全文获取类型
收费全文 | 14162篇 |
免费 | 1189篇 |
国内免费 | 1299篇 |
专业分类
化学 | 477篇 |
晶体学 | 75篇 |
力学 | 43篇 |
综合类 | 47篇 |
数学 | 8篇 |
物理学 | 2360篇 |
无线电 | 13640篇 |
出版年
2024年 | 63篇 |
2023年 | 206篇 |
2022年 | 235篇 |
2021年 | 270篇 |
2020年 | 156篇 |
2019年 | 203篇 |
2018年 | 101篇 |
2017年 | 150篇 |
2016年 | 178篇 |
2015年 | 271篇 |
2014年 | 692篇 |
2013年 | 435篇 |
2012年 | 760篇 |
2011年 | 803篇 |
2010年 | 701篇 |
2009年 | 851篇 |
2008年 | 1108篇 |
2007年 | 820篇 |
2006年 | 903篇 |
2005年 | 1046篇 |
2004年 | 869篇 |
2003年 | 853篇 |
2002年 | 572篇 |
2001年 | 523篇 |
2000年 | 436篇 |
1999年 | 361篇 |
1998年 | 368篇 |
1997年 | 377篇 |
1996年 | 399篇 |
1995年 | 355篇 |
1994年 | 327篇 |
1993年 | 237篇 |
1992年 | 257篇 |
1991年 | 234篇 |
1990年 | 227篇 |
1989年 | 209篇 |
1988年 | 29篇 |
1987年 | 10篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 7篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 17篇 |
1980年 | 7篇 |
1979年 | 3篇 |
1973年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
121.
122.
123.
提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法,该方法利用了特殊偏置点 (Vgs > Vth, Vds = 0 V)的等效电路模型, 推导了寄生电阻的表达式,采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1 ~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致,证明该方法是有效的。 相似文献
124.
为了改善硅功率器件击穿电压性能以及改善IGBT电流的流动方向,提出了一种沟槽-场限环复合终端结构。分别在主结处引入浮空多晶硅沟槽,在场限环的左侧引入带介质的沟槽,沟槽右侧与场限环左侧横向扩展界面刚好交接。结果表明,这一结构改善了IGBT主结电流丝分布,将一部分电流路径改为纵向流动,改变了碰撞电离路径,在提高主结电势的同时也提高器件终端结构的可靠性;带介质槽的场限环结构进一步缩短了终端长度,其横纵耗尽比为3.79,较传统设计的场限环结构横纵耗尽比减少了1.48%,硅片利用率提高,进而减小芯片面积,节约制造成本。此方法在场限环终端设计中非常有效。 相似文献
125.
126.
127.
针对全帧转移大面阵电荷耦合器件(CCD)多帧图像数据随时间漂移的现象和测试电路引入的噪声,导致无法准确评估CCD器件的参数,文章提出一种基于行过扫数据校正算法。行有效像元数据与对应行垂直过扫数据同时输出,通过有效像元数据减去垂直过扫数据均值,对图像数据漂移的现象进行抑制。测试电路中模拟模块与数字模块同时作用于单行有效像元数据与垂直过扫数据,通过有效像元数据减去垂直过扫数据均值,消除测试电路引入的噪声。实验结果表明,经过该算法校正后的器件读出噪声减小了20%,暗场差值图像中超过15 e-和25 e-的比例减小了25%。该算法适用于大面阵CCD器件,可校正测试系统引入的测试误差,提高全帧转移大面阵CCD器件测试效率。 相似文献
128.
着重研究了γ辐照后,不同偏置情况下,N—Sub MOS电容的高频C—V曲线随B_2~+注入剂量的变化,并对实验结果进行了分析讨论。 相似文献
129.
130.
电视跟踪、电视制导是导弹武器系统的重要组成部份,摄象器件又是其中的关键器件。本文着重从抗震、高可靠方面介绍摄象器件电子枪的结构和性能设计,该电子枪应用于重点军事工程,经多次试验和实际使用,性能稳定,达到了高可靠的要求,是目前国内唯一的抗震高可靠电子枪。 相似文献