对工作绩效的影响.个体中心的研究结果显示:以企业和工会为目标的双组织承诺可以分为单边企业承诺、单边工会承诺、完全承诺、不承诺和中等企业-弱工会承诺五个剖面;完全承诺员工的任务绩效显著高于单边企业承诺和单边工会承诺的员工,但他们的周边绩效没有显著差别,不承诺员工的任务绩效和周边绩效都最差.本研究拓展了承诺研究的深度,并为企业和工会合作提升员工工作绩效提供理论支持. 相似文献
155.
研究了先进CMOS器件中poly-Si/TaN/HfSiON栅结构的干法刻蚀工艺。对于poly-Si/TaN/HfSiON栅结构的刻蚀,我们采用的策略是对栅叠层中的每一层都进行高选择比地、陡直地刻蚀。首先,对于栅结构中poly-Si的刻蚀,开发了一种三步的等离子体刻蚀工艺,不仅得到了陡直的poly-Si刻蚀剖面而且该刻蚀可以可靠地停止在TaN金属栅上。然后,为了得到陡直的TaN刻蚀剖面,研究了多种BCl3基刻蚀气体对TaN金属栅的刻蚀,发现BCl3/Cl2/O2/Ar等离子体是合适的选择。而且,考虑到Cl2对Si衬底几乎没有选择比,采用优化的BCl3/Cl2/O2/Ar等离子体陡直地刻蚀掉TaN金属栅以后,我们采用BCl3/Ar等离子体刻蚀HfSiON高K介质,改善对Si衬底的选择比。最后,采用这些新的刻蚀工艺,成功地实现了poly-Si/TaN/HfSiON栅结构的刻蚀,该刻蚀不仅得到了陡直的刻蚀剖面且对Si衬底几乎没有损失。 相似文献
156.
提出了一种基于新型人工表面等离子体激元(Spoof Surface Plasmon Polaritons, SSPPs)馈电带有引向器的低剖面宽带八木天线阵列。天线阵列包括两部分:基于人工表面等离子体激元波导的四路宽带功分器和八木天线阵列。人工表面等离子体激元具有高的场局限性,将信号束缚在人工表面等离子体激元的凹槽结构中保证了信号的高效传输,减少了传输损耗。八木天线通过进一步加载引向器结构能够实现端射辐射特性。测试结果表明:天线阵列的回波损耗在4.5 ~6.05 GHz 频率范围内小于-10 dB。天线阵列实际增益在4.5 ~ 6.05 GHz 范围内最高可达11.1 dBi。 相似文献
157.
158.
159.
160.