全文获取类型
收费全文 | 32491篇 |
免费 | 6651篇 |
国内免费 | 9516篇 |
专业分类
化学 | 11574篇 |
晶体学 | 720篇 |
力学 | 3642篇 |
综合类 | 603篇 |
数学 | 2434篇 |
物理学 | 11097篇 |
无线电 | 18588篇 |
出版年
2024年 | 297篇 |
2023年 | 1038篇 |
2022年 | 1183篇 |
2021年 | 1283篇 |
2020年 | 981篇 |
2019年 | 964篇 |
2018年 | 734篇 |
2017年 | 983篇 |
2016年 | 1122篇 |
2015年 | 1165篇 |
2014年 | 2440篇 |
2013年 | 1841篇 |
2012年 | 2011篇 |
2011年 | 2062篇 |
2010年 | 2068篇 |
2009年 | 2229篇 |
2008年 | 2618篇 |
2007年 | 2014篇 |
2006年 | 2051篇 |
2005年 | 2328篇 |
2004年 | 1999篇 |
2003年 | 2461篇 |
2002年 | 1736篇 |
2001年 | 1634篇 |
2000年 | 1250篇 |
1999年 | 1007篇 |
1998年 | 994篇 |
1997年 | 841篇 |
1996年 | 803篇 |
1995年 | 803篇 |
1994年 | 742篇 |
1993年 | 584篇 |
1992年 | 536篇 |
1991年 | 534篇 |
1990年 | 550篇 |
1989年 | 452篇 |
1988年 | 97篇 |
1987年 | 73篇 |
1986年 | 48篇 |
1985年 | 36篇 |
1984年 | 15篇 |
1983年 | 14篇 |
1982年 | 20篇 |
1981年 | 11篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 4篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
The electronic structures for three types of PbW04 (PWO) crystals, the perfect PWO, the PWO containing lead vacancy (PWO-Vpb) and fluorine doped PWO crystal (F^-:PWO), are systematically studied within the framework of density functional theory. The computational results show that the Pb 6s state situates below the valence band so that Pb^2 ions are unable to trap holes forming Pb^3 or Pb^4 to compensate for VPb^2-. The hole-trappers in PWO-Vpb are O^2- ions. Two of the longer-bond O^2- ions share a hole forming O2^3-, and four of the longer-bond oxygen ions trap two holes forming an associated color centre [O2^3--Vpb-O2^3-], which may be the origin of the 42Onto absorption band. It is also concluded that the doping of F^- would reduce the band gap and F^- ions substituting for O^2- can effectively restrict the formation of [O2^3--Vpb-O2^3-] and weaken the 42Onm absorption band and hence enhance the scintillation property of PWO. 相似文献
42.
Structural and Electrical Characteristics of Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3 Thin Films Deposited on Si (100) Substrates 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively. 相似文献
43.
44.
45.
鉴于工业化概念在国内有着广泛影响,而工业化概念的基础在于传统的部门(sector)或产业(industry)分类,接下来我们就从这样的分类角度出发,探讨信息化对产业政策重点的冲击和影响。本文认为,信息化最重大的意义之一是卡尔多律和鲍莫尔成本病不再是严格的约束,其生产率改进的机会与制造业同样广阔,因而,发展政策不仅应特别关注制造业或第二部门,也应特别关注服务业的生产率改进。 相似文献
46.
47.
本文对通用串行总线USB2.0的性能特点、拓扑结构、通用操作和USB设备驱动程序与Windows的接口进行分析。 相似文献
48.
49.
数学概念形成的问题情境创设策略 总被引:1,自引:0,他引:1
高中数学课程标准指出:“由于数学高度抽象的特点,注重体现基本概念的来龙去脉.在教学中要引导学生经历从具体实例抽象出数学概念的过程,在初步运用中逐步理解概念的本质”.因此教师在新概念形成的教学中,我们主张用建构主义学习观来帮助学生学习数学概念,教师要根据学习者自己 相似文献
50.