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31.
研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点，提出了相应的物理机制，以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移，研究了应力Vg对HCE退化的影响，并分别预测了这两种器件的寿命，提出了10年寿命的0．3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。 相似文献
32.
赵英 《信息技术与标准化》2006,(11):15-16
1关于IEC／TC110
IEC／TC110平板显示技术委员会是由IEC／TC47／SC47C平板显示器件（FPD）分技术委员会于2002年IEC年会上提出，并于2003年7月由IEC中央办公室确定从IEC／TC47中分离出来新成立的技术委员会。 相似文献
33.
高线性模拟光耦HCNR201原理及其在检测电路中的应用 总被引：1，自引：0，他引：1
HCNR201是HP公司生产的高线性度模拟光电耦合器 ,它具有很高的线性度和灵敏度 ,可在检测系统中精确地传送电压信号。文中介绍了高线性度模拟光耦HCNR201的内部结构和工作原理 ,给出了用HCNR201和运算放大器实现检测电压的隔离传输电路。 相似文献
35.
36.
张志军 《激光与光电子学进展》2006,43(9):4-4
台北光子学工业和技术发展协会发表了一篇关于该地区光子器件市场的报告，报告按照产品种类将光子工业分为光电子器件、光学存储、平板显示、光学输入输L乜设备、光纤通讯、透镜器件和激光器。2005年台湾光子工业产值突破1万亿新台币，约合310亿美元，占全球份额的16％。平板显示包括投影仪、LCDs和有机LEDs，在产值中占主导地位。报告显示，该领域的增长在2008年前将保持稳定。2005年所有同类产品占据了全球份额的31％，近几年将增长到35％。 相似文献
38.
HgCdTe红外探测器件是目前研究和使用的主要探测器件之一，pn结构是它的基本功能单元和提高性能的关键之一，由其列阵构成的焦平面是HgCdTe红外探测器件发展的重要方向。因此迫切需要一种方便可行的无损检测方法可以实现对焦平面列阵的在线信息反馈以及针对pn功能结构进行深入研究。激光束诱导电流(LBIC)即是一种以激光为 相似文献
39.